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公开(公告)号：CN116449623B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210011809.9
申请日：2022-01-06
申请人： 长春理工大学
摘要： 一种电光双方式调控变色器件及其制造方法涉及变色器件技术领域，解决了现有光电致变色器件着色时间与褪色时间均较长的问题。该器件包括：顺次设置的第一FTO透明导电玻璃、氧化钨/铜变色膜、无色透明的溴锂离子电解液、二氧化钛/氧化镍/硫化镉光阳极和第二FTO透明导电玻璃。制造方法包括：在第一FTO导电玻璃导电面上制备氧化钨/铜变色膜、在第二FTO导电玻璃导电面上制备二氧化钛/氧化镍/硫化镉光阳极、配置溴锂离子电解液、组装。本发明通过Cu纳米粒子复合在WO3、通过NiO复合TiO2，再配合硫化镉，提高了器件两极的变色性能及光阳极的光电转换效率。一种电光双方式调控变色器件的制备方法简单且成本低。
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公开(公告)号：CN108281338B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201810076698.3
申请日：2018-01-26
申请人： 长春理工大学
摘要： 用于硅微通道板基体整体氧化防变形约束装置属于光电子器件技术领域。现有技术无法避免硅微通道板基体氧化后发生变形。本发明之防变形约束装置其特征在于，左右两个护板夹持一个保持环，护板、保持环材质均为蓝宝石晶体，护板、保持环均为圆片状，且外径相等，护板中间区域均匀分布有气孔，护板的厚度为2～3mm，保持环的内径为25～30mm、厚度为350～400μm；卧式卡座呈长槽形，在槽内横向间隔分布若干卡槽，卡槽的宽度比左右两个护板以及一个保持环的总厚度大20～30μm；立式压筒的裙部开有条形气孔；卧式卡座、立式压筒的材质均为石英玻璃；两个护板与一个保持环能够落入一个卡槽中，或者由上下两个立式压筒对压固定，此时两个立式压筒裙部相向排布。整体氧化后硅微通道板平面度公差小于10μm。
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公开(公告)号：CN116449623A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210011809.9
申请日：2022-01-06
申请人： 长春理工大学
摘要： 一种电光双方式调控变色器件及其制造方法涉及变色器件技术领域，解决了现有光电致变色器件着色时间与褪色时间均较长的问题。该器件包括：顺次设置的第一FTO透明导电玻璃、氧化钨/铜变色膜、无色透明的溴锂离子电解液、二氧化钛/氧化镍/硫化镉光阳极和第二FTO透明导电玻璃。制造方法包括：在第一FTO导电玻璃导电面上制备氧化钨/铜变色膜、在第二FTO导电玻璃导电面上制备二氧化钛/氧化镍/硫化镉光阳极、配置溴锂离子电解液、组装。本发明通过Cu纳米粒子复合在WO3、通过NiO复合TiO2，再配合硫化镉，提高了器件两极的变色性能及光阳极的光电转换效率。一种电光双方式调控变色器件的制备方法简单且成本低。
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公开(公告)号：CN109467159A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811446640.X
申请日：2018-11-29
申请人： 长春理工大学 , 长春市洁环光电科技有限公司
摘要： 具有WSA位敏结构的自供电半导体光电催化器件属于光电催化技术领域。现有半导体光电催化器件不能在日照时间的推移过程中，保持其催化净化效果始终处在最佳状态。本发明其特征在于，在P-N+硅片的N+区表面交叉分布一组楔形阳极W和一组条形阳极S，楔形阳极W与条形阳极S之间的部分为第三阳极A，楔形阳极W、条形阳极S、第三阳极A由楔形阳极沟道、条形阳极沟道分隔；楔形阳极沟道、条形阳极沟道的沟道宽度a为100～120μm，沟道底部位于P-区，沟道位于P-区部分的深度b为50～120μm，在沟道底部分布半导体纳米线光电催化层，半导体纳米线光电催化层的厚度为1～2μm；P-区至N+区掺杂浓度由稀变浓。本发明能够利用WSA位敏结构使得半导体光电催化器件跟踪日光，确保光能接收量。
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公开(公告)号：CN108281338A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810076698.3
申请日：2018-01-26
申请人： 长春理工大学
CPC分类号： H01J9/12 , B81C1/00 , B81C1/00015
摘要： 用于硅微通道板基体整体氧化防变形约束装置属于光电子器件技术领域。现有技术无法避免硅微通道板基体氧化后发生变形。本发明之防变形约束装置其特征在于，左右两个护板夹持一个保持环，护板、保持环材质均为蓝宝石晶体，护板、保持环均为圆片状，且外径相等，护板中间区域均匀分布有气孔，护板的厚度为2～3mm，保持环的内径为25～30mm、厚度为350～400μm；卧式卡座呈长槽形，在槽内横向间隔分布若干卡槽，卡槽的宽度比左右两个护板以及一个保持环的总厚度大20～30μm；立式压筒的裙部开有条形气孔；卧式卡座、立式压筒的材质均为石英玻璃；两个护板与一个保持环能够落入一个卡槽中，或者由上下两个立式压筒对压固定，此时两个立式压筒裙部相向排布。整体氧化后硅微通道板平面度公差小于10μm。
