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公开(公告)号:CN111947804B
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202010757838.0
申请日:2020-07-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01K11/20
Abstract: 本发明请求保护一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法,本发明涉及一种基于电荷迁移带反常热猝灭的荧光强度比测温方法。本发明的目的是为了解决传统的基于稀土离子热耦合能级荧光强度比测温灵敏度较低的问题,方法:(1)以Eu3+:NaLaCaWO6为感温材料;(2)在298K至528K温度区间内,荧光强度比I308/I354随温度的升高逐渐增大,且与温度T存在单调的函数关系,该强度比和温度之间的函数关系即为测温曲线,则可以通过监测荧光强度比值来实现测温的目的。本发明的测温方法所得测温灵敏度在298K处可达2.23%K‑1。与传统测温方法相比,在298K处灵敏度提高了4.37倍。本发明的测温方法具有较高灵敏度。本发明应用于稀土荧光测温领域。
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公开(公告)号:CN111947804A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010757838.0
申请日:2020-07-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01K11/20
Abstract: 本发明请求保护一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法,本发明涉及一种基于电荷迁移带反常热猝灭的荧光强度比测温方法。本发明的目的是为了解决传统的基于稀土离子热耦合能级荧光强度比测温灵敏度较低的问题,方法:(1)以Eu3+:NaLaCaWO6为感温材料;(2)在298K至528K温度区间内,荧光强度比I308/I354随温度的升高逐渐增大,且与温度T存在单调的函数关系,该强度比和温度之间的函数关系即为测温曲线,则可以通过监测荧光强度比值来实现测温的目的。本发明的测温方法所得测温灵敏度在298K处可达2.23%K-1。与传统测温方法相比,在298K处灵敏度提高了4.37倍。本发明的测温方法具有较高灵敏度。本发明应用于稀土荧光测温领域。
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公开(公告)号:CN210384599U
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201920605211.6
申请日:2019-04-29
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本实用新型涉及一种非接触用于DTP治疗仪的实时在线温度感测及控制器,整个温度感测控制系统以MSP430F5529单片机作为微处理器,通过非接触式红外温度传感器监测患者皮肤表面温度,将监测到的温度通过数码管显示出来,可以通过按键设置DTP治疗仪的启动与停止的温度范围,当传感器监测到的温度不在DTP治疗仪的设置范围内时,单片机通过继电器控制DTP治疗仪断开,避免灼伤病人或者温度过低导致的治疗效果不佳,该实用新型可以避免DTP温度过高灼伤患者皮肤,也可以避免温度过低导致治疗效果不佳,在医疗设备中有很高的应用价值。
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