公开(公告)号：CN113491071A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202080017082.4

申请日：2020-02-28

Applicant: 镁可微波技术有限公司

Inventor： 詹姆士·约瑟夫·布罗格 ,  约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基 ,  玛格丽特·玛丽·巴尔特 ,  蒂莫西·爱德华·博莱斯

IPC: H03K17/76 ,  H01P1/15 ,  H01L29/868

Abstract: 描述了多个单片多掷二极管开关。单片多掷二极管开关可以包括具有不同本征区的混合布置的二极管，所有二极管被形成在同一半导体衬底上方。在一个示例中，单片多掷二极管开关中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区，而第二PIN二极管具有较厚的本征区。这种配置允许针对薄本征区PIN二极管和厚本征区PIN二极管两者进行单独地优化。作为一个示例，对于在专用的发射/接收模式下运行的开关，第一发射PIN二极管可以具有比第二接收PIN二极管更厚的本征区，以使发射臂的功率处理最大化，以及最大化接收臂中的接收灵敏度和插入损耗。

公开(公告)号：CN113424317A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080013799.1

申请日：2020-02-12

Applicant: 镁可微波技术有限公司

Inventor： 詹姆士·约瑟夫·布罗格 ,  约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基 ,  玛格丽特·玛丽·巴尔特 ,  蒂莫西·爱德华·博莱斯

IPC: H01L27/06 ,  H03G11/02 ,  H01L27/08 ,  H01L29/868

Abstract: 描述了许多单片二极管限制器半导体结构。二极管限制器可以包括具有不同本征区的二极管的混合排列，所有二极管都形成在相同的半导体衬底上方。在一个示例中，二极管限制器半导体结构中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区，而第二PIN二极管具有较厚的本征区。这种配置允许单独优化薄本征区PIN二极管和厚本征区PIN二极管二者。薄本征区PIN二极管可以针对低电平导通和平坦泄漏进行优化，而厚本征区PIN二极管可以针对低电容、良好的隔离和高入射功率水平进行优化。这种配置不限于两级解决方案，因为额外的级可以用于更高的入射功率处理。

公开(公告)号：CN113169169A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980079209.2

申请日：2019-12-02

Applicant: 镁可微波技术有限公司

Inventor： 蒂莫西·爱德华·博莱斯 ,  詹姆士·约瑟夫·布罗格 ,  约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基 ,  玛格丽特·玛丽·巴尔特

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/868 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了有具有不同本征区的多个二极管的单片、垂直、平面半导体结构。二极管具有彼此相比不同厚度的本征区。在一个示例中，半导体结构包括N型硅衬底、在N型硅衬底上形成的本征层以及本征层上形成的介电层。在介电层中形成多个开口。多个阳极通过介电层中形成的开口顺序地形成至本征层中。例如，第一P型区通过开口中的第一开口以第一深度形成至本征层中，并且第二P型区通过开口中的第二开口以第二深度形成至本征层中。可以以其他深度形成附加P型区。

公开(公告)号：CN113491071B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202080017082.4

申请日：2020-02-28

Applicant: 镁可微波技术有限公司

Inventor： 詹姆士·约瑟夫·布罗格 ,  约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基 ,  玛格丽特·玛丽·巴尔特 ,  蒂莫西·爱德华·博莱斯

IPC: H03K17/76 ,  H01P1/15 ,  H01L29/868

Abstract: 描述了多个单片多掷二极管开关。单片多掷二极管开关可以包括具有不同本征区的混合布置的二极管，所有二极管被形成在同一半导体衬底上方。在一个示例中，单片多掷二极管开关中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区，而第二PIN二极管具有较厚的本征区。这种配置允许针对薄本征区PIN二极管和厚本征区PIN二极管两者进行单独地优化。作为一个示例，对于在专用的发射/接收模式下运行的开关，第一发射PIN二极管可以具有比第二接收PIN二极管更厚的本征区，以使发射臂的功率处理最大化，以及最大化接收臂中的接收灵敏度和插入损耗。

公开(公告)号：CN113474898A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202080013199.5

申请日：2020-02-07

Applicant: 镁可微波技术有限公司

Inventor： 蒂莫西·爱德华·博莱斯 ,  詹姆士·约瑟夫·布罗格 ,  安杰伊·罗兹比斯基 ,  贝琳达·西蒙娜·埃德梅·皮尔纳斯 ,  丹尼尔·古斯塔沃·库尔乔 ,  大卫·鲁塞尔·霍格

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L21/329

Abstract: 描述了二极管结构和制造二极管结构的方法。在一个示例中，二极管结构是PIN二极管结构，并且包括形成在衬底上的N型层、形成在N型层上的本征层以及形成在本征层上的P型层。P型层形成二极管结构的阳极，并且阳极形成为四边形的阳极。根据实施方式，阳极的顶表面可以形成有一个或更多个直段，例如四边形阳极，以减小热阻或电导通电阻中的至少一个。这些变化等可以改进PIN二极管结构的整体功率处理能力。