公开(公告)号：CN118074715A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311754209.2

申请日：2023-12-19

申请人： 重庆吉芯科技有限公司

发明人： 梁宇涵 ,  李梁 ,  李婷 ,  张勇 ,  倪亚波 ,  彭嘉豪 ,  汪寿林

IPC分类号： H03M1/10 ,  H03M1/36

摘要： 本申请提供一种平均插值网络结构及折叠插值模数转换器，该平均插值网络结构包括：2N个电阻匹配子网络以及2N个匹配电阻，各所述电阻匹配子网络和所述匹配电阻首尾相连形成环状电阻网络；其中，每一个所述电阻匹配子网络接入一输入信号，第i个电阻匹配子网络接入的输入信号与第(N+i)个电阻匹配子网络接入的输入信号形成差分信号对，且形成差分信号对的两个电阻匹配子网络输出差分电压，i和N为大于或等于0的整数且i小于或等于N。本申请可在确保版图匹配性的前提下，减少生成的插值信号的幅值和增益受非线性因素的影响，提升模数转换器的性能。

公开(公告)号：CN117908626A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410243404.7

申请日：2024-03-04

申请人： 重庆吉芯科技有限公司

发明人： 梁宇涵 ,  李梁 ,  李婷 ,  张勇 ,  倪亚波 ,  彭嘉豪 ,  汪寿林

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明提供一种带隙基准电路及模拟芯片，带隙基准电路包括正温度系数电流生成模块、基准电压生成模块及使能启动控制模块，在通过正温度系数电流生成模块及基准电压生成模块产生零温度系数的带隙基准电压的基础上，通过正温度系数电流生成模块中的负反馈环路提升输出到基准电压生成模块的第一偏置电压，减小后续基准电压生成模块需要放大的小信号系数，进而有效优化了带隙基准电压的电源抑制比；同时，通过基准电压生成模块内部MOS管的二极管接法，提升了基准电压生成模块的第二偏置电压，进一步优化了带隙基准电压的电源抑制比。如此，无需采用运放，在不过多的增加电路复杂度和能耗的情况下，就能明显改善提升带隙基准电压VBG的电源抑制比。