公开(公告)号：CN119912715A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510056036.X

申请日：2025-01-14

Applicant: 陕西科技大学

Inventor： 王海军 ,  余倩倩 ,  马伊莎

IPC: C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  G01D5/12 ,  H01G4/18

Abstract: 本发明属于聚合物薄膜领域，公开了一种聚偏氟乙烯薄膜及其制备方法和应用，包括：混合二甲基亚砜和聚偏氟乙烯，得到聚偏氟乙烯溶液；将所述聚偏氟乙烯溶液进行固化溶剂、清洗和干燥，得到聚偏氟乙烯薄膜。本发明聚偏氟乙烯薄膜制备方法，通过固化溶剂的方式制备富含极性相的聚偏氟乙烯薄膜，经过检测对比发现，相较于挥发溶剂获得的聚偏氟乙烯薄膜，该通过固化溶剂获得的聚偏氟乙烯薄膜中极性相含量明显升高。除此之外，薄膜是由直径均匀的微球相互连接构成。同时制备方法工艺简单且操作方便，能在较短时间制备出稳定的含有大量β和γ相晶体的聚偏氟乙烯薄膜，具有反应温度低、时间短以及易于工业化的特点。

公开(公告)号：CN118852691A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411108359.0

申请日：2024-08-13

Applicant: 陕西科技大学

Inventor： 王海军 ,  余倩倩 ,  马伊莎

IPC: C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K3/30 ,  H01C7/00

Abstract: 本发明属于聚合物薄膜领域，公开了一种聚偏氟乙烯介电复合薄膜及其制备方法和应用，包括：混合N，N‑二甲基甲酰胺、聚偏氟乙烯和硫酸钙离子低聚物，得到混合体系溶液；以及将混合体系溶液固化成膜，得到聚偏氟乙烯介电复合薄膜。在加入硫酸钙离子低聚物的聚偏氟乙烯介电复合薄膜中，复合薄膜的介电常数明显升高，介电损耗没有明显升高。本发明通过制备具有介电性多功能的聚偏氟乙烯介电复合薄膜代替传统的陶瓷类介电材料，制备方法工艺简单且操作方便，赋予了聚偏氟乙烯介电复合薄膜优异的介电性能与耐高温性，可以在压力传感器、锂离子电池、汽车马达以及耐高温的热敏电阻器件等领域中广泛应用。