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公开(公告)号：CN102471678B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201080030202.0
申请日：2010-03-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: C09K11/06
CPC classification number: H01L51/0039 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L51/56
Abstract: 光电设备，包括式I的三线态阻挡化合物，其中，R1每次出现时独立是C1-20烃基且至少一个R1是R3；R2每次出现时独立是C1-20烃基、C1-20烃基氧基、C1-20硫醚、C1-20烃基羰基氧基或氰基；R3是-R4XR5；R4是直接键、C1-20芳基、C1-20芳基烷基、C1-20烷基芳基、C1-20取代的芳基、C1-20取代的芳基烷基或C1-20取代的烷基芳基；R5是C1-20烃基或含有至少一个在碳原子之间的S、N、O或P原子的C1-20烃基；R6是C1-20烷基或C1-20取代的烷基；X是-O-、-S-、-COO-、-OOC-、-CSS-、-SSC-、NR6或PR6；a每次出现时独立是0、1或2；和n是0或1。
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公开(公告)号：CN102325806B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200980156352.3
申请日：2009-12-01
Applicant: 通用电气公司 , 柯尼卡美能达控股有限公司
CPC classification number: C08F12/26 , C08F12/32 , C08F112/14 , H01L51/0003 , H01L51/004 , H01L51/0042 , H01L51/5012
Abstract: 本发明涉及用于光电子器件并包含式(I)的结构单元的聚合物：其中R1和R2在各出现处独立为氢、C1-C20脂肪族基团、C3-C20芳香族基团或C3-C20脂环族基团；R3为H或烷基；a和b在各出现处独立为0或1至3的整数；并且Ar为直连键或芳基。
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公开(公告)号：CN102300954A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200980156267.7
申请日：2009-09-23
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C09K11/06 , C08G61/02 , C08G61/122 , C08G2261/122 , C08G2261/148 , C08G2261/1526 , C08G2261/3142 , C08G2261/3245 , C08G2261/5242 , C08G2261/78 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/1466 , C09K2211/1475 , H01L51/0039 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及一种方法，其包括使包含至少一个式I结构基团的聚芴与式II的铱(III)化合物反应，其中：R1和R2独立地为烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基或其组合；R5为H或CHO；R3和R4独立地为氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基或其组合；R11和R12一起形成被取代或未被取代的单环或双环杂芳环；R13在每次出现时独立地为卤素、硝基、羟基、氨基、烷基、芳基、芳基烷基、烷氧基、被取代的烷氧基、被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基；Ar为芳基、杂芳基、被取代的芳基、被取代的杂芳基或其组合；X选自直接键、烷基、被取代的烷基和其组合；Y为CHO或NH2；Z为CHO或NH2，其中Z与Y不同；且p为0、1或2。本发明还涉及聚芴，其为所述反应反应的产物；和所述聚芴在光电器件中的用途。
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公开(公告)号：CN102300954B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN200980156267.7
申请日：2009-09-23
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C09K11/06 , C08G61/02 , C08G61/122 , C08G2261/122 , C08G2261/148 , C08G2261/1526 , C08G2261/3142 , C08G2261/3245 , C08G2261/5242 , C08G2261/78 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/1466 , C09K2211/1475 , H01L51/0039 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及一种方法，其包括使包含至少一个式I结构基团的聚芴与式II的铱(III)化合物反应，其中：R1和R2独立地为烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基或其组合；R5为H或CHO；R3和R4独立地为氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基或其组合；R11和R12一起形成被取代或未被取代的单环或双环杂芳环；R13在每次出现时独立地为卤素、硝基、羟基、氨基、烷基、芳基、芳基烷基、烷氧基、被取代的烷氧基、被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基；Ar为芳基、杂芳基、被取代的芳基、被取代的杂芳基或其组合；X选自直接键、烷基、被取代的烷基和其组合；Y为CHO或NH2；Z为CHO或NH2，其中Z与Y不同；且p为0、1或2。本发明还涉及聚芴，其为所述反应反应的产物；和所述聚芴在光电器件中的用途。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101998983B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN200880122537.8
