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公开(公告)号：CN114914308B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210133191.3
申请日：2022-02-09
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 一种用于在半导体晶片上结构化绝缘层的方法，该方法至少包括以下步骤：提供具有上侧、下侧并且包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片，其中，每个太阳能电池堆叠都以所提到的顺序具有构造半导体晶片的下侧的Ge衬底、Ge子电池和至少两个III‑V族子电池，以及具有至少一个从半导体晶片的上侧延伸至下侧的贯通开口，所述贯通开口具有连贯的侧壁，在半导体晶片的上侧、贯通开口的侧壁和/或半导体晶片的下侧上面式地施加的绝缘层，并且借助印刷方法将耐蚀刻的填充材料施加到所述上侧的包括贯通开口的区域上并且进入所述贯通开口中。
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公开(公告)号：CN112447859B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010861857.8
申请日：2020-08-25
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种具有包括多层系统的金属化层的堆叠状的多结太阳能电池，其中，多结太阳能电池具有构成该多结太阳能电池的下侧的锗衬底、锗子电池和至少两个III‑V族子电池，金属化层的多层系统按顺序地具有第一层、第二层、第三层和至少一个金属的第四层：包括金和锗的第一层具有至少2nm和至多50nm的层厚度D1；包括钛的第二层具有至少10nm和至多300nm的厚度D2；包括钯或镍或铂的第三层具有至少5nm和至多300nm的层厚度D3；至少一个金属的第四层具有至少2μm的厚度，金属化层的多层系统覆盖至少一个第一表面区段和第二表面区段，并且与第一表面区段和第二表面区段材料锁合地连接，其中，第一表面区段由电介质的隔离层构成，第二表面区段由锗衬底或III‑V族层构成。
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公开(公告)号：CN112447881B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202010875053.3
申请日：2020-08-27
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 提供一种用于半导体晶片的贯通开口的保护方法，保护方法至少包括以下步骤：提供半导体晶片，半导体晶片具有上侧和下侧，并且包括多个太阳能电池堆叠，其中，每个太阳能电池堆叠按所顺序地包括构造半导体晶片的所述下侧的Ge衬底、Ge子电池和至少两个III‑V族子电池，以及从半导体晶片的上侧延伸至所述半导体晶片的所述下侧的至少一个贯通开口，贯通开口具有连贯的侧壁和椭圆形外周的横截面；在半导体晶片的所述上侧上以及在所述贯通开口的侧壁的与上侧邻接的至少一个区域上施加光致抗蚀剂层；借助印刷方法，将有机填充材料施加到上侧的包围所述贯通开口的区域上，并将所述有机填充材料施加到贯通开口中。
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公开(公告)号：CN112447881A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010875053.3
申请日：2020-08-27
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 提供一种用于半导体晶片的贯通开口的保护方法，保护方法至少包括以下步骤：提供半导体晶片，半导体晶片具有上侧和下侧，并且包括多个太阳能电池堆叠，其中，每个太阳能电池堆叠按所顺序地包括构造半导体晶片的所述下侧的Ge衬底、Ge子电池和至少两个III‑V族子电池，以及从半导体晶片的上侧延伸至所述半导体晶片的所述下侧的至少一个贯通开口，贯通开口具有连贯的侧壁和椭圆形外周的横截面；在半导体晶片的所述上侧上以及在所述贯通开口的侧壁的与上侧邻接的至少一个区域上施加光致抗蚀剂层；借助印刷方法，将有机填充材料施加到上侧的包围所述贯通开口的区域上，并将所述有机填充材料施加到贯通开口中。
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公开(公告)号：CN112447859A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010861857.8
申请日：2020-08-25
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种具有包括多层系统的金属化层的堆叠状的多结太阳能电池，其中，多结太阳能电池具有构成该多结太阳能电池的下侧的锗衬底、锗子电池和至少两个III‑V族子电池，金属化层的多层系统按顺序地具有第一层、第二层、第三层和至少一个金属的第四层：包括金和锗的第一层具有至少2nm和至多50nm的层厚度D1；包括钛的第二层具有至少10nm和至多300nm的厚度D2；包括钯或镍或铂的第三层具有至少5nm和至多300nm的层厚度D3；至少一个金属的第四层具有至少2μm的厚度，金属化层的多层系统覆盖至少一个第一表面区段和第二表面区段，并且与第一表面区段和第二表面区段材料锁合地连接，其中，第一表面区段由电介质的隔离层构成，第二表面区段由锗衬底或III‑V族层构成。
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公开(公告)号：CN114914308A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210133191.3
申请日：2022-02-09
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 一种用于在半导体晶片上结构化绝缘层的方法，该方法至少包括以下步骤：提供具有上侧、下侧并且包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片，其中，每个太阳能电池堆叠都以所提到的顺序具有构造半导体晶片的下侧的Ge衬底、Ge子电池和至少两个III‑V族子电池，以及具有至少一个从半导体晶片的上侧延伸至下侧的贯通开口，所述贯通开口具有连贯的侧壁，在半导体晶片的上侧、贯通开口的侧壁和/或半导体晶片的下侧上面式地施加的绝缘层，并且借助印刷方法将耐蚀刻的填充材料施加到所述上侧的包括贯通开口的区域上并且进入所述贯通开口中。
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公开(公告)号：CN112447885A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010883746.7
申请日：2020-08-28
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 本发明涉及一种用于半导体晶片的金属化方法，至少包括以下步骤：提供半导体晶片，该半导体晶片具有上侧、下侧并且包括多个太阳能电池堆，其中，每个太阳能电池堆具有以所提到的顺序布置的构造所述半导体晶片的所述下侧的Ge‑衬底、Ge‑子电池和至少两个III‑V‑子电池，以及具有至少一个从半导体晶片的所述上侧达到所述下侧的贯通开口，该贯通开口具有连续的侧壁和在横截面中呈卵形的周边，借助于印刷方法将光刻胶层作为胶图案区域式地施加在所述半导体晶片的所述上侧或所述下侧上或者施加在所述上侧和所述下侧上，将金属层面式地施加到所述半导体晶片的涂覆有所述光刻胶层的表面的露出区域上以及施加到所述光刻胶层上，将所述胶图案与所述金属层的位于所述胶图案上的部分从所述半导体晶片剥离。
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