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公开(公告)号：CN105039911B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201510501833.0
申请日：2015-08-14
Applicant: 陕西师范大学 , 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
Abstract: 本发明一种透明导电薄膜，包括基底，在基底上沉积的透明导电薄膜，以及沉积在导电薄膜之间的缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜至少沉积有一层。一种透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤，步骤1，在经过预处理的基底上沉积第一层透明导电薄膜层；步骤2，然后沉积一层厚度不超过100纳米的缓冲层薄膜；步骤3，在缓冲层薄膜上沉积一层透明导电薄膜层；步骤4，重复步骤2和3达到需要的缓冲层薄膜层数，制备得到透明导电薄膜。本发明通过沉积多层的透明导电薄膜层，并在相邻的透明导电薄膜层之间分别添加缓冲层薄膜以制备透明导电薄膜，利用缓冲层薄膜的廉价制备低价的透明导电薄膜。不仅提高其电学性能和光学性能，而且成本低。
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公开(公告)号：CN105039911A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510501833.0
申请日：2015-08-14
Applicant: 陕西师范大学 , 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
Abstract: 本发明一种透明导电薄膜，包括基底，在基底上沉积的透明导电薄膜，以及沉积在导电薄膜之间的缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜至少沉积有一层。一种透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤，步骤1，在经过预处理的基底上沉积第一层透明导电薄膜层；步骤2，然后沉积一层厚度不超过100纳米的缓冲层薄膜；步骤3，在缓冲层薄膜上沉积一层透明导电薄膜层；步骤4，重复步骤2和3达到需要的缓冲层薄膜层数，制备得到透明导电薄膜。本发明通过沉淀多层的透明导电薄膜层，并在相邻的透明导电薄膜层之间分别添加缓冲层薄膜以制备透明导电薄膜，利用缓冲层薄膜的廉价制备低价的透明导电薄膜。不仅提高其电学性能和光学性能，而且成本低。
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公开(公告)号：CN105039910A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510501789.3
申请日：2015-08-14
Applicant: 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 , 陕西师范大学
Abstract: 本发明提供一种附着性好，成本低，导电性好，透光性优良，稳定的柔性透明导电薄膜。其包括柔性衬底，以及依次沉积在柔性衬底上的预制层，第一层透明导电薄膜和第二层保护层薄膜；预制层厚度为1-1000nm。通过预制层的设置，利用其优良导电性能和优良的粘附或者附着性能，能有效的提高透明导电薄膜在柔性衬底上的附着能力和导电性能，并且能够大幅提高透明导电薄膜的使用寿命。同时利用两层不同类型透明导电薄膜的设置，不仅能够降低成本，而且有助于提高其导电性和透光性，显著降低成本。
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公开(公告)号：CN103646998B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310692912.5
申请日：2013-12-16
Applicant: 陕西师范大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，在硅的N?I?P层与前、背两个透明导电氧化物层之间分别刻蚀周期边长为200～500nm的锯齿状三角一维光栅，其中硅的N?I?P层前表面的三角一维光栅与硅的N?I?P层背表面的三角一维光栅横向错位20～160nm。本发明通过使硅薄膜太阳电池光吸收的前、背光栅织构横向错位来增强电池的光吸收，硅薄膜太阳电池的总光吸收率与未横向错位的硅薄膜太阳电池相比，相对提高了7.9%～17.8%，进一步提升了硅薄膜太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN103556197B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310535381.9
申请日：2013-10-31
Applicant: 陕西师范大学
Abstract: 一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法，由下述步骤组成：将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2，以惰性金属片作第二电极3，两电极间的距离为0.2～10cm，在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液，沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底，调节pH值至2.0～7.5，加热不超过90℃，接通电源，调节两电极之间电压为-10～10V，在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点，可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103877993B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410114381.6
申请日：2014-03-25
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种超薄金属层催化剂及其用途，该催化剂包含载体、负载于载体上的主活性组分金属和助活性组分金属薄膜；主活性组分金属由均匀覆盖在载体上的超薄金属层构成；超薄金属层是金属铂、金、钯的任意一种；助活性组分金属薄膜为金、银、铜、铝、錸、铱中的一种；载体为泡沫镍或泡沫钛。本发明主活性成分的负载量最小化，提高催化性能，降低超电势，此催化剂对有机分子的催化加氢，使得有机氢化物预计将成为氢气有效的载体，解决氢气储存和运输的问题；并有望广泛应用于现在工业生产中，可以大大的降低了工业生产的成本。
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公开(公告)号：CN103646998A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310692912.5
申请日：2013-12-16
Applicant: 陕西师范大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，在硅的N-I-P层与前、背两个透明导电氧化物层之间分别刻蚀周期边长为200～500nm的锯齿状三角一维光栅，其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I-P层背表面的三角一维光栅横向错位20～160nm。本发明通过使硅薄膜太阳电池光吸收的前、背光栅织构横向错位来增强电池的光吸收，硅薄膜太阳电池的总光吸收率与未横向错位的硅薄膜太阳电池相比，相对提高了7.9%～17.8%，进一步提升了硅薄膜太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN106048530A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610573667.X
申请日：2016-07-20
Applicant: 陕西师范大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/321 , H01L21/28
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/5806 , H01L21/02403 , H01L21/02689 , H01L21/28185 , H01L21/321
Abstract: 本发明一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法，加热温度低，操作简单，成本低廉，易于实现。所述的方法是在柔性绝缘衬底上制备透明导电氧化物薄膜时或已经制备得到透明导电氧化物薄膜后，将厚度为纳米级到毫米级的TCO膜或其预制膜置在电磁辐射中进行处理以提高电导和/或透光性能。本发明利用电磁辐射加热优化透明导电氧化物薄膜质量的方法通过电磁辐射选择性加热TCO薄膜(合金膜或导电氧化物薄膜)。利用电磁辐射辐射的高频变化的电磁场诱导导电薄膜中的电子随电磁场高频运动，从而使导电薄膜本身瞬间发热。而作为基片的复合材料，不导电，不会被显著加热。从而能够在低温下对不耐高温的衬底材料上的TCO薄膜进行热处理。
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公开(公告)号：CN103824648B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410035263.6
申请日：2014-01-25
Applicant: 陕西师范大学
IPC: H01B13/00
CPC classification number: Y02P80/30
Abstract: 本发明公开了一种热处理透明导电薄膜材料的方法：首先，在柔性衬底上沉积透明导电薄膜，然后在透明导电薄膜的两个位置加上电压，通入电流，使透明导电材料温度上升，达到热处理效果，提高透明导电材料的透过率及电学性能。这种热处理的方式可以提高材料的导电性能与透过率，降低材料的损耗，提高生产效率；另一方面可明显降低热处理过程对基底材料的损伤。
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公开(公告)号：CN103877993A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410114381.6
申请日：2014-03-25
Applicant: 陕西师范大学
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种超薄金属层催化剂及其用途，该催化剂包含载体、负载于载体上的主活性组分金属和助活性组分金属薄膜；主活性组分金属由均匀覆盖在载体上的超薄金属层构成；超薄金属层是金属铂、金、钯的任意一种；助活性组分金属薄膜为金、银、铜、铝、錸、铱中的一种；载体为泡沫镍或泡沫钛。本发明主活性成分的负载量最小化，提高催化性能，降低超电势，此催化剂对有机分子的催化加氢，使得有机氢化物预计将成为氢气有效的载体，解决氢气储存和运输的问题；并有望广泛应用于现在工业生产中，可以大大降低工业生产的成本。
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