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公开(公告)号：CN118925667A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411149828.3
申请日：2024-08-21
申请人： 重庆大学 , 重庆大学溧阳智慧城市研究院
摘要： 本发明公开了一种MXenes材料吸附核素离子性能的优化方法及MXenes吸附剂，该优化方法包括：制作MXenes溶液；对所得MXenes溶液进行碱化处理，调节使MXenes溶液中的羟基官能团(‑OH)含量占其溶质质量的5％～30％；对碱化处理后的MXenes溶液进行洗涤、离心提纯，得到MXenes吸附剂。本发明所提供的优化方法简单可行、易于操作实施，制作出的MXenes吸附剂中的羟基官能团(‑OH)含量非常高，对核素离子具有优异的吸附性能。
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公开(公告)号：CN118197961A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410333976.4
申请日：2024-03-22
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了一种用于PAN型刻蚀液湿法刻蚀的抑菌水洗干燥装置；所述抑菌水洗干燥装置包括依次连接的第一水洗区间、第二水洗区间和风干区间；所述抑菌水洗干燥装置还包括抑菌循环系统，所述抑菌循环系统包括抑菌循环管和抑菌循环泵，所述抑菌循环管上缠绕有超导螺线圈；所述水箱上还设有振荡腔，所述振荡腔内设有压电换能器，所述振荡腔的一面连接抑菌循环管，所述振荡腔相对的另一面形成倒V字型凹陷并且连接文杜里管，所述文杜里管的出口连接矢量喷管，所述矢量喷管设置在水箱内；所述风干区间的入口处设有气帘风刀，所述气帘风刀用于沿着竖直方向吹气形成气帘，防止第二水洗区间的水汽进入风干区间。本发明解决了水洗干燥装置中的细菌问题。
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公开(公告)号：CN114695207A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210326399.7
申请日：2022-03-30
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种带有等离子体清洗的湿法刻蚀装置，所述湿法刻蚀装置包括等离子体清洗腔和刻蚀腔；所述湿法刻蚀装置还包括涡流管、冷却风刀Ⅰ、冷却风刀Ⅱ、加热风刀Ⅰ和加热风刀Ⅱ；所述涡流管的冷气管分别与冷却风刀Ⅰ和冷却风刀Ⅱ连通，所述涡流管的热气管分别与加热风刀Ⅰ和加热风刀Ⅱ连通。本发明通过引入涡流管形成特殊的气路装置，该装置可以将气体分离成冷气体和热气体，冷气体对基板和等离子体清洗腔进行降温，避免高压等离子体对Al、Cu、ITO等膜层的损伤，又可以充分去除有机物避免刻蚀残留，还能抑制挥发出的刻蚀蒸汽对膜层的腐蚀，防止线宽偏小的问题。同时，该装置分离出的热气体可以确保刻蚀腔室温度分布均匀，提升刻蚀均一性。
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公开(公告)号：CN115105858B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210710320.0
申请日：2022-06-22
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了一种ITO刻蚀液结晶抑制装置；所述ITO刻蚀液结晶抑制装置包括离子吸附循环系统和结晶物去除循环系统；所述离子吸附循环系统包括离子吸附管道、第一加热装置和离子吸附装置；所述结晶物去除循环系统包括结晶物去除管道、冷却装置、离心过滤机和第二加热装置。本发明能够有效的使ITO刻蚀液中的金属离子浓度保持低水平，并且高效的去除ITO刻蚀液中的结晶物。
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公开(公告)号：CN115094424A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210711514.2
申请日：2022-06-22
申请人： 重庆大学
IPC分类号： C23F1/46
摘要： 本发明公开了一种Cu刻蚀液结晶抑制装置；所述Cu刻蚀液结晶抑制装置包括离子去除循环管道、冷却装置、离心过滤机和离子吸附装置，所述离子去除循环管道与刻蚀液槽连接并且用于将刻蚀液从刻蚀液槽引出处理后送回刻蚀液槽，所述冷却装置用于冷却刻蚀液，所述离心过滤机用于离心分离刻蚀液中的结晶物，所述离子吸附装置用于吸附刻蚀液中的金属离子，所述冷却装置、离心过滤机和离子吸附装置沿刻蚀液流向依次设置在离子去除循环管道上。本发明能够有效的使Cu刻蚀液中的金属离子浓度保持低水平，并且高效的去除Cu刻蚀液中的结晶物。
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公开(公告)号：CN114688832A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210324887.4
