一种分布式全光电压测量系统及其测量方法

    公开(公告)号:CN108196107A

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201711461703.4

    申请日:2017-12-28

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R19/00 G08C23/06

    摘要: 本发明公开了一种分布式全光电压测量系统及其测量方法,具有无源性,抗电磁干扰能力强、响应频带较宽、工频响应好的特点。所述系统包括宽带激光光源、光放大器、光环形器、传输光纤、电压传感器系统、分光器、择光系统、光电转换系统和末端信号显示处理系统,所述宽带激光光源输出一定波长范围内的激光,利用光放大器对光源功率进行放大,通过传输光纤将放大后的光信号送入传感系统各个传感器输入端,各个传感器返回光信号通过择光系统进行筛选,有电压变化的传感器返回光信号发生变化,并通过择光系统相应通道输出,光电探测器将输出光强信号转换为电压信号,通过末端信号显示处理系统,获得此路所测外加电压数值。

    基于微环耦合马赫曾德尔结构的电压测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN112924741B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202110099932.6

    申请日:2021-01-25

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R19/00 G01R15/24

    摘要: 本发明公开了一种基于微环耦合马赫曾德尔结构的电压测量系统,包括:自下而上依次键合的硅衬底层、二氧化硅层和顶硅层,顶硅层包括输入波导、Y型分束器、耦合的第一环形波导和第一直波导、耦合的第二环形波导和第二直波导、Y型耦合器和输出波导;以及覆盖在第一环形波导上的电光聚合物薄膜,电光聚合物薄膜的有效折射率在被测电压作用下发生改变时,第一环形波导的有效折射率相应发生改变,使第一直波导和第二直波导的输出光之间产生相位差,实现对被测电压的测量。本发明还公开了一种基于微环耦合马赫曾德尔结构的电压测量系统的测量方法。本发明利用电光聚合物的电光性能和微环马赫曾德尔结构的谐振特性,基于电光效应实现电压实时感知测量。

    一种光学直流强电场测量系统及方法

    公开(公告)号:CN110596471B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201910882149.X

    申请日:2019-09-18

    IPC分类号: G01R29/12

    摘要: 本发明公开了一种光学直流强电场测量系统,其特征在于:包括依次连接的激光光源、直流电场传感器和光电探测器,还包括信号显示与处理系统,所述信号显示与处理系统与所述直流电场传感器和光电探测器均连接。本发明使用旋转屏蔽片对外部直流电场进行斩波调制,解决了电光晶体不能直接测量直流电场的问题;使用电光晶体对电场信号进行测量,其测量精度高,测量范围大,实现5‑100kV/m的直流强电场的准确测量;采用光纤进行信号的传输,实现传输系统的光电隔离,传感器具有较强的抗电磁干扰能力,可适用于电磁环境较为复杂的场合;传感器可进一步用于交直流混合电场测量。

    一种分布式线路故障检测与定位系统及方法

    公开(公告)号:CN112363021A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN202011266836.8

    申请日:2020-11-13

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R31/08 G01R31/12 G01S5/06

    摘要: 本发明公开了一种分布式线路故障检测与定位系统,多个站点分别安装所述系统,其中,所述系统包括:信号采集模块,用于采集待检测区域内线路产生电弧故障所产生的电磁辐射信号;信号分析模块,用于分析采集到的电磁辐射信号的频谱特征,提取特征参数,并将提取出的特征参数分别与预设特征阈值进行比较,判断线路是否发生电弧故障;故障定位模块,用于当判断线路发生电弧故障时,基于到达时间差定位原理确定发生电弧故障的位置。本发明公开了一种分布式线路故障检测与定位方法。本发明能够利用电弧故障产生的电磁辐射信号有效地检测电弧故障,并实现对故障的精确定位。

    一种分布式线路故障检测与定位系统及方法

    公开(公告)号:CN112363021B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202011266836.8

    申请日:2020-11-13

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R31/08 G01R31/12 G01S5/06

    摘要: 本发明公开了一种分布式线路故障检测与定位系统,多个站点分别安装所述系统,其中,所述系统包括:信号采集模块,用于采集待检测区域内线路产生电弧故障所产生的电磁辐射信号;信号分析模块,用于分析采集到的电磁辐射信号的频谱特征,提取特征参数,并将提取出的特征参数分别与预设特征阈值进行比较,判断线路是否发生电弧故障;故障定位模块,用于当判断线路发生电弧故障时,基于到达时间差定位原理确定发生电弧故障的位置。本发明公开了一种分布式线路故障检测与定位方法。本发明能够利用电弧故障产生的电磁辐射信号有效地检测电弧故障,并实现对故障的精确定位。

