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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102394199B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110175517.0
申请日：2011-06-17
Applicant: 通用电气公司
Inventor： K·V·S·R·基肖尔 , M·艾米
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H59/0009 , H01H2001/0063 , H01H2001/0084
Abstract: 提供一种微机电系统(MEMS)开关阵列。第一衬底(22)(例如，载体衬底)包括导电衬底区。电绝缘层(24)可设置在载体衬底(22)的第一表面之上。可提供活动致动器(26)。至少一个衬底接头(28)电耦合到多个活动致动器(26)的至少一个，使得在MEMS开关阵列的电闭合条件期间建立电流流动。还可提供覆盖衬底(50)并且它包括导电衬底区。载体衬底(50)的导电区电耦合到覆盖衬底(22)的导电区，以定义在开关阵列的电闭合条件期间供电流流动的导电通路。
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公开(公告)号：CN102623221A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110463346.1
申请日：2011-12-21
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C25D7/00 , C25D1/003 , C25D3/562 , C25D5/02 , C25D5/022 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D7/123 , H01H1/0036 , H01H59/0009 , H01H2001/0052 , H01H2001/0084 , H01L2924/01079 , H05K13/0486 , H05K2201/0355 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/708 , Y10T29/49 , Y10T29/49002 , Y10T29/49117 , Y10T29/49124 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明涉及组合物以及制造方法。一种装置，包括衬底(308)和用沉积过程形成在所述衬底(308)上的金属层(336)，对于沉积过程的该金属层的特征是具有预定的沉积态缺陷密度。作为制造过程的结果，金属层(336)相对于同样的层(336)或者具有相同的成分以及在相同的沉积条件下形成的另一层的预定的沉积态缺陷密度来说，其缺陷密度减小了。在相关的方法中，提供衬底(308)并且在所述衬底(308)上形成可移除层(330)。在可移除层(330)上形成金属层(336)，并且进行图案化和刻蚀以在可移除层(330)上限定结构。可移除层(330)被移除，并且将所述金属层(336)加热长达超过在其上接合气密封盖(340)所必需的时间。
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公开(公告)号：CN109715061A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057101.4
申请日：2017-09-12
Applicant: 通用电气公司
IPC: A61B5/055
CPC classification number: G01R33/3657 , G01R33/34007 , G01R33/341 , G01R33/3685
Abstract: 提供了用于在发送操作期间将磁共振(MR)成像装置的接收线圈从发送线圈断开的各种方法和系统。在一个示例中，设备可以包括第一设备和第二设备，每个设备具有第一端子和第二端子，可操作地将射频(RF)线圈的不同端子与一个或多个数据采集元件耦合，每个设备包括一对开关。以这种方式，通过同步操作所述设备的每个开关，可以在发送操作期间将所述接收线圈从所述发送RF线圈隔离。
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公开(公告)号：CN102623221B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201110463346.1
申请日：2011-12-21
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C25D7/00 , C25D1/003 , C25D3/562 , C25D5/02 , C25D5/022 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D7/123 , H01H1/0036 , H01H59/0009 , H01H2001/0052 , H01H2001/0084 , H01L2924/01079 , H05K13/0486 , H05K2201/0355 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/708 , Y10T29/49 , Y10T29/49002 , Y10T29/49117 , Y10T29/49124 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明涉及组合物以及制造方法。一种装置，包括衬底(308)和用沉积过程形成在所述衬底(308)上的金属层(336)，对于沉积过程的该金属层的特征是具有预定的沉积态缺陷密度。作为制造过程的结果，金属层(336)相对于同样的层件下形成的另一层的预定的沉积态缺陷密度来说，其缺陷密度减小了。在相关的方法中，提供衬底(308)并且在所述衬底(308)上形成可移除层(330)。在可移除层(330)上形成金属层(336)，并且进行图案化和刻蚀以在可移除层(330)上限定结构。可移除层(330)被移除，并且将所述金属层(336)加热长达超过在其上接合气密封盖(340)所必需的时间。(336)或者具有相同的成分以及在相同的沉积条
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公开(公告)号：CN102394199A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110175517.0
申请日：2011-06-17
Applicant: 通用电气公司
Inventor： K·V·S·R·基肖尔 , M·艾米
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H59/0009 , H01H2001/0063 , H01H2001/0084
Abstract: 提供一种微机电系统(MEMS)开关阵列。第一衬底(22)(例如，载体衬底)包括导电衬底区。电绝缘层(24)可设置在载体衬底(22)的第一表面之上。可提供活动致动器(26)。至少一个衬底接头(28)电耦合到多个活动致动器(26)的至少一个，使得在MEMS开关阵列的电闭合条件期间建立电流流动。还可提供覆盖衬底(50)并且它包括导电衬底区。载体衬底(50)的导电区电耦合到覆盖衬底(22)的导电区，以定义在开关阵列的电闭合条件期间供电流流动的导电通路。
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