申请日：2022-03-30
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了一种湿法刻蚀的水洗干燥装置；所述水洗干燥装置包括水洗腔和风干腔；所述水洗腔用于容纳并冲洗基板，所述风干腔用于容纳并风干基板，所述水洗腔与风干腔连通；所述水洗腔的入口处设有向基板表面吹气的气帘风刀，所述气帘风刀与气帘供气管连通；所述风干腔内设有向基板表面吹气的干燥风刀，所述干燥风刀与干燥供气管连通；所述水洗干燥装置还包括涡流管，所述涡流管的冷气管与气帘供气管连通，所述涡流管的热气管与干燥供气管连通。本发明既能避免水渍残留造成的缺陷，又规避高气流量下紊流造成的尘埃型缺陷，还同时提升刻蚀均一性。
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公开(公告)号：CN114613704A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210338727.5
申请日：2022-03-30
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置包括刻蚀腔、刻蚀液槽、喷淋装置、刻蚀液管理系统；所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基板，所述刻蚀液槽用于储存刻蚀液，所述喷淋装置用于将刻蚀液槽内的刻蚀液喷入刻蚀腔内，所述刻蚀液槽与刻蚀腔底部连通，所述刻蚀液管理系统用于向刻蚀液中补充原料；所述刻蚀腔上设有主排气管，所述主排气管上设有排气泵；所述刻蚀液槽内设有微波发生器，所述微波发生器用于加热刻蚀液，所述刻蚀液槽上设有附加排气管，所述附加排气管与主排气管连通。本发明能够使酸液浓度回升或者保持稳定，保持刻蚀液刻蚀速率稳定，避免刻蚀残留。
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公开(公告)号：CN112254851A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011106382.8
申请日：2020-10-16
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了一种高性能的Alk‑Ti3C2/PDMS柔性压阻传感器的制备方法，包括以下步骤，首先制备柔性基底结构化的PDMS柔性薄膜，然后合成导电材料二维MXene片(Ti3C2Tx)和3D褶皱状的Alk‑Ti3C2，再制备Alk‑Ti3C2/PDMS导电薄膜，最后通过胶水将Alk Ti3C2/PDMS导电薄膜与柔性叉指电极组装在一起得到柔性压阻传感器。本发明通过以砂布为模板，有效的得到了结构化的PDMS薄膜，扩宽了传感器的压力范围；本发明利用NaOH对二维材料Ti3C2Tx进行结构优化，有效地阻止了材料的堆叠现象，得到了独特的褶皱状结构，提高了传感器的灵敏度；本发明提供的制备方法简单可行，易于操作，拓宽了Ti3AlC2陶瓷材料纳米材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN100505350C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710092912.6
申请日：2007-10-30
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其工艺步骤为：1)在P型GaN上以物理气相沉积方式，沉积第一导电层；第一导电层厚度范围2到100埃；2)在第一导电层上以物理气相沉积方式，沉积CdIn2O4透明导电薄膜；3)进行合金化热处理；在步骤1)之后，还可以再沉积一热稳定金属薄膜所构成的第二导电层。本发明的有益技术效果是：该方法解决了CdIn2O4透明导电薄膜在P型GaN上难于获得欧姆接触的问题。
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公开(公告)号：CN117153723A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311113227.2
申请日：2023-08-31
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306 , B05D3/06
摘要： 本发明公开了一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置按照基板的传输方向依次设有干区间、刻蚀区间、缓冲区间、水洗区间和风干区间；所述刻蚀区间内设有第一磁铁装置，所述缓冲区间内还设有第二磁铁装置，所述湿法刻蚀装置还包括涡流管，所述缓冲区间内还设有热风口和第一排气口，所述缓冲风刀的外形设置成弧形，缓冲风刀的斜上方设有热气管，热气管的喷嘴正对缓冲风刀，所述涡流管的热气支管分别与热风口和热气管连通；所述湿法刻蚀装置还包括冷却装置，所述涡流管的冷气支管与冷却装置连通。本发明能够有效地避免Mo/Al、Mo/Al/Mo刻蚀制程中的顶Mo缩进问题，避免显示污渍等品质问题，确保产品品质和良率。
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