申请日：2008-08-20
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C09K11/06 , C07F15/004 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/1466 , C09K2211/185 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 在光电子器件中，可使用包含至少一种衍生自式(I)的化合物的结构单元或包含至少一个式(II)的侧基的聚合物，其中R1、R3、R4和R6独立地为氢、烷基、烷氧基、氧杂烷基、烷基芳基、芳基、芳基烷基、杂芳基、取代的烷基、取代的烷氧基、取代的氧杂烷基、取代的烷基芳基、取代的芳基、取代的芳基烷基或取代的杂芳基；R1a为氢或烷基；R2为亚烷基、取代的亚烷基、氧杂亚烷基、CO或CO2；R2a为亚烷基；R5每次出现时独立地为氢、烷基、烷基芳基、芳基、芳基烷基、烷氧基、羧基、取代的烷基、取代的烷基芳基、取代的芳基、取代的芳基烷基或取代的烷氧基；X为位于2，5-或2，7-位的卤素、三氟甲磺酸根、-B(OR1a)2或式(III)；并且L衍生自苯基吡啶、甲苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、苯基异喹啉、二苯并喹喔啉、芴基吡啶、酮基吡咯、2-(1-萘基)苯并噁唑、2-苯基苯并噁唑、2-苯基苯并噻唑、香豆素、噻吩基吡啶、苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、3-甲氧基-2-苯基吡啶、噻吩基吡啶、苯基亚胺、乙烯基吡啶、吡啶基萘、吡啶基吡咯、吡啶基咪唑、苯基吲哚、其衍生物或其组合。
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公开(公告)号：CN102471678A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080030202.0
申请日：2010-03-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: C09K11/06
CPC classification number: H01L51/0039 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L51/56
Abstract: 光电设备，包括式I的三线态阻挡化合物，其中，R1每次出现时独立是C1-20烃基且至少一个R1是R3；R2每次出现时独立是C1-20烃基、C1-20烃基氧基、C1-20硫醚、C1-20烃基羰基氧基或氰基；R3是-R4XR5；R4是直接键、C1-20芳基、C1-20芳基烷基、C1-20烷基芳基、C1-20取代的芳基、C1-20取代的芳基烷基或C1-20取代的烷基芳基；R5是C1-20烃基或含有至少一个在碳原子之间的S、N、O或P原子的C1-20烃基；R6是C1-20烷基或C1-20取代的烷基；X是-O-、-S-、-COO-、-OOC-、-CSS-、-SSC-、NR6或PR6；a每次出现时独立是0、1或2；和n是0或1。
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公开(公告)号：CN102325806A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980156352.3
申请日：2009-12-01
Applicant: 通用电气公司 , 柯尼卡美能达控股有限公司
CPC classification number: C08F12/26 , C08F12/32 , C08F112/14 , H01L51/0003 , H01L51/004 , H01L51/0042 , H01L51/5012
Abstract: 本发明涉及用于光电子器件并包含式(I)的结构单元的聚合物：，其中R1和R2在各出现处独立为氢、C1-C20脂肪族基团、C3-C20芳香族基团或C3-C20脂环族基团；R3为H或烷基；a和b在各出现处独立为0或1至3的整数；并且Ar为直连键或芳基。
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公开(公告)号：CN101998983A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200880122537.8
申请日：2008-08-20
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C09K11/06 , C07F15/004 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/1466 , C09K2211/185 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 在光电子器件中，可使用包含至少一种衍生自式(I)的化合物的结构单元或包含至少一个式(II)的侧基的聚合物，其中R1、R3、R4和R6独立地为氢、烷基、烷氧基、氧杂烷基、烷基芳基、芳基、芳基烷基、杂芳基、取代的烷基、取代的烷氧基、取代的氧杂烷基、取代的烷基芳基、取代的芳基、取代的芳基烷基或取代的杂芳基；R1a为氢或烷基；R2为亚烷基、取代的亚烷基、氧杂亚烷基、CO或CO2；R2a为亚烷基；R5每次出现时独立地为氢、烷基、烷基芳基、芳基、芳基烷基、烷氧基、羧基、取代的烷基、取代的烷基芳基、取代的芳基、取代的芳基烷基或取代的烷氧基；X为位于2，5-或2，7-位的卤素、三氟甲磺酸根、-B(OR1a)2或式(III)；并且L衍生自苯基吡啶、甲苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、苯基异喹啉、二苯并喹喔啉、芴基吡啶、酮基吡咯、2-(1-萘基)苯并噁唑、2-苯基苯并噁唑、2-苯基苯并噻唑、香豆素、噻吩基吡啶、苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、3-甲氧基-2-苯基吡啶、噻吩基吡啶、苯基亚胺、乙烯基吡啶、吡啶基萘、吡啶基吡咯、吡啶基咪唑、苯基吲哚、其衍生物或其组合。
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