一种制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体的方法

    公开(公告)号:CN101550597B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200910066837.5

    申请日:2009-04-17

    IPC分类号: C30B29/22 C30B15/00 H01S3/16

    摘要: 一种制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体的方法属于可调谐激光晶体技术领域。现有技术采用自发结晶法、助溶剂法制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体;Cr4+是通过直接加入三氧化二铬原料,在晶体的生长过程中所产生;二氧化锗等原料直接加入熔体中。主要问题是生长速率低、晶体尺寸小,晶体中含有较多缺陷,Cr3+未能完全转化为Cr4+,以及二氧化锗的挥发。本发明包括以下步骤:1、按照化学计量比称取所用原料三氧化二铬、三氧化铬、碳酸钙和二氧化锗,其中三氧化二铬过量1~2%(wt)称取;2、将三氧化二铬和三氧化铬混合,采用水热合成法合成二氧化铬;3、将二氧化铬、碳酸钙和二氧化锗混合后压制成型;高温烧结后研磨成粉,再次高温烧结,获得生长料;4、采用提拉法使用所获得的生长料生长Cr4+:Ca2GeO4激光晶体。

    2μm波段K(Yb/Tm)W激光晶体
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101643935A

    公开(公告)日:2010-02-10

    申请号:CN200910067493.X

    申请日:2009-09-04

    IPC分类号: C30B29/32 H01S3/16

    摘要: 2μm波段K(Yb/Tm)W激光晶体,输出2μm波段的激光,具有低阈值、高增益的特点,所制作的激光器激光输出效率高,属于光电子材料领域。现有能够产生这种激光的激光晶体其基质材料为钨酸钆钾、钨酸钇钾等,由于缺少敏化离子,导致增益低,采用所述激光晶体制作的激光器激光输出效率低。虽然现有KYbW激光晶体含有敏化离子,但是,其激光输出波长是在0.98~1.08μm范围内。本发明激光晶体基质为钾及稀土复合钨酸盐,掺有2μm波段激活离子,基质中的稀土离子为Yb 3+ 或者Tm 3+ 。应用于激光测距、激光雷达、光电干扰、遥感、环境检测、光通讯以及医疗等领域。

    一种制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体的方法

    公开(公告)号:CN101550597A

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:CN200910066837.5

    申请日:2009-04-17

    IPC分类号: C30B29/22 C30B15/00 H01S3/16

    摘要: 一种制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体的方法属于可调谐激光晶体技术领域。现有技术采用自发结晶法、助溶剂法制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体;Cr4+是通过直接加入三氧化二铬原料,在晶体的生长过程中所产生;二氧化锗等原料直接加入熔体中。主要问题是生长速率低、晶体尺寸小,晶体中含有较多缺陷,Cr3+未能完全转化为Cr4+,以及二氧化锗的挥发。本发明包括以下步骤:1.按照化学计量比称取所用原料三氧化二铬、三氧化铬、碳酸钙和二氧化锗,其中三氧化二铬过量1~2%(wt)称取;2.将三氧化二铬和三氧化铬混合,采用水热合成法合成二氧化铬;3.将二氧化铬、碳酸钙和二氧化锗混合后压制成型;高温烧结后研磨成粉,再次高温烧结,获得生长料;4.采用提拉法使用所获得的生长料生长Cr4+:Ca2GeO4激光晶体。

    2μm波段钨酸钠盐激光晶体

    公开(公告)号:CN101660205A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200910067492.5

    申请日:2009-09-04

    IPC分类号: C30B29/32 H01S3/16

    摘要: 2μm钨酸钠盐激光晶体,属四方晶系,输出2μm波段的激光,具有生长周期短、完整性好、成晶率高、低阈值、高增益等特点,所制作的激光器激光输出效率高,属于光电子材料领域。现有掺有稀土激活离子的钾及稀土复合钨酸盐类激光晶体生长周期长;而掺有稀土激活离子的稀土钒酸盐类激光晶体生长原料熔点高,易因挥发而导致偏析,所生长的晶体热性能差、易开裂、有色心。本发明之激光晶体掺有2μm波段稀土激活离子,基质为钠及稀土复合钨酸盐。应用于激光测距、激光雷达、光电干扰、遥感、环境检测、光通讯以及医疗等领域。

    掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法

    公开(公告)号:CN102586870A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210057151.1

    申请日:2012-03-06

    IPC分类号: C30B29/12 C30B15/00

    摘要: 掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有Ho:BaY2F8晶体掺杂浓度低,尺寸小、晶体形貌差。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体属于单斜晶系,以稀土元素钬为激活离子,晶体基质为氟化钆钇钡,掺钬氟化钆钇钡晶体分子式为Ho:BaYGdF8。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体生长方法包括生长料制备、晶体生长以及退火三个步骤。在生长料制备步骤中,提供F、Gd、Y、Ba元素的原料及摩尔比为BaF2∶GdF3∶YF3=1∶1∶1,确定HoF3为x摩尔,GdF3为(1-x)摩尔,BaF2为1摩尔,其中x的取值范围为0.005mol≤x≤1mol;在晶体生长步骤中,晶体生长工艺参数确定为:提拉速度0.3~0.8mm/h,旋转速度3~10rpm,生长温度880~903℃。