公开(公告)号：CN102938381A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210240072.4

申请日：2012-07-12

申请人： 长春理工大学

发明人： 翁占坤 ,  袁安刚 ,  米伟勋 ,  王作斌 ,  宋正勋 ,  许红梅 ,  刘兰娇 ,  于淼 ,  胡贞

IPC分类号： H01L21/465

摘要： 三维纳米多孔InP阵列结构材料的制备方法，其特征在于，在恒定电流模式下，通过控制电化学参数，使电化学刻蚀InP过程中形成电压的自适应振荡，实现电化学可控制备InP三维纳米多孔阵列结构材料。本发明适于制备InP及其它化合物半导体材料三维纳米多孔阵列结构材料，最小单元特征尺寸可达到100纳米，所采用的电化学刻蚀工艺具有高效、廉价、简便、可在大气环境下进行等优点，便于推广和应用。

公开(公告)号：CN102169921A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110001576.6

申请日：2011-01-06

申请人： 长春理工大学

发明人： 徐佳 ,  王作斌 ,  翁占坤 ,  宋正勋 ,  胡贞 ,  赵乐 ,  袁安刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  G03F7/20

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 增大光电材料或元件有效感光面积的制备技术的原理是：利用激光干涉光刻，通过对曝光光束数、光束偏振以及入射角的控制来得到不同周期和特征尺寸的微纳米级结构，并在该结构上利用半导体掺杂最终实现在单位面积内增大P-N节的实际有效面积。利用该技术和方法制造光电材料或元件，可以在单位面积上大幅度增大有效感光面积，从而提高光吸收率，结合微纳结构所具有的自清洁和减反射等特性使得其应用前景更加广泛，尤其是在太阳能电池领域，将大幅度提高转换效率。