公开(公告)号：CN116881061A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310993272.5

申请日：2023-08-08

申请人： 重庆邮电大学

发明人： 冀涵颖 ,  邓洁 ,  王志鹏 ,  袁军

IPC分类号： G06F11/22

摘要： 本发明请求保护一种基于ST2500测试机的MCU存储器测试方法，包括以下步骤：①通过被测MCU的IIC接口设计协议解析模块。②设计测试模式，利用MCU芯片IIC接口进行测试指令以及数据的传输，将MCU作为IIC从机，并采用中断触发机制，测试机发送激活序列使MCU处于复位状态。③激活MCU，若接收到正确的模式代码，则进入存储器测试模式，MCU芯片内部TEST_MODE信号有效，变为高电平。④MCU芯片根据地址数据以及测试数据写入存储器对应的区域，以进行存储器的写数据测试。⑤MCU根据地址数据将对应存储区域的数据通过输出，以进行存储器的读数据测试。⑥测试机将写入MCU的数据与读出的数据进行比较，若读写数据一致，则通过测试，否则测试失败。本发明提高了MCU测试的可靠性与覆盖率。

公开(公告)号：CN118801120A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410904388.1

申请日：2024-07-08

申请人： 重庆邮电大学

发明人： 王敏 ,  李玄 ,  邓洁 ,  陈正川

IPC分类号： H01Q15/14 ,  H01Q15/00 ,  H01Q15/24 ,  H01Q19/02 ,  H01Q19/10

摘要： 本发明公开了一种基于双曲线相位分布的多极化低RCS全金属反射阵列，该反射阵列单元自上而下包含I形金属柱和金属地板。I形金属柱为立体结构，设置在沿xoy面放置的正方形金属地板表面。I形金属柱与x轴呈夹角+45°或‑45°放置，可以对沿z轴传播的极化角度为45°和135°的线极化电磁波呈现出相位差为180°的两种不同电磁响应，两种单元状态用二进制数字“0”和“1”表示，对应相位电磁响应分别为0°和180°。将反射阵列中每一个单元的中心处对应的坐标代入双曲线相位函数计算得到的角度值后归化至两种相位电磁状态，得到反射阵列上每个单元状态分布。当沿‑z轴方向传播的电磁波照射到反射阵列上时，实现线极化转换、圆极化保持不变的RCS缩减功能。

公开(公告)号：CN117110850A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310994299.6

申请日：2023-08-08

申请人： 重庆邮电大学

发明人： 王志鹏 ,  邓洁 ,  冀涵颖 ,  袁军

IPC分类号： G01R31/317

摘要： 本发明请求保护一种基于ST2500测试机的MCU片上ADC测试方法，包括以下步骤：①通过MCU的JTAG接口程序烧录，使MCU的片上ADC处于工作状态。②配置ST2500测试机，使测试机能够根据需要发出特定频率和幅度的正弦信号。③将MCU片上ADC的输入引脚与测试机发出正弦信号的引脚进行连接。④运行测试机和MCU程序，并将MCU片上ADC转换的结果读取出来。⑤对数据进行处理完成MCU片上ADC的动态参数和静态参数测试，判断MCU片上ADC是否合格。本发明提高了片上ADC测试的准确性。