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公开(公告)号：CN109763140A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910214824.1
申请日：2019-03-20
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川科技园有限公司
Abstract: 本发明公开了一种7N超纯铜的制备方法，该方法以硫酸铜溶液作为电解液，将配制的电解液装入电解槽中，并以铜原料制作阳极板，以钛板作为阴极板，然后将阳极板和阴极板分别装入电解槽后启动电解反应，进行直流电解，在阴极板上获得7N超纯铜。本发明能有效除去电解液中的杂质，制备过程工艺简单，所需设备简单，单套设备产能较大，制备成本低，制备得到的超纯铜中所含杂质少，能达到7N质量要求，制备过程中不会造成环境污染。
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公开(公告)号：CN108559844A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810490046.4
申请日：2018-05-21
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川科技园有限公司
CPC classification number: C22B3/42 , C22B3/045 , C22B23/0453 , C25C1/08
Abstract: 一种镍溶液深度净化除铜的方法，涉及一种采用湿法冶炼工艺生产超高纯镍的过程中电解液的净化除杂方法，特别是镍溶液深度净化除铜的方法。其特征在于是在通过螯合型树脂748树脂离子交换吸附镍溶液中铜离子的方法，其工艺过程为：调节镍溶液的浓度至100-120g/L，加酸调整pH：pH为3-3.5，在室温条件下，通过装填有748树脂的离子交换装置，控制净化后溶液流出速度，速度为20L/h，离子交换柱内树脂填充量为50%，树脂在使用前需经过充分预处理，溶液一次净化后需要将树脂内吸附的杂质铜用酸进行洗脱后方可再次使用。本发明所深度净化出镍溶液中镍铜含量比可达到100000倍，净化后溶液电解出的镍板中Cu含量可控制在300ppb以内，突破了国内镍中除铜的最高技术水平。
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公开(公告)号：CN108560020A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810490047.9
申请日：2018-05-21
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川科技园有限公司
Abstract: 一种制备超高纯钴的方法，涉及一种采用湿法冶炼工艺生产高纯钴板材的方法，生产出的高纯钴板材纯度可达到99.9999%以上。其特征是在于用牌号为Co9998的钴通过电溶制备硫酸钴原液，再通过离子交换实现钴溶液的深度净化后，在电积槽内采用电积精炼工艺提炼高纯度钴溶液中的钴金属，使钴在阴极种板上均匀析出成板的方法，其工艺过程为：将硫酸钴原液的浓度调节到80-90g/L，ph控制到4.5-5，控制溶液流速为25L-30L/h将硫酸钴原液通过离子交换树脂711吸附除杂得到高纯度的硫酸钴溶液，再将净化后溶液打到电积槽内，通过电积精炼提纯工艺实现超高纯钴在阴极的析出，槽电压控制为1.1-1.3V。本发明制备出的高纯钴板内部致密，表面平整，厚度为1-2mm，经过辉光质谱检测仪检测纯度可达到99.9999%以上。
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公开(公告)号：CN208829120U
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201821113144.8
申请日：2018-07-13
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川科技园有限公司
IPC: B66C1/34
Abstract: 本实用新型公开了一种高纯铜电解铜板出槽装置，包括框架，所述框架包括上设有两根平行的横梁，所述框架的横梁上设有若干孔，所述框架横梁的孔内通过套管吊装有若干吊钩，所述吊钩的弯钩位于框架的横梁下方，所述吊装吊钩的套管上方设有连接块，所述连接块与操作杆连接，所述操作杆能够操作吊钩能在框架上转动；电解铜板出槽装置结构简单，出槽效率高，能有效避免传统人工出槽带来的劳动强度大、效率低的问题，大大提高生产系统的高效经济运行。
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公开(公告)号：CN104593740A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410839297.0
申请日：2014-12-30
