公开(公告)号：CN117594439A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311578333.8

申请日：2023-11-24

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 阚玲 ,  刘建 ,  税国华 ,  刘青 ,  刘娇 ,  龚榜华 ,  谢迪

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L29/866

摘要： 本发明公开高压双极工艺集成隐埋齐纳管制造方法，包括如下步骤：1)掺杂形成第二导电类型埋层；2)环绕所述第二导电类型埋层，掺杂形成第一导电类型埋层；3)形成第二导电类型外延层；4)掺杂形成第一导电类型隔离结；5)形成齐纳二极管场区；6)形成齐纳二极管阴极；7)环绕齐纳二极管阴极，推结形成环状齐纳二极管阳极引出端Plink；8)形成齐纳二极管阴极引出端Nlink；9)形成齐纳二极管隐埋型的阳极；10)形成齐纳二极管的金属电极和玻璃钝化层。本发明可在高压双极工艺中实现一种击穿电压值可调，齐纳击穿区在硅体内，内阻小，热稳定性与长期工作稳定性较优的集成隐埋齐纳二极管。