公开(公告)号：CN103891068B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280051661.6

申请日：2012-10-17

申请人： 阿尔卡特朗讯

发明人： 段广华 ,  弗朗索瓦·布里卢埃 ,  让-路易·根特纳

IPC分类号： H01S5/50 ,  G02F1/095 ,  H01S5/026

CPC分类号： H01S5/0064 ,  B82Y20/00 ,  G02B2006/12085 ,  G02B2006/12157 ,  G02F1/0955 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/50 ,  Y10S977/755

摘要： 一种集成式光结构包括：至少一个光隔离器(1)，其包括磁光层，所述至少一个光隔离器与以下者相关联：至少一个SOA光放大器(10)，其包括波导(6)，所述波导包括n型掺杂的半导体层、p型掺杂的半导体层及安置于所述n型掺杂的半导体层与所述p型掺杂的半导体层之间的有源区。所述光隔离器(1)安置于SOI基底(2)与所述SOA光放大器的波导(6)之间。所述光隔离器的磁光层(16)安置于下部绝缘层(15)与上部绝缘层(14)之间。所述光隔离器的磁光层(16)可为铁磁性金属材料层(例如Fe-Co金属合金)或磁性氧化物层。一种光学装置包括至少一个集成式光结构。

公开(公告)号：CN103891068A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051661.6

申请日：2012-10-17

申请人： 阿尔卡特朗讯

发明人： 段广华 ,  弗朗索瓦·布里卢埃 ,  让-路易·根特纳

IPC分类号： H01S5/50 ,  G02F1/095 ,  H01S5/026

CPC分类号： H01S5/0064 ,  B82Y20/00 ,  G02B2006/12085 ,  G02B2006/12157 ,  G02F1/0955 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/50 ,  Y10S977/755

摘要： 一种集成式光结构包括：至少一个光隔离器(1)，其包括磁光层，所述至少一个光隔离器与以下者相关联：至少一个SOA光放大器(10)，其包括波导(6)，所述波导包括n型掺杂的半导体层、p型掺杂的半导体层及安置于所述n型掺杂的半导体层与所述p型掺杂的半导体层之间的有源区。所述光隔离器(1)安置于SOI基底(2)与所述SOA光放大器的波导(6)之间。所述光隔离器的磁光层(16)安置于下部绝缘层(15)与上部绝缘层(14)之间。所述光隔离器的磁光层(16)可为铁磁性金属材料层(例如Fe-Co金属合金)或磁性氧化物层。一种光学装置包括至少一个集成式光结构。