公开(公告)号：CN111293218A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010129597.5

申请日：2020-02-28

申请人： 重庆大学

发明人： 唐孝生 ,  曾凡菊 ,  谭永前 ,  胡伟 ,  张小梅

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明涉及一种基于铯铜碘钙钛矿薄膜的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器件技术领域。该阻变存储器由下往上依次由底电极、Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极层叠组成。制备该阻变存储器时，首先对底电极进行预处理，然后依次制备Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极。该阻变存储器不含铅元素，绿色低毒，且具有双极性阻变性能，开关比～30，具有良好的重复性和稳定性，操作电压低于±1V。该阻变存储器制备方法简单，易操作，且绿色环保，适合扩大化生产。

公开(公告)号：CN111293218B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202010129597.5

申请日：2020-02-28

申请人： 重庆大学

发明人： 唐孝生 ,  曾凡菊 ,  谭永前 ,  胡伟 ,  张小梅

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明涉及一种基于铯铜碘钙钛矿薄膜的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器件技术领域。该阻变存储器由下往上依次由底电极、Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极层叠组成。制备该阻变存储器时，首先对底电极进行预处理，然后依次制备Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极。该阻变存储器不含铅元素，绿色低毒，且具有双极性阻变性能，开关比～30，具有良好的重复性和稳定性，操作电压低于±1V。该阻变存储器制备方法简单，易操作，且绿色环保，适合扩大化生产。