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公开(公告)号：CN118629955A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410266175.0
申请日：2024-03-08
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/306 , B23K26/382
摘要： 本发明涉及一种用于分离在半导体晶片上外延生长的III‑V族半导体层的方法，半导体晶片构造为衬底并且具有上侧，在上侧上构造有缓冲层和半导体层，并且在半导体层上方构造有载体层，并且与半导体层相比，牺牲层的湿化学蚀刻率更高，在一个工艺步骤中，将半导体晶片引入到容纳装置中，在一个工艺步骤中，从存储器装置中读取布置在上侧上的点的位置数据，在一个工艺步骤中，激光器向所述位置数据预给定的点运动，并且借助激光器穿过载体层和构造在载体层下方的层产生具有底部的孔，相应的孔的底部构造在缓冲层内，在一个湿化学工艺步骤中，在支承的载体层的情况下，将蚀刻溶液引入到所述孔中，以便至少部分地移除所述牺牲层并且分离半导体层。
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公开(公告)号：CN112447860B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010868536.0
申请日：2020-08-26
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
发明人： W·克斯特勒
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种具有背侧接通的正侧的堆叠状的多结太阳能电池，该多结太阳能电池按顺序地彼此相继地具有构成多结太阳能电池的背侧的锗衬底、锗子电池以及至少两个III‑V族子电池，并且具有从多结太阳能电池的正侧穿过子电池延伸至背侧的敷镀贯通开口和引导通过该敷镀贯通开口的金属的连接接通部，其中，敷镀贯通开口具有连贯的侧面和椭圆形横截面的外周，其中，从多结太阳能电池的正侧到背侧，敷镀贯通开口的直径台阶状地降低，其中，锗子电池的正侧构造有向敷镀贯通开口突出的具有第一出口深度的周向第一台阶，其中，从锗子电池的位于锗子电池的pn结下方的区域中构造有向敷镀贯通开口突出的具有第二出口深度的周向第二台阶。
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公开(公告)号：CN110582855B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201880028889.0
申请日：2018-03-08
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/167 , H01L31/0304 , H03K17/78 , H03K19/14 , G02F3/00
摘要： 一种光接收单元(EM)，其具有第一能量源(VQ1)，第一能量源具有分别构造为电流源或电压源的两个部分源(TQ1，TQ2)，在第一部分源(TQ1)的上侧上构造有第一连接接通部(VSUP1)，在第二部分源(TQ1)的下侧上构造有第二连接接通部(VSUP2)，部分源(TQ1，TQ2)分别具有至少一个半导体二极管(D1，D2)，第一半导体二极管(D1)具有与第一光波长(L1)相匹配的吸收棱边，第二半导体二极管(D2)具有与第二光波长(L2)相匹配的吸收棱边，第二光波长与第一光波长(L1)不同，从而第一部分源(TQ1)在以第一光波长(L1)进行照射的情况下产生电压，第二部分源(TQ2)在以第二光波长(L2)进行照射的情况下产生电压，第一半导体二极管(D1)与第二半导体二极管(D2)极性相反地串联连接，从而由第一半导体二极管和第二半导体二极管(D1，D2)所产生的电压至少部分地相互抵消。
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公开(公告)号：CN112447880B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010861859.7
申请日：2020-08-25
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
发明人： W·克斯特勒
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种两阶段的孔蚀刻方法，该两阶段孔蚀刻方法至少包括以下步骤：提供包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片，并且以所提及的顺序执行第一工艺部分和第二工艺部分，其中，在第一工艺部分中，在半导体晶片的上侧上施加第一涂料层，在第一涂料层中产生至少一个第一开口，并且借助第一蚀刻工艺在第一开口的区域中产生延伸超过Ge子电池的pn结直到半导体晶片中的孔，在第二工艺部分中，将第二涂料层施加到半导体晶片的上侧上，在第二涂料层中产生相比于第一开口更大并且围绕该孔的第二开口，并且借助第二蚀刻工艺将在第二开口的区域中的孔在如下区域中扩宽：该区域延伸至作为蚀刻停止层的Ge子电池。
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公开(公告)号：CN112447884B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202010881683.1
申请日：2020-08-27
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L23/544 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种用于将唯一明确的标识施加到半导体晶片的每个单个太阳能电池堆叠上的标记方法，该方法至少包括以下步骤：提供具有上侧和下侧并且包括构造下侧的Ge衬底的半导体晶片，并且借助第一激光进行激光烧蚀来在半导体晶片的每个太阳能电池堆叠的下侧的表面区域上产生具有唯一明确的形貌的标识，其中，该表面区域分别由Ge衬底或由覆盖Ge衬底的隔离层构造。
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公开(公告)号：CN108604899B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201780010690.0
