一种光学直流强电场测量系统及方法

    公开(公告)号:CN110596471B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201910882149.X

    申请日:2019-09-18

    IPC分类号: G01R29/12

    摘要: 本发明公开了一种光学直流强电场测量系统,其特征在于:包括依次连接的激光光源、直流电场传感器和光电探测器,还包括信号显示与处理系统,所述信号显示与处理系统与所述直流电场传感器和光电探测器均连接。本发明使用旋转屏蔽片对外部直流电场进行斩波调制,解决了电光晶体不能直接测量直流电场的问题;使用电光晶体对电场信号进行测量,其测量精度高,测量范围大,实现5‑100kV/m的直流强电场的准确测量;采用光纤进行信号的传输,实现传输系统的光电隔离,传感器具有较强的抗电磁干扰能力,可适用于电磁环境较为复杂的场合;传感器可进一步用于交直流混合电场测量。

    一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110018428B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201910357331.3

    申请日:2019-04-29

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R33/00

    摘要: 本发明公开了一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器,包括硅衬底、二氧化硅层、直波导、环形波导以及磁光薄膜。通过在磁光薄膜外施加外磁场,改变磁光材料的介电常数,使得所述基于硅基微环谐振器的磁场传感器的输出谐振峰发生漂移,实现磁场测量。具有稳定性高、尺寸微型化、抗电磁干扰能力强、制作成本低的特点。

    基于磁热效应的磁场测量方法、磁场传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN110456288B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201910739806.5

    申请日:2019-08-12

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R33/02

    摘要: 本发明公开了基于磁热效应的磁场测量方法,主要在于利用四氧化三铁纳米粒子在交变磁场中吸收磁能而产生热量,改变波导的总的有效折射率,使得所述基于磁热效应的硅基微环磁场传感器的输出谐振峰发生漂移,实现磁场测量,该方法具有提高了磁场测量范围的优点,同时提出了基于该方法的磁场传感器,利用其高品质因数与磁性纳米粒子的磁热效应的优势,减小了传统磁场传感器的尺寸,并对磁场传感器的集成化、智能化、微型化打下了坚实的基础,同时结构简单,通过优化传感器尺寸设计以及磁性纳米粒子的性质,可以改变传感器的灵敏度,灵活适用于各种场景之下,同时提供了基于磁场传感器的制备方法,具有提高了制造效率的优点。

    基于磁热效应的磁场测量方法、磁场传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN110456288A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910739806.5

    申请日:2019-08-12

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R33/02

    摘要: 本发明公开了基于磁热效应的磁场测量方法,主要在于利用四氧化三铁纳米粒子在交变磁场中吸收磁能而产生热量,改变波导的总的有效折射率,使得所述基于磁热效应的硅基微环磁场传感器的输出谐振峰发生漂移,实现磁场测量,该方法具有提高了磁场测量范围的优点,同时提出了基于该方法的磁场传感器,利用其高品质因数与磁性纳米粒子的磁热效应的优势,减小了传统磁场传感器的尺寸,并对磁场传感器的集成化、智能化、微型化打下了坚实的基础,同时结构简单,通过优化传感器尺寸设计以及磁性纳米粒子的性质,可以改变传感器的灵敏度,灵活适用于各种场景之下,同时提供了基于磁场传感器的制备方法,具有提高了制造效率的优点。

    一种光学直流强电场测量系统及方法

    公开(公告)号:CN110596471A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910882149.X

    申请日:2019-09-18

    IPC分类号: G01R29/12

    摘要: 本发明公开了一种光学直流强电场测量系统,其特征在于:包括依次连接的激光光源、直流电场传感器和光电探测器,还包括信号显示与处理系统,所述信号显示与处理系统与所述直流电场传感器和光电探测器均连接。本发明使用旋转屏蔽片对外部直流电场进行斩波调制,解决了电光晶体不能直接测量直流电场的问题;使用电光晶体对电场信号进行测量,其测量精度高,测量范围大,实现5-100kV/m的直流强电场的准确测量;采用光纤进行信号的传输,实现传输系统的光电隔离,传感器具有较强的抗电磁干扰能力,可适用于电磁环境较为复杂的场合;传感器可进一步用于交直流混合电场测量。

    一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110018428A

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201910357331.3

    申请日:2019-04-29

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R33/00

    摘要: 本发明公开了一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器,包括硅衬底、二氧化硅层、直波导、环形波导以及磁光薄膜。通过在磁光薄膜外施加外磁场,改变磁光材料的介电常数,使得所述基于硅基微环谐振器的磁场传感器的输出谐振峰发生漂移,实现磁场测量。具有稳定性高、尺寸微型化、抗电磁干扰能力强、制作成本低的特点。