一种金丝菊花瓣状PEDOT包覆Co(OH)2-Ni/CC材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115012223A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210401648.4

    申请日:2022-04-18

    摘要: 本发明公开了一种金丝菊花瓣状PEDOT包覆Co(OH)2‑Ni/CC材料及其制备方法,包括以下步骤:步骤1、将0.1454~0.2908gCoCl2·6H2O和0.0589~0.1178gNiCl2·6H2O加入到30mL去离子水中,超声分散均匀得到溶液A;步骤2、先将碳布浸入溶液A,然后将浸有碳布的溶液A装入聚四氟乙烯内衬并置于高压釜中,在密封条件下于150℃~200℃的温度下反应3~15h后取出碳布,洗涤,真空干燥后得到Co(OH)2‑Ni/CC材料;步骤3、先将0.0865~0.8651gC12H25SO4Na和0.3192~1.5960gLiClO4以及0.0426~0.2130gPEDOT单体混合均匀得到混合溶液B,然后将Co(OH)2‑Ni/CC材料放入混合溶液B,再通过电化学工作站进行电镀,使其表面包覆一层PEDOT,得到金丝菊花瓣状Co(OH)2‑Ni/CC@PEDOT材料。此材料的检测响应时间短、灵敏度高,具有优异的电化学性能。

    一种用于氧化铝陶瓷连接的高温连接剂及其连接方法

    公开(公告)号:CN113185316A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110528409.0

    申请日:2021-05-14

    IPC分类号: C04B37/00

    摘要: 本发明公开了一种用于氧化铝陶瓷连接的高温连接剂,原料以质量分数计包括0~10%的Ta2O5、0~10%的TiO2、90%~98%的Al2O3粉体,各组分的质量分数之和为100%,本发明还公开了用该高温连接剂连接氧化铝陶瓷的方法,包括步骤1:称取Ta2O5、TiO2和Al2O3粉体球磨混合、干燥,加入PVA混合,并加入酒精超声分散得到悬浮液;步骤2:将悬浮液均匀涂覆在待连接氧化铝陶瓷块表面,通过加压使其表面与连接剂良好接触;步骤3:将试样装入氧化铝坩埚中置于马弗炉内,以3℃/min~10℃/min自室温升温至1400℃~1650℃,保温0.5h~3h,然后以5℃/min~10℃/min的降温速率降温至1000℃,冷却即可得到连接良好的氧化铝陶瓷,本发明的连接剂及连接方法连接层致密度高,连接基体良好,且耐高温、耐腐蚀、界面结合强度高。

    一种正八面体氧化钴微纳米颗粒材料制备方法

    公开(公告)号:CN107827166A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201711158679.7

    申请日:2017-11-20

    IPC分类号: C01G51/04

    摘要: 本发明公开了一种正八面体氧化钴微纳米颗粒材料制备方法,采用CoCl2·6H2O为原料,CO(NH2)2为沉淀剂,去离子水为溶剂,首先由棒状的前驱体生长成为由八面体Co3O4构成的微米柱,然后再逐渐长大,直至形成正八面体颗粒。本发明在温和的水热条件下采用CoCl2·6H2O和CO(NH2)2两种简单的原料,以去离子水为溶剂,首先由棒状的前驱体生长成为由八面体Co3O4构成的微米柱,然后再逐渐长大,直至形成正八面体颗粒,实现可控制备正八面体Co3O4及其构成的微米柱结构,该材料不仅具有较高的电化学稳定性,而且对H2O2表现出优异的电化学传感特性。

    一种金丝菊花瓣状PEDOT包覆Co(OH)2-Ni/CC材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115012223B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202210401648.4

    申请日:2022-04-18

    摘要: 本发明公开了一种金丝菊花瓣状PEDOT包覆Co(OH)2‑Ni/CC材料及其制备方法,包括以下步骤:步骤1、将0.1454~0.2908gCoCl2·6H2O和0.0589~0.1178gNiCl2·6H2O加入到30mL去离子水中,超声分散均匀得到溶液A;步骤2、先将碳布浸入溶液A,然后将浸有碳布的溶液A装入聚四氟乙烯内衬并置于高压釜中,在密封条件下于150℃~200℃的温度下反应3~15h后取出碳布,洗涤,真空干燥后得到Co(OH)2‑Ni/CC材料;步骤3、先将0.0865~0.8651gC12H25SO4Na和0.3192~1.5960gLiClO4以及0.0426~0.2130gPEDOT单体混合均匀得到混合溶液B,然后将Co(OH)2‑Ni/CC材料放入混合溶液B,再通过电化学工作站进行电镀,使其表面包覆一层PEDOT,得到金丝菊花瓣状Co(OH)2‑Ni/CC@PEDOT材料。此材料的检测响应时间短、灵敏度高,具有优异的电化学性能。

