公开(公告)号：CN113278933B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110441453.8

申请日：2021-04-23

申请人： 重庆交通大学绿色航空技术研究院

发明人： 白洁 ,  王强 ,  张承双 ,  杨大祥

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C14/06 ,  C23C14/04 ,  C23C14/02 ,  C01B32/984 ,  C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线一维复合材料，包括由碳化硅纳米线和原位生长于碳化硅纳米线阵列内的硅纳米线以及分布于碳化硅纳米线和硅纳米线生长端的金属颗粒，所述硅纳米线以图案化的形式分布于碳化硅纳米线的至少一个区域；能够实现在同一基底上不同材料和不同区域的功能化设计，实现图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线复合材料的可控制备，碳化硅纳米线和硅纳米线的复合薄膜呈现明显的图案化边界。

公开(公告)号：CN113278933A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110441453.8

申请日：2021-04-23

申请人： 重庆交通大学绿色航空技术研究院

发明人： 白洁 ,  王强 ,  张承双 ,  杨大祥

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C14/06 ,  C23C14/04 ,  C23C14/02 ,  C01B32/984 ,  C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线一维复合材料，包括由碳化硅纳米线和原位生长于碳化硅纳米线阵列内的硅纳米线以及分布于碳化硅纳米线和硅纳米线生长端的金属颗粒，所述硅纳米线以图案化的形式分布于碳化硅纳米线的至少一个区域；能够实现在同一基底上不同材料和不同区域的功能化设计，实现图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线复合材料的可控制备，碳化硅纳米线和硅纳米线的复合薄膜呈现明显的图案化边界。

公开(公告)号：CN113380986A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110572405.2

申请日：2021-05-25

申请人： 重庆交通大学绿色航空技术研究院

发明人： 张承双 ,  白洁 ,  王强 ,  杨大祥

IPC分类号： H01M4/1395 ,  D06C7/04 ,  D04H1/728 ,  D04H1/4309 ,  D01D5/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明公开了一种基于静电纺丝法制备一体化锂电负极的方法，包括a.制备匀质的静电纺丝液；b.在电极集流体接收器上进行静电纺丝制备集流体与电纺纳米纤维膜一体的电极前驱体；c.将电极前驱体干燥后向电纺纳米纤维膜施加一定的牵伸力并同时进行高温碳化处理；用于制备一体化硅碳负极，过程绿色环保，工艺条件高度可控，可对电极结构进行一体化设计，成型复杂结构，实现硅碳负极的快速、高效制造；所制备的该电极结构无粘结剂，减少不导电和非活性成分，增加导电性，降低原材料成本；相比于无集流体的一体式电纺薄膜电极，本发明的集流体具有一定机械强度和柔性，为电纺纳米硅碳纤维膜提供了支撑，电极结构更加稳定。