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公开(公告)号：CN107356189B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710543488.6
申请日：2017-07-05
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G01B7/02
摘要： 本发明公开了一种时栅直线位移传感器，包括定尺和动尺，定尺由导磁的定尺基体和设置在定尺基体上的励磁单元组成，励磁单元包括绝缘层和励磁线圈层，励磁线圈层由两个励磁线圈线阵构成，励磁线圈线阵由m个相同的导线组沿测量方向依次串联排列构成，导线组内的正向、反向导线单元都由n根直线导线段按照一定规则并联构成；动尺由导磁的动尺基体和设置在动尺基体上的感应单元组成，感应单元包括绝缘层和感应线圈层，感应线圈层由满足一定布线规则的矩形线圈构成。该传感器能在保证高分辨力的情况下，简化传感器结构、使传感器易于产品化。
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公开(公告)号：CN106767386A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710161525.7
申请日：2017-03-17
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G01B7/30
CPC分类号： G01B7/30
摘要： 本发明公开了一种绝对式时栅角位移传感器，包括定子、转子、信号调理电路、鉴相电路和微处理器，转子为布有激励线圈和感应线圈的环形印制电路板，定子为环形导磁体；激励线圈包括正弦激励线圈和余弦激励线圈，感应线圈由相同且独立工作的8个扇环形感应线圈组成；环形导磁体按照一定规则开设有扇环形通槽；正、余弦激励线圈中分别通入两相对称激励电流，8个扇环形感应线圈中产生的感应信号将发生周期性变化，8个感应信号与激励信号经调理后送入鉴相电路进行鉴相处理，相位差由高频时钟脉冲插补，再经微处理器运算、处理后，得到转子的绝对位移值。该传感器能避免出现激励磁场互相耦合问题，实现高精度的绝对位移测量，同时降低成本。
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公开(公告)号：CN109029514B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810771522.X
申请日：2018-07-13
申请人： 重庆理工大学
摘要： 本发明公开了一种单码道绝对式时栅角位移测量系统，包括发光元件、动盘基体、定盘基体、光电探测器和信号处理电路，动盘基体上设有N个全透光栅面和N+1个半透光栅面，定盘基体的圆周被均分为6个透光调制区，相邻两个透光调制区内各设有四个第一双余弦透光面和四个第二双余弦透光面，光电探测器包括6组光电测头；动盘基体相对定盘基体转动，6组光电测头输出的光电流信号合成6个电行波信号，对其中3个电行波信号的幅值进行编码，根据编码值选取相应的2个电行波信号比相，并转换得粗码值，所述2个电行波信号中的任意一个与参考信号比相，并转换得精码值，精码值加粗码值得到绝对角位移值。本发明能实现精密角位移的绝对式测量，降低编码难度。
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公开(公告)号：CN106940197B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201710161522.3
申请日：2017-03-17
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G01D5/249
摘要： 本发明公开了一种绝对式时栅直线位移传感器，包括定子、动子、信号调理电路、鉴相电路和微处理器，动子为布有激励线圈和感应线圈的印制电路板；激励线圈包括正弦激励线圈和余弦激励线圈，感应线圈由相同且独立工作的8个矩形感应线圈组成；定子为导磁体，导磁体与动子相对的一面上按照一定规则开设有矩形通槽；正、余弦激励线圈中分别通入两相对称激励电流，8个矩形感应线圈中产生的感应信号将发生周期性变化，将该8个感应信号与激励信号经调理后输入至鉴相电路进行鉴相处理，相位差由高频时钟脉冲插补，再经微处理器运算、处理后，得到动子的绝对位移值。该传感器能避免出现激励磁场互相耦合问题，实现高精度的绝对位移测量，同时降低成本。
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公开(公告)号：CN109163747A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811069341.9
申请日：2018-09-13
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G01D5/347
摘要： 本发明公开了一种单码道绝对式时栅角位移传感器，包括定子、转子和信号处理电路，定子由定环形导磁体和环形印制电路板构成，环形印制电路板上布有正弦激励线圈、余弦激励线圈和感应线圈，感应线圈由增量感应线圈和第一、第二绝对感应线圈组成；转子为开设有多个扇环形通槽的动环形导磁体；正弦激励线圈和余弦激励线圈中分别通入两相对称激励电流，增量感应线圈和第一、第二绝对感应线圈中产生的感应信号将发生周期性变化，上述感应信号与激励信号输入至信号处理电路，经处理后得到转子的绝对位移值。该传感器能减少感应线圈数量，提高传感器的响应速度。