    一种Bi引导可控花状异质光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN117085715A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311211361.6

    申请日:2023-09-19

    摘要: 本发明公开了一种Bi引导可控花状异质光催化剂及其制备方法。通过使用双铋源和还原剂,引入Bi单质对Bi2O2CO3粉体进行控制,并在Bi2O2CO3粉体表面残余部分‑OH,接着再加入卤化剂,引导复合三元异质结构的生长和构建。Bi的引入可以维持粉体的花状稳定结构,同时促进BiOCl的晶体生长,调控异质催化剂中各晶相的比例以获得更有效的异质结构,同时对形貌进行调控,使复合粉体暴露片层的间隙,有效提高活性位点和缺陷,提高光催化活性。该方法制备工艺简便,制备出的粉体结构稳定,同时引入异质结以及金属单质使粉体的光催化活性得到提高。

    一种在碳布表面生长花椰菜状Co(OH)2-Ni的制备方法

    公开(公告)号:CN113529405A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110771538.2

    申请日:2021-07-08

    摘要: 本发明公开了一种在碳布表面生长花椰菜状Co(OH)2‑Ni的制备方法,具体包括步骤1:将氧化石墨烯加入到盛放有碳布的去离子水中,经超声分散得到均匀溶液;步骤2:向步骤1所述的均匀溶液中分别加入CoCl2·6H2O和NiCl2·6H2O,经超声分散得到均匀溶液;步骤3:将步骤2中所得到的溶液装入聚四氟乙烯内衬置于高压釜中,在密封条件下于150~180℃反应4~12h,取出碳布CC洗涤干燥后,即得Co(OH)2‑Ni/rGO/CC材料;本发明以CoCl2·6H2O和NiCl2·6H2O为原料,碳布CC作为支撑材料,去离子水为溶剂,加入石墨烯作为导电载体,制备方法成本低且简单易行;制备得到的Co(OH)2‑Ni/rGO/CC材料检测响应时间短,灵敏度高,具有优异的电化学性能,能够作为传感材料、电池负极材料、催化剂、气敏材料、磁性材料及电化学传感器电极材料。

    一种黑色氧化锆陶瓷的快速低成本制备方法

    公开(公告)号:CN106927818B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201710158058.2

    申请日:2017-03-16

    IPC分类号: C04B35/48 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种陶瓷材料及其制备方法,为一种黑色氧化锆陶瓷的快速低成本制备方法,采用液相法配置前驱体溶液,使着色离子与锆原子达到原子级别的均匀混合,进一步利用共沉淀法获得前驱体络合物中间体,经低温热处理得到黑色氧化锆原料粉体,经压制、烧结即得黑色氧化锆陶瓷制品;由于着色剂原子与锆原子在溶液中达到原子级别的均匀混合,避免了黑色氧化锆着色不均匀的问题,同时采用简单的铜离子为着色剂,避免了钴、铬、钛、锰等对人体的毒害作用,此外,本发明原料粉体制备工艺简单,可操作性强,且原料成本低,无污染,所得到的原料粉体活性高,烧结温度低,克服了常规制备方法中对设备及烧结温度要求高,制备工艺复杂,生产成本高等不足。

    一种SiCw‑ZrB<base:Sub>2</base:Sub>‑ZrC陶瓷复合粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN106977221A

    公开(公告)日:2017-07-25

    申请号:CN201710157781.9

    申请日:2017-03-16

    摘要: 一种SiCw‑ZrB2‑ZrC陶瓷复合粉体,由SiC晶须和ZrB2‑ZrC陶瓷基体组成,SiC晶须均匀分散在ZrB2‑ZrC陶瓷基体周围或均匀生长在ZrB2‑ZrC陶瓷基体表面,本发明还提供了制备SiCw‑ZrB2‑ZrC陶瓷复合粉体的方法,首先合成含硼、硅、锆的陶瓷前驱体聚合物;然后将前驱体聚合物干燥、球磨,得到前驱体粉体;最后将前驱体粉体装入石墨坩埚中,在氩气保护下进行高温裂解,本发明SiC晶须ZrB2‑ZrC陶瓷基体在前驱体裂解过程中同步原位生长得到,省去了晶须的预合成与混合过程,将晶须的合成、引入以及原料粉体的制备合二为一,制备工艺简单、生产成本低,而且所得到的复合粉体形貌均一、晶须均匀分散、尺寸均匀、界面相容性良好。