公开(公告)号：CN119859055A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411946757.X

申请日：2024-12-27

Applicant: 重庆大学

Inventor： 赵学童 ,  王祺 ,  康晟淋 ,  侯欣源 ,  李玉晨 ,  王江林 ,  杨丽君 ,  成立 ,  廖瑞金

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01C7/112 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明公开了一种基于热处理辅助冷烧结的ZnO基压敏陶瓷制备方法，包括用去离子水与柠檬酸配制柠檬酸溶液；将初始ZnO粉体与金属氧化物掺杂剂混合以构成前驱粉体，再将前驱粉体与柠檬酸溶液混合，研磨分散后得到混合浆料；将混合浆料放入钢制模具中，施压，进行冷烧结；将冷烧结后的样品进行热处理，最终得到高性能ZnO基压敏陶瓷。本发明在≤950℃的条件下制备出相对密度高达99％的陶瓷，所制备的陶瓷还具备高达92的优异非线性系数，以及1600V/mm超高击穿强度，远超固相法所制备的ZnO基压敏电阻。相比传统高温烧结工艺，本发明不仅降低了烧结温度，节约了能源，并能显著提升电学性能。