一种检测电极板生长状态的装置及方法

    公开(公告)号:CN116659955A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310635134.X

    申请日:2023-05-31

    IPC分类号: G01N1/14 G01N27/42

    摘要: 本发明属于电解技术领域,公开了一种检测电极板生长状态的装置,以解决现有技术获取电极板沉积金属的生长状态中存在的技术问题,该检测电极板生长状态的装置包括电解槽,电解槽内设有阴极电极板、阳极电极板,还包括设置在电解槽上方的负压氢气收集罩,负压氢气收集罩连接有用于将氢气含量转化为电信号的氢气浓度检测装置,氢气浓度检测装置连接有第一积分电路,第一积分电路连接有控制系统,控制系统连接有第二积分电路,第二积分电路与阴极电极板连接。本发明可避免将电极板拿出电解槽观察,使电极板在整个生长周期中始终浸泡在电解液中,避免拿出造成的污染问题,减轻了查看电极板生长状态的劳动量。减少了起重设备使用,降低生产危险性。

    一种(1,5‑环辛二烯)氯化铑(Ⅰ)二聚体的制备方法

    公开(公告)号:CN106632496A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201611073396.8

    申请日:2016-11-29

    IPC分类号: C07F15/00

    CPC分类号: C07F15/0073

    摘要: 一种(1,5‑环辛二烯)氯化铑(Ⅰ)二聚体的制备方法,具体方法如下:a)将水合三氯化铑用去离子水溶解使三氯化铑水溶液中铑浓度为3‑8%,置于反应釜中,反应釜上端接冷凝管,向反应釜中加入无水乙醇,加热,搅拌升温,待温度升至35℃,滴加1,5‑环辛二烯COD与无水乙醇的混合溶液,待溶液滴加完毕,加入相转移催化剂PEG‑400,在35‑80℃反应4‑7h,得橘黄色沉淀及悬浮液,过滤;b)将步骤(a)中的悬浮液冷却至室温,真空抽滤,得到固态产品;c)将步骤(b)中的固态产品,洗涤,干燥。产品收率为80‑85%。该方法进行合成时,加入相转移催化剂PEG‑400,可使原料和配体在降低温度下即可由两相变为一相,从而使反应温度降低,将反应温度由60‑85℃降至30‑40℃,但反应时间不会延长。

    一种铜铝合金靶坯的制备方法

    公开(公告)号:CN104593740A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201410839297.0

    申请日:2014-12-30

    IPC分类号: C23C14/35 C22C1/02 C22F1/08

    摘要: 本发明涉及一种重量百分比纯度≥99.9999%的铜铝合金靶坯的制备方法,步骤包括:将重量百分比纯度99.999%金属铝和99.9999%金属铜形成合金配料,其中铝占0.127%~0.212%,并在真空度5.6×10-3Pa~7.8×10-3Pa和熔炼温度1200℃~1300℃条件下进行熔炼得到金属液,其中精炼时间为1min~3min,然后将金属液浇入预热温度为1150℃~1220℃的铸模内,以0.06-0.2mm/s的速度使金属液进行凝固成型,得到铜铝合金锭;对铜铝合金锭进行锻造,锻造比为8-11;退火,温度控制在300~390℃,保温时间为1.5~2h;冷轧,单道次轧制量为10%-40%,总轧制量为50%~70%;退火,温度控制在300~350℃,保温时间为0.5~1h,然后从炉中取出,进行风冷,得到铜铝合金靶坯。本发明方法制备出的铜铝合金靶坯纯度高,杂质含量低,晶粒细小、内部组织均匀。

    一种降低高纯钴中杂质Fe含量的方法

    公开(公告)号:CN103966627A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410179819.9

    申请日:2014-04-30

    IPC分类号: C25C1/08 C25C7/06

    摘要: 本发明公开了一种降低高纯钴中杂质Fe含量的方法,采用电积除杂净化后钴溶液选择性掩蔽杂质Fe电积制备得到高纯钴,高纯钴样品经过GD-MS分析,纯度高于99.999%高纯钴,杂质Fe元素含量低于0.5ppm。工艺过程中,通过电积除杂净化和掩蔽铁离子除铁的方法,简化了高纯钴制备工艺流程,避免了使用金属量损耗大且操作复杂的离子交换和水解沉淀除铁方法,从而降低了高纯钴生产成本;采用磷酸盐或磷酸掩蔽杂质铁离子,与其它掩蔽剂相比,磷酸盐或磷酸与铁离子能在钴电积要求的溶液pH范围内形成高度稳定的络合物,从而提高了杂质铁的析出电位而有利于主金属钴析出,本发明一种降低高纯钴中杂质铁含量的方法适用于铁含量低于0.5g/l的钴溶液电积或电解过程。