公开(公告)号：CN118458827A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410584274.3

申请日：2024-05-11

申请人： 鄂尔多斯实验室 ,  清华大学

发明人： 朱振兴 ,  陈思博 ,  魏飞 ,  杜云龙 ,  谢桦

IPC分类号： C01G41/02 ,  G01N27/12

摘要： 本发明涉及气体传感器技术领域，提供了一种碳纳米管‑氧化钨复合材料及制备方法和应用，该复合材料包括经酸化处理的碳纳米管和纳米氧化钨。通过将酸化处理的半导体型碳纳米管掺入氧化钨，利用碳纳米管优异的导电特性提高复合材料的电导率，并使酸性化学活性基团成为化学吸附气体的中心，从而显著降低气敏元件的电阻值，使气体传感器能在室温下发挥优异的气敏性能。

公开(公告)号：CN118684219A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410835957.1

申请日：2024-06-26

申请人： 清华大学

发明人： 朱振兴 ,  魏飞 ,  杜云龙 ,  陈思博 ,  竺俞康

IPC分类号： C01B32/162 ,  C01B32/168 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种超长水平阵列碳纳米管及其制备方法，所述方法包括：将催化剂负载在碳纳米管薄膜上，然后将负载催化剂的碳纳米管薄膜包覆在生长基底一侧；将所述生长基底置于反应器中，通入保护气并升温至反应温度；向所述反应器中通入含有碳源的气体，以便在所述生长基底上制备得到所述超长水平阵列碳纳米管。由此，能够实现超长碳纳米管在大尺寸晶圆级硅片表面的高密度顺排生长。