一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118946246A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410992292.5

    申请日:2024-07-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器及其制备方法和应用,属于非易失性阻变存储器及神经网络计算技术领域,在绝缘衬底上沉积导电薄膜,作为下电极;采用物理气相沉积方式,先在下电极上沉积金属氧化物层,然后沉积高熵氧化物层,获得的叠层作为阻变层;继续沉积导电薄膜,作为上电极,得到基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器。制备工艺简单、与CMOS工艺兼容、低能耗、环保和性能优异,在电激励调控下氧空位的迁移具有连续性,因而构建的导电通道的形成和断裂具有渐变性,进而实现模拟阻变特性,具有电导线性度高、可调控范围广和对称性好的模拟阻变性能,在信息存储及神经网络计算领域具有应用前景。

    双金胃肠胶囊特征图谱的构建方法

    公开(公告)号:CN119291064A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411424621.2

    申请日:2024-10-12

    Abstract: 本发明公开了双金胃肠胶囊特征图谱的构建方法,属于复方中药制剂品控管理技术领域。通过以不同批次的双金胃肠胶囊为供试品,以绿原酸、橙皮苷、大豆苷元、甘松新酮、咖啡酸、蒙花苷、去氢木香内酯、吴茱萸次碱、柠檬苦素、川陈皮素、橘皮素、表小檗碱、染料木苷、黄豆黄素、琥珀酸和尿苷为对照品;联合高效液相色谱与质谱进行检测,得到双金胃肠胶囊的特征图谱。该方法简单易行,精密度高,重现性好,准确可靠,在同一色谱条件下一次性最少确认16个成分,节约时间,节省成本,提高检测效率;可以准确、清晰、客观、快速、全面、同时对双金胃肠胶囊多个特征成分的质量监控,对于控制双金胃肠胶囊的质量以及保证临床疗效具有重要作用和价值。

    一种聚氨酯/纳米氧化铈水分散液的制备方法

    公开(公告)号:CN104448786A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410717838.2

    申请日:2014-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种聚氨酯/纳米氧化铈水分散液的制备方法。主要包括以下步骤:一、以聚乙烯醇为胶体稳定剂,在其水溶液中原位生成纳米氧化铈水溶胶;二、采用二异氰酸酯化合物,聚醚多元醇、二羟甲基丙酸,二元醇为主要原料制得聚氨酯预聚体,加入胺类化合物、水进行成盐及乳化,同时在乳化过程中引入纳米氧化铈溶胶得到抗紫外水性聚氨酯分散体,本发明通过在聚乙烯醇水溶液中原位生成纳米氧化铈水溶胶,将其与水性聚氨酯复合,减少了直接使用纳米氧化铈粉体难以分散、团聚现象,该水分散体可广泛应用于耐高温,防紫外等表面涂层领域。

    一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119789774A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411892900.1

    申请日:2024-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器及制备方法和应用,属于非易失性存储器及神经网络计算技术领域。方法包括:先在绝缘衬底上沉积第一导电薄膜,作为模拟型阻变忆阻器的底电极;再采用物理气相沉积方法,生长氧缺陷含量梯度变化的非晶氧化钨薄膜,作为模拟型阻变忆阻器的阻变介质存储层;最后,沉积第二导电薄膜,作为上电极,获得非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器。工艺简单、成本低、可控性强,易于规模化生产,具有较高的稳定性,通过调控电压,使阻变介质存储层内梯度分布的氧空位形成或断裂导电通道,实现阻变性能的模拟渐变性,可靠性高。在神经网络计算领域有广阔的市场应用前景。

    一种基于TiO2/Y2O3异质结结构的高调控范围三值阻变忆阻器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118434268A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410542146.2

    申请日:2024-04-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于TiO2/Y2O3异质结结构的高调控范围三值阻变忆阻器及其制备方法,属于非易失性阻变存储器技术领域,采用物理气相沉积法,在衬底上沉积导电薄膜,作为阻变忆阻器的底电极;采用磁控溅射法,在底电极上依次沉积TiO2薄膜和Y2O3薄膜,得到TiO2/Y2O3异质结,作为阻变忆阻器的阻变存储层;采用物理气相沉积法,在阻变存储层上沉积导电薄膜,作为阻变忆阻器的顶电极,得到基于TiO2/Y2O3异质结结构的高调控范围三值阻变忆阻器。结构简单,制备成本低且环保,通过调节制备参数及阻变薄膜厚度,在特定阻变测试模式下,实现具有高调控范围的三值阻变特性,可应用于高密度存储及逻辑运算中。

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