公开(公告)号：CN101162751A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710092912.6

申请日：2007-10-30

申请人： 重庆大学

发明人： 方亮 ,  张淑芳 ,  彭丽萍 ,  董建新 ,  刘高斌

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00

摘要： 本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极，它通过采用CIO透明导电薄膜结构，使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15％以上，可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率，或应用于GaN基光电探测器上提高其响应度，具有极高的产业利用价值。本发明还公开了上述透明电极的制备方法，该方法解决了CIO透明导电薄膜在P型GaN上难于获得欧姆接触的问题。

公开(公告)号：CN100505350C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710092912.6

申请日：2007-10-30

申请人： 重庆大学

发明人： 方亮 ,  张淑芳 ,  彭丽萍 ,  董建新 ,  刘高斌

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00

摘要： 本发明公开了一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其工艺步骤为：1)在P型GaN上以物理气相沉积方式，沉积第一导电层；第一导电层厚度范围2到100埃；2)在第一导电层上以物理气相沉积方式，沉积CdIn2O4透明导电薄膜；3)进行合金化热处理；在步骤1)之后，还可以再沉积一热稳定金属薄膜所构成的第二导电层。本发明的有益技术效果是：该方法解决了CdIn2O4透明导电薄膜在P型GaN上难于获得欧姆接触的问题。