-
公开(公告)号：CN105790583A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610139323.8
申请日：2016-03-11
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M3/1584 , H02M1/14 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明提供的一种基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流在内的不平衡电流进行抑制，从而保证并联SiC MOSFET的各支路的电流均衡性，并且有效降低各SiC MOSFET器件的开通和关断损耗差异，有效避免不均衡应力的出现，对各SiC MOSFET器件进行有效地保护，延长使用寿命，提升并联器件的电气性能和耐用性。
-
公开(公告)号：CN105450122B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610023621.0
申请日：2016-01-14
Applicant: 重庆大学
IPC: H02P21/12
Abstract: 本发明涉及一种双馈风电机组机侧变流器IGBT器件结温波动抑制方法，包括以下步骤：利用双馈发电机转速、定子电信号、转子电信号，计算机组转差率和定子有功功率；通过附加控制外环的方式，构建基于功率、转速双控制外环的最大功率跟踪控制策略，以机组转差率和定子有功功率大小为依据，判断机组运行状态并选择不同的控制外环对机组实施功率和转速控制，最终实现对机侧变流器IGBT器件结温波动的抑制。该方法可通过附加控制外环的方式直接应用于当前风电机组普遍采用的最大功率跟踪控制策略中，可有效降低现有双馈风电机组机侧变流器在同步转速点附近结温波动，为提高IGBT器件运行可靠性及使用寿命提供技术支撑。
-
公开(公告)号：CN109067230B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811130588.7
申请日：2018-09-27
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M7/5387 , H02M1/38
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法，属于逆变器PWM控制领域，该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域，进行死区消除，具体包含如下步骤：S1：在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母线电压；S2：判断三相逆变器中桥臂电流的方向并确定桥臂电流的过零区域；S3：在桥臂电流非过零区域消除死区，并在桥臂电流过零区域恢复死区。本发明方法通过在线自适应算法计算出过零区域宽度，实现了整个调制周期内死区效应的有效消除，且算法简单，受器件非理想开关特性和负载参数影响较小，无需外加硬件检测电路，有效地节约了开发成本。
-
公开(公告)号：CN107171292B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710565467.4
申请日：2017-07-12
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，属于直流固态断路器技术领域，该装置包含直流固态断路器，还包括电流检测系统、驱动系统、功率半导体固态开关器件、缓冲电路支路和能量吸收支路，缓冲电路支路由压敏电阻构成，用于抑制直流固态断路器关断初期的过电压；能量吸收支路也由压敏电阻构成，用于吸收直流系统寄生电感的能量。通过缓冲电路部分和能量吸收部分的合理配置，可以显著抑制SiC MOSFET直流固态断路器关断初期的过电压。本发明提供的基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，简单有效且能够提高直流固态断路器的可靠性。
-
公开(公告)号：CN107342756A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710703079.8
申请日：2017-08-16
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/161 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，属于SiC驱动技术领域。该装置包含主驱动电路及无源辅助电路，主驱动电路部分由DC-DC变换器单元、光耦隔离芯片单元、驱动芯片单元、驱动电阻单元构成；无源辅助电路部分由正向峰值电压抑制单元和负向峰值电压抑制单元构成。本发明提出了一种在传统驱动电路的基础上，增加三极管串联电容的新型辅助电路改进驱动方法。通过对主驱动电路和无源辅助电路参数的合理设计，实现抑制桥臂串扰的同时缩短开关延时时间，减小开关损耗，降低控制复杂程度的目标。本发明提供的装置，提高了SiC MOSFET桥式变换器工作可靠性与效率，降低了驱动控制成本与复杂程度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105450122A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610023621.0
申请日：2016-01-14
Applicant: 重庆大学
IPC: H02P21/12
Abstract: 本发明涉及一种双馈风电机组机侧变流器IGBT器件结温波动抑制方法，包括以下步骤：利用双馈发电机转速、定子电信号、转子电信号，计算机组转差率和定子有功功率；通过附加控制外环的方式，构建基于功率、转速双控制外环的最大功率跟踪控制策略，以机组转差率和定子有功功率大小为依据，判断机组运行状态并选择不同的控制外环对机组实施功率和转速控制，最终实现对机侧变流器IGBT器件结温波动的抑制。该方法可通过附加控制外环的方式直接应用于当前风电机组普遍采用的最大功率跟踪控制策略中，可有效降低现有双馈风电机组机侧变流器在同步转速点附近结温波动，为提高IGBT器件运行可靠性及使用寿命提供技术支撑。
-
公开(公告)号：CN109067230A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811130588.7
申请日：2018-09-27
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M7/5387 , H02M1/38
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法，属于逆变器PWM控制领域，该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域，进行死区消除，具体包含如下步骤：S1：在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母线电压；S2：判断三相逆变器中桥臂电流的方向并确定桥臂电流的过零区域；S3：在桥臂电流非过零区域消除死区，并在桥臂电流过零区域恢复死区。本发明方法通过在线自适应算法计算出过零区域宽度，实现了整个调制周期内死区效应的有效消除，且算法简单，受器件非理想开关特性和负载参数影响较小，无需外加硬件检测电路，有效地节约了开发成本。
-
公开(公告)号：CN105790583B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610139323.8
申请日：2016-03-11
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: Y02B70/1483
Abstract: 本发明提供的一种基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流在内的不平衡电流进行抑制，从而保证并联SiC MOSFET的各支路的电流均衡性，并且有效降低各SiC MOSFET器件的开通和关断损耗差异，有效避免不均衡应力的出现，对各SiC MOSFET器件进行有效地保护，延长使用寿命，提升并联器件的电气性能和耐用性。
-
公开(公告)号：CN107317571A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710533345.7
申请日：2017-07-03
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/0814 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/08142 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统及控制方法，属于固态直流断路器领域。所述SiC MOSFET驱动系统包括直流电流检测模块，用于检测固态断路器所在主电路的故障电流，以使得驱动系统能检测到直流系统发生的短路故障；驱动电路模块，用于提供固态直流断路器主开关元件SiC MOSFET的开通正电压、关断负电压以及不同的阻抗通路，使得驱动系统能自动适应固态直流断路器不同的工作状态；控制电路模块，与驱动电路模块匹配使用，通过对固态直流断路器不同工作状态的判断，发出不同的控制信号，以决定SiC MOSFET开通和关断动作以及对应的阻抗通路。本发明提高了基于SiC MOSFET全固态直流断路器的可靠性。
-
公开(公告)号：CN107171292A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710565467.4
申请日：2017-07-12
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，属于直流固态断路器技术领域，该装置包含直流固态断路器，还包括电流检测系统、驱动系统、功率半导体固态开关器件、缓冲电路支路和能量吸收支路，缓冲电路支路由压敏电阻构成，用于抑制直流固态断路器关断初期的过电压；能量吸收支路也由压敏电阻构成，用于吸收直流系统寄生电感的能量。通过缓冲电路部分和能量吸收部分的合理配置，可以显著抑制SiC MOSFET直流固态断路器关断初期的过电压。本发明提供的基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，简单有效且能够提高直流固态断路器的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.026 seconds)