申请日：2017-02-02
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H03K19/14 , H01L31/167
摘要： 一种光电耦合器(OPK)，其具有发送单元(S)和接收单元(EM)，所述发送单元与所述接收单元彼此电流隔离并且彼此光学耦合，并且集成在一个共同的壳体中。所述发送单元(S)具有至少一个第一发送二极管(SD1)和第二发送二极管(SD2)，所述第一发送二极管具有第一光波长(L1)，所述第二发送二极管具有第二光波长(L2)。所述接收单元(EM)的能量源(VQ)具有两个部分源(VQ1、VQ2)，其中，该第一部分源(VQ1)具有第一半导体二极管(D1)，该第二部分源(VQ2)具有第二半导体二极管(D2)，其中，该第一半导体二极管(D1)具有匹配于第一光波长(L1)的吸收边，该第二半导体二极管(D2)具有匹配于第二光波长(L2)的吸收边，使得该第一部分源(VQ1)在借助第一光波长(L1)照射时产生能量，该第二部分源(VQ2)在借助第二光波长(L2)照射时产生能量。两个部分源(VQ1，VQ2)构成共同的堆叠，并且相继布置的半导体二极管(D1、D2)通过隧道二极管串联连接。
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公开(公告)号：CN105938854A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610115399.7
申请日：2016-03-01
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/02
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L27/142 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/03046 , H01L31/0443 , H01L31/0687 , Y02E10/544 , H01L31/02008
摘要： 一种太阳能电池装置，具有多结太阳能电池和保护二极管结构，其中所述多结太阳能电池和所述保护二极管结构具有一个共同的背侧面以及通过台面型沟槽分离的前侧，所述共同的背侧面包括导电层并且光通过所述前侧进入到所述多结太阳能电池中，其中所述多结太阳能电池包括由多个太阳能电池组成的叠堆并且具有最接近所述前侧地布置的上太阳能电池和最接近所述背侧地布置的下太阳能电池，每一个太阳能电池包括一个np结并且在相邻的太阳能电池之间布置有隧道二极管，并且在所述保护二极管结构中的半导体层的数量小于在所述多结太阳能电池中的半导体层的数量，然而在所述保护二极管结构中的半导体层的顺序相应于所述多结太阳能电池的半导体层的顺序。
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公开(公告)号：CN115084283A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210198134.3
申请日：2022-03-02
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0443 , H01L31/05
摘要： 一种太阳能电池接触装置，其具有带有上侧、下侧的半导体本体，半导体本体具有多个太阳能电池堆叠且在下侧上包括载体衬底，且每个太阳能电池堆叠具有布置在载体衬底上的至少两个III‑V族子电池和从半导体本体的上侧延伸至下侧的至少一个贯通接触部，贯通接触部具有连续侧壁，贯通开口在上侧上具有第一边缘区域且在下侧上具有第二边缘区域，且所述第一边缘区域具有第一区段和第二金属区段，且第二边缘区域具有第一区段和第二区段，相应的第二区段完全包围相应的第一区段，且具有绝缘层，绝缘层在第一边缘区域中构造在第一区段上，构造在侧壁上，且在第二边缘区域中构造在第一区段和第二区段上，且具有至少部分地布置在绝缘层上的导电层。
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公开(公告)号：CN112447883A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010881681.2
申请日：2020-08-27
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/78 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种用于沿着至少一个分离线对包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片进行分离的分离方法，该分离方法至少包括以下步骤：提供半导体晶片，该半导体晶片具有上侧、下侧、与上侧材料锁合地连接的粘合剂层和与粘合剂层材料锁合地连接的盖玻璃层，其中，具有多个太阳能电池堆叠的半导体晶片分别包括构成半导体晶片的下侧的锗衬底层、锗子电池和至少两个III‑V族子电池，沿着分离线借助激光烧蚀产生分离沟道，该分离沟道从半导体晶片的下侧穿过半导体晶片和粘合剂层至少延伸至盖玻璃层的与粘合剂层邻接的下侧，以及沿着分离沟道分开盖玻璃层。
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公开(公告)号：CN112447859A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010861857.8
申请日：2020-08-25
申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/0725
摘要： 一种具有包括多层系统的金属化层的堆叠状的多结太阳能电池，其中，多结太阳能电池具有构成该多结太阳能电池的下侧的锗衬底、锗子电池和至少两个III‑V族子电池，金属化层的多层系统按顺序地具有第一层、第二层、第三层和至少一个金属的第四层：包括金和锗的第一层具有至少2nm和至多50nm的层厚度D1；包括钛的第二层具有至少10nm和至多300nm的厚度D2；包括钯或镍或铂的第三层具有至少5nm和至多300nm的层厚度D3；至少一个金属的第四层具有至少2μm的厚度，金属化层的多层系统覆盖至少一个第一表面区段和第二表面区段，并且与第一表面区段和第二表面区段材料锁合地连接，其中，第一表面区段由电介质的隔离层构成，第二表面区段由锗衬底或III‑V族层构成。
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