公开(公告)号：CN116209257B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310492394.6

申请日：2023-05-05

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 罗荣峰 ,  熊内隆宏

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，包括阵列区和外围区；阵列区具有第一晶体管，外围区具有第二晶体管；电容器，位于阵列区的衬底上；电容器的下电极与第一晶体管连接；第一接触柱，位于电容器上；第一接触柱与电容器的上电极连接；接触结构，位于外围区的衬底上，包括：依次堆叠的第二接触柱和第三接触柱；第二接触柱与第二晶体管连接，第三接触柱与第二接触柱接触；沿垂直于衬底平面所在的方向，第二接触柱的尺寸和电容器的尺寸基本相同。这样改善外围区接触结构的均匀性以及多个接触结构之间的一致性。

公开(公告)号：CN116209257A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310492394.6

申请日：2023-05-05

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 罗荣峰 ,  熊内隆宏

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，包括阵列区和外围区；阵列区具有第一晶体管，外围区具有第二晶体管；电容器，位于阵列区的衬底上；电容器的下电极与第一晶体管连接；第一接触柱，位于电容器上；第一接触柱与电容器的上电极连接；接触结构，位于外围区的衬底上，包括：依次堆叠的第二接触柱和第三接触柱；第二接触柱与第二晶体管连接，第三接触柱与第二接触柱接触；沿垂直于衬底平面所在的方向，第二接触柱的尺寸和电容器的尺寸基本相同。这样改善外围区接触结构的均匀性以及多个接触结构之间的一致性。