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公开(公告)号：CN113276348B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202010102763.2
申请日：2020-02-19
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种注塑模具及一种注塑方法，所述注塑模具包括：底盘，用于放置待注塑的封装芯片，所述封装芯片包括基板及通过倒装工艺固定于所述基板正面的至少一个芯片，所述基板上具有气孔；所述底盘内形成有沿至少两个方向延伸且相互交叉连通的两个以上的气道，各个气道的两端均为开放端口，且其中至少一个气道埋入所述底盘内；所述气道上具有出气口，当封装芯片放置于底盘上时，所述出气口与所述基板上的气孔连通。所述注塑模具有利于在进行注塑时排出注塑模具腔体内的气体，提高注塑后封装芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111933194B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202010902453.9
申请日：2020-09-01
Applicant: 安徽大学 , 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块，用于读取第一位线或第二位线上存储单元中的数据；控制模块，与放大模块电连接；其中，在读取第一位线上存储单元中数据的情况下，在灵敏放大器的第一放大阶段，控制模块用于将放大模块配置为包括第一电流镜结构，并将第一电流镜结构的镜像端与第二位线连接；在读取第二位线上存储单元中数据的情况下，在灵敏放大器的第一放大阶段，控制模块用于将放大模块配置为包括第二电流镜结构，并将第二电流镜结构的镜像端与第一位线连接。本公开可以提高存储器读取数据的准确性。
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公开(公告)号：CN111863049B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202010733096.8
申请日：2020-07-27
Applicant: 安徽大学 , 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块，用于读取位线或参考位线上存储单元的数据；第一开关模块，被配置为当灵敏放大器针对位线读第一状态且灵敏放大器处于放大阶段时，控制放大模块与参考位线断开；当灵敏放大器针对位线读第二状态且灵敏放大器处于放大阶段时，控制放大模块与参考位线连接。本公开可以减小灵敏放大器的功耗。
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公开(公告)号：CN111863050B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010733140.5
申请日：2020-07-27
Applicant: 安徽大学 , 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块；偏移电压存储单元，与放大模块电连接；其中，在灵敏放大器的偏移消除阶段，灵敏放大器被配置为包含电流镜结构，以将放大模块的偏移电压存储在偏移电压存储单元中。本公开可以实现灵敏放大器的偏移消除。
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公开(公告)号：CN115223946A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110429538.4
申请日：2021-04-21
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体存储装置及其制造方法，方法包括以下步骤：提供一衬底，衬底包括由下至上依次层叠的第一源极/漏极层、沟道层和第二源极/漏极层；在衬底内形成字线沟槽，字线沟槽的底部到达第一源极/漏极层内；在字线沟槽内形成第一保护层和第二保护层；第一保护层覆盖字线沟槽的底部，且第一保护层的顶面与第一源极/漏极层的顶面齐平，或低于第一源极/漏极层的顶面；第二保护层形成在字线沟槽的侧壁，且至少部分覆盖第二源极/漏极层的侧壁；横向刻蚀字线沟槽，以在字线沟槽未被第一保护层和第二保护层覆盖的侧壁形成凹陷结构；在凹陷结构的表面形成字线结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114121072A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010879444.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: G11C11/40 , G11C11/4063
Abstract: 本发明实施例提供一种存储器的调节方法、调节系统以及半导体器件，存储器的调节方法包括：获取晶体管的温度、敏感放大器中敏感放大晶体管的衬底偏压以及存储器的实际数据写入时间的映射关系；获取晶体管的当前温度；基于当前温度以及映射关系调整衬底偏压，以使调整后的衬底偏压对应的实际数据写入时间在预设写入时间内。由于温度会影响存储器的实际数据写入时间，首先获取晶体管的温度、敏感放大器中敏感放大晶体管的衬底偏压以及实际数据写入时间之间的映射关系，根据晶体管的当前温度获取存储器的实际数据写入时间，通过调整敏感放大器中敏感放大晶体管的衬底偏压以调整晶体管在当前温度下存储器的实际数据写入时间。
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公开(公告)号：CN114115439A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010873263.9
申请日：2020-08-26
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种存储器，包括：控制芯片；多个存储芯片，多个所述存储芯片共用信道与所述控制芯片电连接，多个所述存储芯片包括第一存储芯片组和第二存储芯片组，所述第一存储芯片组中的存储芯片被配置为采用第一时钟信号与所述控制芯片进行信息交互，所述第二存储芯片组中的存储芯片被配置为采用第二时钟信号与所述控制芯片进行信息交互，所述第一时钟信号和所述第二时钟信号的相位不同。本发明实施例能够减少存储器的信道数量。
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公开(公告)号：CN113393892A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010166586.4
申请日：2020-03-11
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本公开实施例提供一种控制芯片的测试方法及装置、电子设备和计算机可读存储介质，涉及半导体器件测试技术领域。该控制芯片中包括内建自测电路，该方法由该内建自测电路执行。该方法包括：读取存储于第一目标存储器芯片中的第一测试向量；将该第一测试向量发送至该控制芯片；接收该控制芯片响应于该第一测试向量返回的第一输出信息；根据该第一输出信息及其对应的第一测试向量，获得该控制芯片的第一测试结果。本公开实施例提供的技术方案，可以利用存储器芯片存储控制芯片的测试向量，从而可以扩大测试向量的存储空间，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN113276359A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010102448.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种注塑模具及一种注塑方法，所述注塑模具包括：底盘，用于放置待注塑的封装芯片，所述封装芯片包括基板及通过倒装工艺固定于所述基板表面的至少一个芯片，所述基板上具有通孔；所述底盘内形成有注胶通道，用于注入塑封料，所述注胶通道与所述基板上的通孔连通。上述注塑模具能够提高注塑后封装芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111863050A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010733140.5
申请日：2020-07-27
Applicant: 安徽大学 , 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块；偏移电压存储单元，与放大模块电连接；其中，在灵敏放大器的偏移消除阶段，灵敏放大器被配置为包含电流镜结构，以将放大模块的偏移电压存储在偏移电压存储单元中。本公开可以实现灵敏放大器的偏移消除。
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