公开(公告)号：CN102169104A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010600096.7

申请日：2010-12-22

申请人： 重庆邮电大学

发明人： 王巍 ,  彭能 ,  罗元 ,  王晓磊 ,  代作海 ,  唐政维 ,  冯世娟 ,  李银国 ,  徐洋

IPC分类号： G01N27/414 ,  F01N11/00

CPC分类号： Y02T10/47

摘要： 本发明公开了一种基于SiC材料的MOSFET的汽车发动机用氧传感器及其制备方法。利用了碳化硅材料的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率大等良好特性，将其作为N型沟道MOSFET的P型衬底，满足高温工作的要求。在MOSFET结构中，在原有的栅氧层上在生长一层氧敏薄膜材料(如YSZ)，金属栅电极采用金属Pt，该MOSFET型氧敏传感器的沟道可以是表面沟道也可以是埋型沟道。在该传感器中，氧浓度的变化可转变为栅氧层单位面积电容的变化，从而导致阈值电压的变化。同时，本发明还给出该SiCMOSFET型氧敏传感器的制作方法。

公开(公告)号：CN102507704A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110316787.9

申请日：2011-10-18

申请人： 重庆邮电大学

发明人： 王巍 ,  代作海 ,  罗元 ,  王晓磊 ,  白晨旭 ,  唐政维 ,  李银国

IPC分类号： G01N27/419 ,  H01L29/872 ,  H01L21/04

摘要： 本发明公开了一种基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器，包括SiC衬底层、TiO2氧气敏感层、金属铂电极I、n+高掺杂层和钛-铂金属复合层电极；SiC衬底层一侧溅射TiO2氧气敏感层，该氧气敏感层上溅射金属铂电极I，形成肖特基接触；SiC衬底层的另一侧依次设置有高掺杂n+层、钛-铂金属复合叠层，作为肖特基势垒二极管结构中的欧姆接触；本发明利用了碳化硅材料能满足传感器高温工作要求；由于金属铂电极的催化作用，TiO2氧气敏感层具有良好的氧敏特性，利用金属、半导体接触的氧传感器结构，检测氧气浓度的变化，该氧传感器具有很快的响应速度、极高的灵敏度、具有制作成本较低、制备工艺成熟、传感器重量较轻等优点。