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公开(公告)号：CN104316754A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410629840.4
申请日：2014-11-06
申请人： 重庆大学 , 国家电网公司 , 国网重庆市电力公司长寿供电分公司
IPC分类号： G01R19/17
摘要： 本发明公开了一种雷电计数器远程监测预警系统和方法，包括：计数器机械传动机构、红外光电传感器、微处理器单元、通信组件、供电电源；所述计数器机械传动机构连接红外光电传感器、所述红外光电传感器信号输出端连接微处理器单元信号输入端，所述微处理器单元信号输出端连接通信组件，所述供电电源高电压输出端分别连接微处理器单元电源输入端和通信组件电源输入端，所述供电电源低电压输出端连接红外光电传感器电源输入端，所述微处理器单元存储接收的雷电数量信息，将雷电数量信息通过GSM网络发送至监测终端。监测终端包括手机和监测主机。监测主机对接受的雷电数量信息进行处理，对未来雷电数量进行预测。
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公开(公告)号：CN109975352A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910312817.5
申请日：2019-04-18
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明公开基于热阻的缺陷检测装置，包括被测工件，显示器，热探头、散热器基座、散热器、处理器、信号发生器、辐射测温仪以及示波器；其中，所述热探头，用于散发热量，且在所述被测工件上进行移动，并将热量传输到所述被测工件；所述散热器上安装有所述散热器基座，所述散热器基座上安装有所述被测工件，所述被测工件接收的热量通过所述散热器散发到外部空间；所述辐射测温仪，用于对所述散热器散发的热量进行温度数据采集，并将温度数据传输到所述处理器；所述处理器用于对所述被测工件的热阻进行计算，并将计算结果传输到所述显示器以显示热阻分布图像。
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公开(公告)号：CN109975352B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910312817.5
申请日：2019-04-18
申请人： 重庆大学
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明公开基于热阻的缺陷检测装置，包括被测工件，显示器，热探头、散热器基座、散热器、处理器、信号发生器、辐射测温仪以及示波器；其中，所述热探头，用于散发热量，且在所述被测工件上进行移动，并将热量传输到所述被测工件；所述散热器上安装有所述散热器基座，所述散热器基座上安装有所述被测工件，所述被测工件接收的热量通过所述散热器散发到外部空间；所述辐射测温仪，用于对所述散热器散发的热量进行温度数据采集，并将温度数据传输到所述处理器；所述处理器用于对所述被测工件的热阻进行计算，并将计算结果传输到所述显示器以显示热阻分布图像。
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公开(公告)号：CN209471963U
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201920526152.3
申请日：2019-04-18
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/492
摘要： 本实用新型公开了一种具有新型栅极连接结构的功率模块。所述功率模块包括正极金属片、负极金属片、输出金属片、第一MOSFET芯片、第一二极管芯片、栅极连接结构、第二MOSFET芯片、第二二极管芯片；栅极连接结构材质由导电材质制成；所述功率模块将功率电路和栅极控制电路完全分开，减少了功率电路和栅极控制电路间的相互影响。
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公开(公告)号：CN209607736U
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201920432847.5
申请日：2019-04-01
申请人： 重庆大学
摘要： 本实用新型公开了一种插层DBC功率模块，所述插层DBC功率模块，包括第一DBC板、第二DBC板、第三DBC板、第一二极管芯片、第一功率器件芯片、第二功率器件芯片、第二二极管芯片、芯片焊料层、下半桥栅极输入端子、上半桥栅极输入端子、半桥电路负极端子以及半桥电路正极端子；第一DBC板、第二DBC板和第三DBC板均包括第一金属层、陶瓷层以及第二金属层；第二DBC板陶瓷层设置有多个沿高度方向的通孔，所述通孔填充有金属材料，所述填充的金属材料用于连接第一功率器件芯片的源极和第二二极管芯片的负极，以及连接二功率器件芯片的漏极和第一二极管芯片的正极。
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公开(公告)号：CN210092064U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201920363183.1
申请日：2019-03-21
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/473 , H01L25/18
摘要： 本实用新型公开了一种立式结构的功率模块，包括第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第一散热块、第二散热块、第三散热块、第一DBC金属绝缘层、第二DBC金属绝缘层、第一散热器以及第二散热器；第一散热块、第二散热块与第三散热块间隔设置；第一芯片和第三芯片沿长度方向设置于第一散热块与第二散热块之间的间隙内，第二芯片和第四芯片沿长度方向设置于第二散热块与第三散热块之间的间隙内，第一芯片和第二芯片的位置相对应，第三芯片和第四芯片的位置相对应，第一芯片和第二芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片，第三芯片和第四芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片。通过采用立式封装、大体积散热块和多个散热器，提高了散热效率。
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