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公开(公告)号:CN108219663A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810016494.0
申请日:2018-01-08
申请人: 重庆大学
IPC分类号: C09D175/14 , C09D5/32 , C09D5/30 , C09D7/61
摘要: 本发明提供一种含核壳型吸波颗粒的电控智能吸波涂层材料,所述吸波涂层材料的原料按质量百分比包括如下组分:多元醇14%‑75%、核壳型吸波颗粒22%‑80%、二异氰酸酯1%‑6.5%、稳定剂0.1%‑0.3%,以上各原料组分总量为100%。本发明通过各原料组分的相互作用、相互配合,配合合理的制备方法,制备出能够通过电场实现高效调控吸收频率、带宽与强度的电控智能吸波涂层材料,能根据隐身需求,实现吸收频段的移动与吸收强度的改变,不仅可用于民用电子设备,还可以用于军事领域。
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公开(公告)号:CN106098564A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610442110.2
申请日:2016-06-17
申请人: 重庆大学
IPC分类号: H01L21/48 , H01L23/373
CPC分类号: H01L23/373 , H01L21/4871 , H01L23/3736
摘要: 本发明公开了一种用SiC作为基片的大功率半导体封装构造,包括基板和用SiC作为基片的芯片,所述芯片与基板之间设置有金属泡沫层;将金属泡沫层设置于芯片与基板之间,避免芯片与基板之间接触不紧密而造成接触间隙不利于芯片散热,利用金属泡沫层的弹性形变,使得金属泡沫层与芯片与基板充分接触,保证芯片的散热性能好,同时金属泡沫层能够避免因芯片受到压应力而产生微裂纹,保证芯片使用寿命长且性能稳定,并且整体结构简单,封装方便,大大提高工作效率;同时设置散热填料,形成泡沫金属为主要散热,而散热填料为次要散热的结构,保证形成流畅的散热流。
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公开(公告)号:CN110804302A
公开(公告)日:2020-02-18
申请号:CN201911122664.4
申请日:2019-11-15
申请人: 重庆大学
摘要: 本发明公开了一种连续可控的尖锥阵列吸波材料及其制备方法,该吸波材料具有在磁力作用下平面与尖锥阵列结构之间可重复转换的空间三维尖锥阵列结构;制备尖锥阵列吸波材料的原料按质量百分比包括以下组分:多元醇14-75%、磁性吸波颗粒22-80%、二异氰酸酯1-6.5%,以上各原料组分总量为100%;吸波材料的结构在磁力作用下可在平面与尖锥阵列结构之间重复转换,从而带来吸波频谱的连续可控,通过改变磁场的方向与强度、磁流变胶的粘度等调控尖锥阵列的具体尺寸与数量,进而改变吸波阵列材料吸收性能。
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公开(公告)号:CN108219663B
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201810016494.0
申请日:2018-01-08
申请人: 重庆大学
IPC分类号: C09D175/14 , C09D5/32 , C09D5/30 , C09D7/61
摘要: 本发明提供一种含核壳型吸波颗粒的电控智能吸波涂层材料,所述吸波涂层材料的原料按质量百分比包括如下组分:多元醇14%‑75%、核壳型吸波颗粒22%‑80%、二异氰酸酯1%‑6.5%、稳定剂0.1%‑0.3%,以上各原料组分总量为100%。本发明通过各原料组分的相互作用、相互配合,配合合理的制备方法,制备出能够通过电场实现高效调控吸收频率、带宽与强度的电控智能吸波涂层材料,能根据隐身需求,实现吸收频段的移动与吸收强度的改变,不仅可用于民用电子设备,还可以用于军事领域。
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