一种银纳米线触控模组及制备方法、触摸屏及终端设备

    公开(公告)号:CN117070946A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311034203.8

    申请日:2023-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种银纳米线触控模组及制备方法、触摸屏及终端设备,包括在柔性基材上涂布银纳米线墨水,形成银纳米线层,在银纳米线层上涂布OC层,在OC层上涂布正性光刻胶,形成正性光刻胶层,得到正性光刻胶覆盖银纳米线薄膜;然后在黄光下进行曝光和显影,刻蚀,退膜;对退膜后的银纳米线薄膜进行丝印银浆和激光蚀刻,分别贴合上下线和OCA胶,得到银纳米线触控模组。本发明可达到蚀刻纹路精细且不易发生侧蚀的效果,并采用极性有机溶剂与碱性溶剂相混合的退膜液,解决了蚀刻过程中蚀刻纹严重和退膜过程中出现二次染色的问题,保证了银纳米线触控模组的耐候性,具有蚀刻速度快和成本低廉的优点,适应于大规模工业化生产的优势。

    一种柔性复合透明导电薄膜

    公开(公告)号:CN206711623U

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201720087128.5

    申请日:2017-01-23

    Abstract: 本实用新型提供了一种柔性复合透明导电薄膜及其制备方法,包括衬底及依次置于衬底上的金属氧化物膜、中间层膜,以及金属纳米线膜,其中,中间层膜为耐弯性和导电性均大于ITO的膜。本实用新型增加了对导电性具有突出贡献的金属层,有效降低了透明导电薄膜的方块电阻值,金属层也具有比ITO层更好的耐弯折性。同时,顶层的银纳米线薄膜起到弯折保护层的作用,相比于目前光电综合性能较为优越的金属氧化物/金属/金属氧化物复合结构透明导电薄膜,本实用新型具有更好的耐弯折性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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