Applicant: 金川集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种重量百分比纯度≥99.9999%的铜铝合金靶坯的制备方法，步骤包括：将重量百分比纯度99.999%金属铝和99.9999%金属铜形成合金配料，其中铝占0.127%～0.212%，并在真空度5.6×10-3Pa～7.8×10-3Pa和熔炼温度1200℃～1300℃条件下进行熔炼得到金属液，其中精炼时间为1min～3min，然后将金属液浇入预热温度为1150℃～1220℃的铸模内，以0.06-0.2mm/s的速度使金属液进行凝固成型，得到铜铝合金锭；对铜铝合金锭进行锻造，锻造比为8-11；退火，温度控制在300～390℃，保温时间为1.5～2h；冷轧，单道次轧制量为10%-40%，总轧制量为50%~70%；退火，温度控制在300～350℃，保温时间为0.5~1h，然后从炉中取出，进行风冷，得到铜铝合金靶坯。本发明方法制备出的铜铝合金靶坯纯度高，杂质含量低，晶粒细小、内部组织均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103966627A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410179819.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 金川集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种降低高纯钴中杂质Fe含量的方法，采用电积除杂净化后钴溶液选择性掩蔽杂质Fe电积制备得到高纯钴，高纯钴样品经过GD-MS分析，纯度高于99.999%高纯钴，杂质Fe元素含量低于0.5ppm。工艺过程中，通过电积除杂净化和掩蔽铁离子除铁的方法，简化了高纯钴制备工艺流程，避免了使用金属量损耗大且操作复杂的离子交换和水解沉淀除铁方法，从而降低了高纯钴生产成本；采用磷酸盐或磷酸掩蔽杂质铁离子，与其它掩蔽剂相比，磷酸盐或磷酸与铁离子能在钴电积要求的溶液pH范围内形成高度稳定的络合物，从而提高了杂质铁的析出电位而有利于主金属钴析出，本发明一种降低高纯钴中杂质铁含量的方法适用于铁含量低于0.5g/l的钴溶液电积或电解过程。
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公开(公告)号：CN104475694A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410732838.X
申请日：2014-12-07
Applicant: 金川集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种连续制备重量纯度≥99.999%的金属铸锭的方法。该方法的工艺步骤包括：（1）将重量纯度≥99.999%的金属物料装炉、抽真空至10-3Pa以上；（2）连续进料装置将步骤（1）的物料送入水冷坩埚中；（3）以电磁感应熔炼的方式对水冷坩埚中的金属物料进行熔炼；（4）经步骤（3）熔炼后得到的熔体进入设置在水冷坩埚下方的水冷结晶器中，成型得到高纯金属铸锭。本发明采用水冷铜坩埚感应熔炼与水冷结晶器成型结合，同时采用连续进料装置，能够实现连续铸锭生产、提高效率，所制备的高纯金属铸锭，具有纯度高，铸锭物理性能好、成材率高、产品规格多样化等优点，满足集成电路对于高端薄膜制备的性能要求。
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公开(公告)号：CN104828854A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510196141.X
申请日：2015-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司
IPC: C01G5/00
Abstract: 本发明涉及一种用粗银粉制备高纯硝酸银的工艺方法。该方法的实现步骤为：在30-50℃的温度条件下，过量的粗银粉与蒸馏提纯后的硝酸反应，控制精制硝酸浓度为65-75％，银与硝酸的摩尔比为1:0.65-0.85，持续反应，得到pH≥4的硝酸银溶液。该工艺的有益效果在于：电解粗银粉直接用硝酸溶解造液，其硝酸银溶解液直接加入高纯水调整体系pH≥5，进行水解，脱除体系中的贱金属杂质，精密过滤后的滤液经蒸发、结晶、干燥得到高纯度硝酸银产品。
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公开(公告)号：CN104480329A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410732837.5
申请日：2014-12-07
Applicant: 金川集团股份有限公司
Abstract: 一种制备高纯金属合金铸块的方法的工艺过程包括：（1）根据合金组元的质量比和烧损补偿规律，将金属基体原料及合金料按（50-99.99）wt%：（0.01-50）wt%的比例分别进行备料、装炉；（2）闭合设备，真空抽至10-4Pa以上；（3）调整电子束功率，对金属基体原料进行加热融化，得到金属熔体；（4）将步骤（3）得到的金属熔体送入采用电磁感应加热的水冷坩埚中继续进行熔炼，除气、除杂；（5）将合金料通过加料装置送入水冷坩埚中，与水冷坩埚中的金属熔体混熔，混熔后的合金熔体进入水冷结晶器成型得到高纯金属合金铸块。该方法能够充分控制铸锭中杂质及气体含量，所制备金属合金铸块具有纯度高，铸锭物理性好等优点。
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公开(公告)号：CN104451175A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410732839.4
申请日：2014-12-07
Applicant: 金川集团股份有限公司
CPC classification number: Y02P10/253
Abstract: 本发明涉及真空冶金技术领域，具体涉及一种重量纯度超过99.99%的高纯金属铸锭的制造方法。一种高纯金属铸锭的制造方法，其特征在于其具体工艺过程为：（1）将重量纯度≥99.99%的金属原料进行备料、装炉、抽真空；（2）电子束对金属原料进行加热融化，得到金属熔体；（3）经步骤（2）融化后得到的金属熔体进入采用电磁感应加热方式的水冷坩埚中继续进行熔炼，实现除杂、除气；（4）经步骤（3）得到的熔体进入水冷结晶器，成型得到高纯金属铸锭。本发明方法能够充分控制铸锭中杂质及气体含量，所制备的高纯金属铸锭，具有纯度高，铸锭物理性好、成材率高、产品规格多样化等优点，满足集成电路等对于高端薄膜制备的性能要求。
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