公开(公告)号：CN1909312B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200610105465.9

申请日：2006-06-08

申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司

发明人： D·P·布尔 ,  A·坦顿 ,  M·R·T·谭

IPC分类号： H01S5/026 ,  H04B10/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/017 ,  G02F1/01725 ,  G02F2001/01766 ,  G02F2202/101 ,  G02F2202/102

摘要： 通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。

公开(公告)号：CN1909312A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610105465.9

申请日：2006-06-08

申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司

发明人： D·P·布尔 ,  A·坦顿 ,  M·R·T·谭

IPC分类号： H01S5/026 ,  H04B10/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/017 ,  G02F1/01725 ,  G02F2001/01766 ,  G02F2202/101 ,  G02F2202/102

摘要： 通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。