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公开(公告)号：CN116783786A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280011363.8
申请日：2022-03-15
申请人： 镁可微波技术有限公司
IPC分类号： H01S5/12
摘要： 公开了具有有源区的半导体激光器，该有源区具有纵向轴线、第一刻面端和第二刻面端。第二刻面端发射来自各自半导体激光器的主输出光束。第一刻面端可以具有低反射涂层。第一刻面端可以不垂直于有源区的纵向轴线。半导体激光器可以是沿着有源区的纵向轴线具有多个衍射光栅的分布反馈(DFB)激光器。多个衍射光栅可以包括靠近有源区的第一端定位的第一衍射光栅、靠近有源区的第二端定位的第二衍射光栅、以及定位在第一衍射光栅与第二衍射光栅之间的第三衍射光栅。第一衍射光栅可以沿着有源区的纵向轴线与第三衍射光栅间隔开第一距离。第二衍射光栅可以沿着有源区的纵向轴线与第三衍射光栅间隔开第二距离。第一距离和第二距离中的每一者大于零。
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公开(公告)号：CN110692207B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201880030385.2
申请日：2018-03-19
申请人： 镁可微波技术有限公司
发明人： 阿伦·R·马丁
IPC分类号： H04B10/071 , H04B10/079 , H04B10/25 , H04B10/50
摘要： 描述了发送器的输出功率的自动调节。在一个实施方式中，光学发送器被引导传输光脉冲通过通信链路例如光纤电缆并且参考该传输来启动计时器。对发送器的输出抽头进行监测以检测光脉冲的传输以及由于该传输而发生的任何反射事件。对最终反射事件进行识别，连同使用计时器的对与最终反射事件相关联的计时。基于计时来估计通信链路的长度。基于所估计的通信链路的长度来计算发送器的更新输出功率。当链路的长度小于所预期的长度时，可以在接收器处保持最小功率裕度的同时降低发送器的输出功率。
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公开(公告)号：CN111509555A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010111899.X
申请日：2017-02-17
申请人： 镁可微波技术有限公司
发明人： 雷·海明威 , 克里斯蒂安·斯塔加雷斯库 , 丹尼尔·梅罗维奇 , 马尔科姆·R·格林 , 沃尔夫冈·帕尔兹 , 日基·马 , 理查德·罗伯特·格日博夫斯基 , 纳森·比克尔
摘要： 公开了一种光子集成电路及其制造方法和基板以及半导体激光器。一种光子集成电路PIC，包括：半导体激光器，其包括锥形激光器配合表面和接触表面；以及基板，其包括形成在所述基板中的锥形基板配合表面和凹陷着陆区域，其中，所述锥形基板配合表面被配置成接触所述半导体激光器的锥形激光器配合表面，并且其中，所述凹陷着陆区域包括被配置成与所述半导体激光器的接触表面形成电连接的接触垫。
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公开(公告)号：CN113424317A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013799.1
申请日：2020-02-12
申请人： 镁可微波技术有限公司
发明人： 詹姆士·约瑟夫·布罗格 , 约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基 , 玛格丽特·玛丽·巴尔特 , 蒂莫西·爱德华·博莱斯
IPC分类号： H01L27/06 , H03G11/02 , H01L27/08 , H01L29/868
摘要： 描述了许多单片二极管限制器半导体结构。二极管限制器可以包括具有不同本征区的二极管的混合排列，所有二极管都形成在相同的半导体衬底上方。在一个示例中，二极管限制器半导体结构中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区，而第二PIN二极管具有较厚的本征区。这种配置允许单独优化薄本征区PIN二极管和厚本征区PIN二极管二者。薄本征区PIN二极管可以针对低电平导通和平坦泄漏进行优化，而厚本征区PIN二极管可以针对低电容、良好的隔离和高入射功率水平进行优化。这种配置不限于两级解决方案，因为额外的级可以用于更高的入射功率处理。
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公开(公告)号：CN113169169A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079209.2
申请日：2019-12-02
申请人： 镁可微波技术有限公司
发明人： 蒂莫西·爱德华·博莱斯 , 詹姆士·约瑟夫·布罗格 , 约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基 , 玛格丽特·玛丽·巴尔特
IPC分类号： H01L27/08 , H01L29/868 , H01L29/66
摘要： 描述了有具有不同本征区的多个二极管的单片、垂直、平面半导体结构。二极管具有彼此相比不同厚度的本征区。在一个示例中，半导体结构包括N型硅衬底、在N型硅衬底上形成的本征层以及本征层上形成的介电层。在介电层中形成多个开口。多个阳极通过介电层中形成的开口顺序地形成至本征层中。例如，第一P型区通过开口中的第一开口以第一深度形成至本征层中，并且第二P型区通过开口中的第二开口以第二深度形成至本征层中。可以以其他深度形成附加P型区。
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公开(公告)号：CN109154697A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031190.5
申请日：2017-05-19
申请人： 镁可微波技术有限公司
发明人： 阿利·巴达尔·阿拉明·道 , 贾森·丹尼尔·博克尔 , 马尔科姆·R·格林
摘要： 激光器结构可以包括基底、布置在基底上的有源区、和布置在有源区上的波导。所述波导可以包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面接合以形成相对于所述有源区的第一角度。在所述波导的所述第一表面和所述第二表面上可以沉积有材料。
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公开(公告)号：CN109075525A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780020561.X
申请日：2017-02-17
申请人： 镁可微波技术有限公司
发明人： 雷·海明威 , 克里斯蒂安·斯塔加雷斯库 , 丹尼尔·梅罗维奇 , 马尔科姆·R·格林 , 沃尔夫冈·帕尔兹 , 日基·马 , 理查德·罗伯特·格日博夫斯基 , 纳森·比克尔
摘要： 公开了在光子集成电路(PIC)中有效对准半导体激光器的技术。在一些实施方式中，光子集成电路(PIC)可以包括：半导体激光器，其包括激光器配合表面；以及基板，其包括基板配合表面。激光器配合表面的形状和基板配合表面的形状可以被配置成在三个维度上将半导体激光器与基板对准。
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公开(公告)号：CN107210769A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580074684.2
申请日：2015-12-16
申请人： 镁可微波技术有限公司
CPC分类号： H04B1/126 , H03D7/16 , H04B1/06 , H04B1/1036 , H04B1/26 , H04B2001/1072
摘要： 一种装置，包括第一接收机和第二接收机。第一接收机可以被配置为响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号。第二接收机可以被配置为响应于第一中频信号而生成多个输出信号。输出信号中的每个响应于第一中频信号中的相应的一个和相应的第二本机振荡器信号而在独立信道中生成。
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公开(公告)号：CN113491071A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080017082.4
申请日：2020-02-28
申请人： 镁可微波技术有限公司
发明人： 詹姆士·约瑟夫·布罗格 , 约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基 , 玛格丽特·玛丽·巴尔特 , 蒂莫西·爱德华·博莱斯
IPC分类号： H03K17/76 , H01P1/15 , H01L29/868
摘要： 描述了多个单片多掷二极管开关。单片多掷二极管开关可以包括具有不同本征区的混合布置的二极管，所有二极管被形成在同一半导体衬底上方。在一个示例中，单片多掷二极管开关中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区，而第二PIN二极管具有较厚的本征区。这种配置允许针对薄本征区PIN二极管和厚本征区PIN二极管两者进行单独地优化。作为一个示例，对于在专用的发射/接收模式下运行的开关，第一发射PIN二极管可以具有比第二接收PIN二极管更厚的本征区，以使发射臂的功率处理最大化，以及最大化接收臂中的接收灵敏度和插入损耗。
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