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公开(公告)号：CN108807431A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710859124.9
申请日：2017-09-21
Applicant: 采钰科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 提供的影像传感器包含基底，其具有彼此相邻的第一区和第二区，以及第一光电转换元件设置于基底的第一区上。第一光电转换元件包含第一金属层形成于基底上，第一光电转换层形成于第一金属层上，以及第二金属层形成于第一光电转换层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109473451B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201711169370.8
申请日：2017-11-22
Applicant: 采钰科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 影像传感器封装体包含介质层，其具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。影像传感器封装体也包含金属‑绝缘体‑金属结构设置于介质层的第一表面上，其中金属‑绝缘体‑金属结构包含第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，且第一绝缘层设置于第一金属层与第二金属层之间。影像传感器封装体还包含光学滤光片设置于介质层的第二表面上。
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公开(公告)号：CN109803129A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201810856015.6
申请日：2018-07-31
Applicant: 采钰科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种影像感测器，包括：一微镜头阵列，包括多个微镜头；以及一感测器阵列，包括多个光电元件，其排列为多个宏像素；其中各宏像素包括一第一光电元件、一第二光电元件、一第三光电元件、一第四光电元件以分别通过该多个微镜头中的一第一微镜头、一第二微镜头、一第三微镜头、及一第四微镜头以接收光线，其中在各宏像素中的该第一微镜头、该第二微镜头、该第三微镜头、及该第四微镜头分别具有一第一初始偏移值、一第二初始偏移值、一第三初始偏移值、及一第四初始偏移值，其中在各宏像素中的该第一微镜头及该第二微镜头还分别具有一第一额外偏移值及一第二额外偏移值。
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公开(公告)号：CN108807431B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710859124.9
申请日：2017-09-21
Applicant: 采钰科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 提供的影像传感器包含基底，其具有彼此相邻的第一区和第二区，以及第一光电转换元件设置于基底的第一区上。第一光电转换元件包含第一金属层形成于基底上，第一光电转换层形成于第一金属层上，以及第二金属层形成于第一光电转换层上。
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公开(公告)号：CN109803129B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810856015.6
申请日：2018-07-31
Applicant: 采钰科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种影像感测器，包括：一微镜头阵列，包括多个微镜头；以及一感测器阵列，包括多个光电元件，其排列为多个宏像素；其中各宏像素包括一第一光电元件、一第二光电元件、一第三光电元件、一第四光电元件以分别通过该多个微镜头中的一第一微镜头、一第二微镜头、一第三微镜头、及一第四微镜头以接收光线，其中在各宏像素中的该第一微镜头、该第二微镜头、该第三微镜头、及该第四微镜头分别具有一第一初始偏移值、一第二初始偏移值、一第三初始偏移值、及一第四初始偏移值，其中在各宏像素中的该第一微镜头及该第二微镜头还分别具有一第一额外偏移值及一第二额外偏移值。
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公开(公告)号：CN109473451A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201711169370.8
申请日：2017-11-22
Applicant: 采钰科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 影像传感器封装体包含介质层，其具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。影像传感器封装体也包含金属-绝缘体-金属结构设置于介质层的第一表面上，其中金属-绝缘体-金属结构包含第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，且第一绝缘层设置于第一金属层与第二金属层之间。影像传感器封装体还包含光学滤光片设置于介质层的第二表面上。
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