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公开(公告)号：CN107726987A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710979415.1
申请日：2017-10-19
申请人： 重庆理工大学
摘要： 本发明公开了一种光学薄膜的膜厚监控方法，包括如下步骤：1)监控膜层的T或者R随膜厚增加过程中的极值点数目，得到以λ/4为基本单位的整数厚度的膜层；2)当n1·d1变化时，dR/d(n1·d1)呈周期性变化代之以对时间t进行微分；3)在预设的极值点附近选取合适数目的数据点进行直线拟合，得到最佳直线方程；由端点法确定a的初值，利用一维优化方法搜索a*，用逐次逼近方法，给定初始值a(0)，选取步长h，并逐步调整步长，直至满足：|u(a(k))-u(a(k-1))|＜ε；4)根据步骤3)确定出的最佳步长h，确定出最佳直线；根据该最佳直线，就能够精确地进行膜层淀积厚度的监控。本发明能够准确监控光学薄膜的膜厚，从而提高光学薄膜的光学性能。
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公开(公告)号：CN104864804B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510319665.3
申请日：2015-06-12
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G01B7/30
摘要： 本发明公开了一种时栅角位移传感器，包括定子和转子，定子由定子基体和两个相同的传感单元构成，两个传感单元平行且互不干扰的设在定子基体的上、下端面，传感单元包括激励线圈和感应线圈；激励线圈和感应线圈采用“∞”字形绕线方式绕线，两个传感单元的感应线圈串联；转子由上转子基体、下转子基体、支撑柱和两个相同的导磁单元构成，两个导磁单元分别嵌在上、下转子基体上且相互平行，导磁单元由一个导磁体或者由个相同的导磁体绕上转子基体或者下转子基体的轴心线等间距排列构成，两个导磁单元内的导磁体的起始位置满足特定的条件。其能在不增加刻线精密度或者传感器极对数的情况下，将测量分辨力提高一倍。
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公开(公告)号：CN104677258B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510080844.6
申请日：2015-02-14
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G01B7/02
摘要： 一种平面二维位移传感器，其由上下平行相对布置的定阵面和动阵面两部分构成。定阵面在定阵面基体上布置单层或多层完全相同的并串联的激励线圈矩阵，每一层激励线圈矩阵是由沿X和Y方向布置的多个相同的激励线圈阵列单元构成，激励线圈阵列单元之间沿“Z”字型依次串联。动阵面由动阵面基体和布置于动阵面基体表面的感应线圈组成，感应线圈由尺寸匝数均相同的三个感应线圈呈L形布置。本发明通过在定阵面表面建立包含时间量和空间量的磁场，采用单个动阵面通过电磁感应原理将定阵面不同位置处的磁信号转化为电信号，将三个感应线圈产生的电信号进行运算处理，从而得到平面二维位移量，具有结构简单、成本低、抗油污粉尘和冲击振动能力强的特点。
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公开(公告)号：CN104864804A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510319665.3
申请日：2015-06-12
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G01B7/30
摘要： 本发明公开了一种时栅角位移传感器，包括定子和转子，定子由定子基体和两个相同的传感单元构成，两个传感单元平行且互不干扰的设在定子基体的上、下端面，传感单元包括激励线圈和感应线圈；激励线圈和感应线圈采用“∞”字形绕线方式绕线，两个传感单元的感应线圈串联；转子由上转子基体、下转子基体、支撑柱和两个相同的导磁单元构成，两个导磁单元分别嵌在上、下转子基体上且相互平行，导磁单元由一个导磁体或者由个相同的导磁体绕上转子基体或者下转子基体的轴心线等间距排列构成，两个导磁单元内的导磁体的起始位置满足特定的条件。其能在不增加刻线精密度或者传感器极对数的情况下，将测量分辨力提高一倍。
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公开(公告)号：CN103234451B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310102713.4
申请日：2013-03-28
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： G01B7/30
摘要： 本发明公开了一种可以实现在线自标定的时栅角位移传感器系统及方法，传感器系统由特殊的定子和转子、精密可控激励电源，角度解算模块和在线自标定模块构成。系统在使用前按照一定的步骤将转子回转到一系列特殊位置，记录在各个特殊位置时传感器系统的示值并对示值进行数据处理后可以获取传感器的测量误差函数，从而实现传感器的初始自标定。在使用过程中，可再次启动自标定过程，系统将判断误差函数是否发生变化，误差函数一旦发生变化，系统将按照获取的误差函数重新实施标定，从而实现传感器的在线自标定。
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