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公开(公告)号：CN1909312B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610105465.9
申请日：2006-06-08
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , G02F2202/102
摘要： 通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。
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公开(公告)号：CN1288764C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN03158879.4
申请日：2003-09-16
申请人： 日本电信电话株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , H01S5/0265
摘要： 在本发明的半导体光调制器中，用作光吸收层的量子阱结构的每个量子阱层和每个势垒层分别由In1-X-YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)和In1-X′-Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)构成。通过自发极化，在光吸收层中产生电场。
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公开(公告)号：CN103176327B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210376811.2
申请日：2012-10-08
申请人： 富士通株式会社
发明人： 秋山知之
CPC分类号： H04J14/0212 , G02B6/12007 , G02F1/0147 , G02F1/313 , G02F1/3132 , G02F2001/311 , G02F2201/06 , G02F2201/58 , G02F2202/101 , G02F2202/105 , G02F2203/05 , G02F2203/15 , G02F2203/58 , G02F2203/585 , H04J14/02
摘要： 本发明公开了一种解复用器和光解复用方法。一种光开关包括：基板；环形谐振器，其形成在基板上；第一波导，其与环形谐振器光学耦合地形成在基板上，该第一波导被配置成引导WDM信号；光学检测器，其被配置成检测所述环形谐振器中的光信号分量；温度调节器，其响应于光学检测器的输出信号而被驱动，该温度调节器被配置成改变环形谐振器的温度，环形谐振器具有与构成WDM信号的光信号分量的波长相对应的谐振波长，环形谐振器、光学检测器和温度调节器一起构成反馈控制系统，该反馈控制系统将环形谐振器的谐振波长锁定至WDM信号中的光信号分量的波长。
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公开(公告)号：CN102105835B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980128974.5
申请日：2009-07-28
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F2202/101 , Y10T156/1075
摘要： 本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。
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公开(公告)号：CN105204190A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410256651.7
申请日：2014-06-10
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G02F1/01
CPC分类号： G02F1/21 , G02F1/015 , G02F2001/213 , G02F2201/124 , G02F2201/30 , G02F2202/101 , G02F2203/10 , G02F2203/13 , G02F2203/15 , H01L21/0254 , H01L21/28575 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42316 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L31/00 , H01L33/00
摘要： 本发明提出一种基于低维电子等离子体波的太赫兹调制器和制造方法以及一种高速调制方法，所述太赫兹调制器包括等离激元和谐振腔；本发明基于电子集体振荡(等离子体波，即等离激元，Plasmon)引起的共振吸收机制。为了增强太赫兹波和等离激元的耦合强度，将具有光栅栅极的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管结构集成在一个太赫兹法布里-玻罗谐振腔里，等离激元与谐振腔模式的强耦合形成了等离极化激元。强耦合作用使得谐振腔模式的透射系数在共振点最小，通过光栅栅压的改变，调控等离激元和腔模的共振条件，实现对太赫兹波的高效、高速调制。本发明对该器件的工作原理和实现工艺技术都做了详细的介绍，为相关应用提供一种较佳的解决方案。
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公开(公告)号：CN103176327A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210376811.2
申请日：2012-10-08
申请人： 富士通株式会社
发明人： 秋山知之
CPC分类号： H04J14/0212 , G02B6/12007 , G02F1/0147 , G02F1/313 , G02F1/3132 , G02F2001/311 , G02F2201/06 , G02F2201/58 , G02F2202/101 , G02F2202/105 , G02F2203/05 , G02F2203/15 , G02F2203/58 , G02F2203/585 , H04J14/02
摘要： 本发明公开了一种解复用器和光解复用方法。一种光开关包括：基板；环形谐振器，其形成在基板上；第一波导，其与环形谐振器光学耦合地形成在基板上，该第一波导被配置成引导WDM信号；光学检测器，其被配置成检测所述环形谐振器中的光信号分量；温度调节器，其响应于光学检测器的输出信号而被驱动，该温度调节器被配置成改变环形谐振器的温度，环形谐振器具有与构成WDM信号的光信号分量的波长相对应的谐振波长，环形谐振器、光学检测器和温度调节器一起构成反馈控制系统，该反馈控制系统将环形谐振器的谐振波长锁定至WDM信号中的光信号分量的波长。
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公开(公告)号：CN1909312A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610105465.9
申请日：2006-06-08
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , G02F2202/102
摘要： 通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。
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公开(公告)号：CN107408572A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680008498.3
申请日：2016-02-01
申请人： 默克专利股份有限公司 , 耶路撒冷希伯来大学伊森姆研究发展公司
CPC分类号： H01L27/322 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/883 , G02B5/206 , G02B2207/101 , G02F2001/01791 , G02F2001/133614 , G02F2202/101 , G02F2202/102 , G02F2202/106 , G02F2202/107 , G02F2202/36 , H01L27/3213 , H01L27/3244 , H01L2251/5369 , Y10S977/774 , Y10S977/813 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , Y10S977/952 , B82Y30/00 , C09K11/025
摘要： 本发明尤其涉及包含纳米粒子的彩色显示器以及滤色体。
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公开(公告)号：CN1490644A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03158879.4
申请日：2003-09-16
申请人： 日本电信电话株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , H01S5/0265
摘要： 在本发明的半导体光调制器中，用作光吸收层的量子阱结构的每个量子阱层和每个势垒层分别由In1－X－YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)和In1－X′－Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)构成。通过自发极化，在光吸收层中产生电场。
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公开(公告)号：CN1264475A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN98806485.5
申请日：1998-06-23
申请人： 伊欧斯特有限公司
IPC分类号： G02F1/295
CPC分类号： B41J2/451 , G02B6/2813 , G02B6/43 , G02B27/0087 , G02B2006/12145 , G02F1/2955 , G02F1/313 , G02F2202/101
摘要： 一种光学开关(20),其包括:单片的多个方向可选的光束偏转装置(52,54,56,58),和多个光束接收装置(55,424)。
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