    一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110018428B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201910357331.3

    申请日:2019-04-29

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R33/00

    摘要: 本发明公开了一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器,包括硅衬底、二氧化硅层、直波导、环形波导以及磁光薄膜。通过在磁光薄膜外施加外磁场,改变磁光材料的介电常数,使得所述基于硅基微环谐振器的磁场传感器的输出谐振峰发生漂移,实现磁场测量。具有稳定性高、尺寸微型化、抗电磁干扰能力强、制作成本低的特点。

    基于逆压电效应和光纤光栅的全光路电压测量系统及方法

    公开(公告)号:CN106841748B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201710062744.X

    申请日:2017-01-24

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 本发明公开了一种基于逆压电效应和光纤光栅的全光路电压测量系统,包括宽带激光光源、电压传感器参考单元、电压传感器传感单元、传输光纤、光电探测器和末端信号显示处理系统;激光通过传输光纤将光信号送入电压传感器参考单元的输入端,电压传感器参考单元的输入端与电压传感器传感单元连接;电压传感器传感单元上设置有外加电压;电压传感器传感单元输出携带待测电压信号信息的光强信号;所述光强信号输入到光电探测器中;光电探测器将输出的光强信号转换为电压信号,电压信号通过末端信号显示处理系统生成所测外加电压数值。本发明提供的电压测量系统及方法,具有无源性,抗电磁干扰能力强、响应频带较宽、工频响应好的特点。

    基于逆压电效应和光纤光栅的全光路电压测量系统及方法

    公开(公告)号:CN106841748A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710062744.X

    申请日:2017-01-24

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R19/00

    CPC分类号: G01R19/0046

    摘要: 本发明公开了一种基于逆压电效应和光纤光栅的全光路电压测量系统,包括宽带激光光源、电压传感器参考单元、电压传感器传感单元、传输光纤、光电探测器和末端信号显示处理系统;激光通过传输光纤将光信号送入电压传感器参考单元的输入端,电压传感器参考单元的输入端与电压传感器传感单元连接;电压传感器传感单元上设置有外加电压;电压传感器传感单元输出携带待测电压信号信息的光强信号;所述光强信号输入到光电探测器中;光电探测器将输出的光强信号转换为电压信号,电压信号通过末端信号显示处理系统生成所测外加电压数值。本发明提供的电压测量系统及方法,具有无源性,抗电磁干扰能力强、响应频带较宽、工频响应好的特点。

    基于狭缝跑道型微环的硅基波导电场传感芯片及测量方法

    公开(公告)号:CN115508627A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211173038.X

    申请日:2022-09-26

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R29/12

    摘要: 本发明实施例公开了一种基于狭缝跑道型微环的硅基波导电场传感芯片及测量方法,芯片包括:自下而上设置的硅衬底层、埋氧层和硅刻蚀层,硅刻蚀层包括干涉结构和微环结构;干涉结构包括马赫曾德尔型调制波导和位于马赫曾德尔型调制波导输入和输出两侧的耦合光栅波导,光刻胶覆盖于马赫曾德尔型调制波导上;微环结构包括从外向内设置的跑道型微环外环波导和跑道型微环内环波导,两个波导之间具有狭缝,电光聚合物薄膜覆盖于微环结构上且将狭缝填充;马赫曾德尔型调制波导的一侧调制臂与跑道型微环外环波导的部分重叠。本发明通过优化微环结构和引入狭缝聚合物波导,解决了输出功率小,耦合不到位的问题,有效提升了传感芯片的线性度与灵敏度。

    一种基于压电驱动的场磨式MEMS电场传感器

    公开(公告)号:CN114778958A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210252347.X

    申请日:2022-03-15

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明公开了一种基于压电驱动的场磨式MEMS电场传感器,包括SOI衬底,所述SOI衬底上设有L型弹性梁、屏蔽电极和压电驱动结构,所述屏蔽电极通过所述L型弹性梁与所述压电驱动结构连接,将压电驱动结构的垂直位移转为屏蔽电极扭转或垂直位移;所述压电驱动结构控制电传感器的调制模态:当两侧压电驱动结构施加电压相位差180°时,电场处于扭转振动调制模态,当两侧电压驱动结构施加电压相位相等时,电场处于活塞振动调制模态。本发明具有扭转调制模式和活塞调制模式两种工作模态,微结构谐振频率高可实现电场高频调制。本发明的传感器采用先进压电驱动方式和结构,具有功耗低、灵敏度高和振动模式可控的优点。