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公开(公告)号：CN103165362A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310092179.3
申请日：2013-03-21
申请人： 长春理工大学
摘要： 硅微通道板真空填蜡结构释放方法属于硅微细加工技术领域。现有技术工艺步骤较多，背部减薄消耗大量药品，且容易带来二次污染，石蜡填充效果差，盲孔率高，硅微通道板质量及成品率低。本发明在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。本发明填蜡充分，最后硅片的盲孔率仅为3.82×10-4%，硅微通道板质量及成品率大幅提高。另外，本发明不含硅片背部减薄工序，这也避免了药品的大量消耗和带来的二次污染。
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公开(公告)号：CN112882152A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110046907.1
申请日：2021-01-14
申请人： 长春理工大学
摘要： 一种基于硅微通道阵列的光纤面板及其制备方法涉及硅微细加工和光电成像技术领域，该光纤面板包括：硅微通道阵列，硅微通道阵列的孔径为1‑10微米，阵列排布方式为四方排列，通道的截面为正方形或者八边形；反射层，反射层制备在硅微通道阵列内的侧表面上，材料为具有高反射率的金属或二氧化硅；填充介质，填充介质填充在反射层构成的空间内，热膨胀系数与硅接近。本发明能制备孔径小到1微米的硅微通阵列结构，提高了光纤面板的分辨率，解决了其与图像传感器匹配问题；光纤面板中纤维间是硅材料，完全解决了传统光纤面板中的光串扰问题；通道的方向都是[100]晶向，通道孔径均匀一致，不会产生传统光纤面板工艺中的畸变问题。
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公开(公告)号：CN108318135B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810043764.7
申请日：2018-01-17
申请人： 长春理工大学
摘要： 本发明公开了一种光纤激光在线监测系统。该系统包括：光纤激光器、光纤取样器、探测单元、信号处理电路和数据采集处理单元；光纤激光器中与激光产生部件连接的第一传输光纤和与激光输出头连接的第二传输光纤连接，形成熔接点，第一传输光纤段、第二传输光纤段与熔接点构成熔接传输光纤；光纤取样器包括至少一根耦合光纤，耦合光纤与熔接传输光纤并行贴合，或缠绕在熔接传输光纤上；探测单元与光纤取样器中的耦合光纤连接；信号处理电路与探测单元电连接；数据采集处理单元与信号处理电路电连接。本发明通过设置包括至少一根耦合光纤的光纤取样器，避免了在出射光路上插入光学器件，降低了系统的复杂性，且能够对光纤激光进行实时在线监测。
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公开(公告)号：CN106972343A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710350829.8
申请日：2017-05-18
申请人： 长春理工大学 , 长春市紫微光电科技有限责任公司 , 长春威视追光科技有限责任公司
摘要： 调制电子束泵浦半导体量子点白光随机激光通信光源属于光通信技术领域。现有技术调制带宽窄、结构复杂。在本发明之调制电子束泵浦半导体量子点白光随机激光通信光源中，红外种子光源、准直扩束镜、光电阴极、微通道板、电子束聚焦极、透射式阳极和半导体量子点发光层依次同轴排列；在光电阴极、微通道板、电子束聚焦极、透射式阳极之间加有方向相同的电压；透射式阳极覆盖在半导体量子点发光层上；在所述半导体量子点发光层内均匀分布等摩尔量的蓝光、绿光和红光半导体量子点，还均匀分布有与蓝光、绿光和红光分别相对应的具有消光作用的贵金属纳米晶。本发明应用于可见光无线通信，发出经调制电子束泵浦调制的白光随机激光载波，在进行室内照明的同时，实现可见光无线通信。
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公开(公告)号：CN109675542B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811446777.5
申请日：2018-11-29
申请人： 长春理工大学 , 长春市洁环光电科技有限公司
摘要： 利用PN结自供电的半导体光电催化器件属于光电催化技术领域。现有技术为了提高半导体光电催化器件的催化效率，致使结构复杂。本发明之利用PN结自供电的半导体光电催化器件其特征在于，在P‑N+硅片的P‑区分布若干栅条，自P‑区至N+区掺杂浓度由稀变浓，栅条以下的P‑区厚度为50～120μm；栅条的顶面和侧面覆盖有半导体纳米线光电催化层。本发明能够用来催化净化水体，同时能够利用光照实现自供电，催化效率得到提高，器件结构得到简化。
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