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公开(公告)号：CN107041138B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201580062588.6
申请日：2015-12-02
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
摘要： 本发明提供一种如本文所述的选自式1的分子过渡金属络合物；乙烯类聚合物；以及形成乙烯类聚合物的方法，所述方法包含使乙烯在如本文所述的选自式1的至少一种分子过渡金属络合物存在下聚合，并且其中Z1或Z2与金属(M)共价配价(配位)。
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公开(公告)号：CN106573887A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043747.8
申请日：2015-08-19
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C07D209/82 , H01L51/50
摘要： 本发明提供包含用于OLED应用的可交联BCB官能化材料的组合物。本发明组合物可用于形成用于电致发光器件的空穴传输材料。具体来说，本发明提供包含选自结构A的至少一种化合物的组合物，如本文所述。
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公开(公告)号：CN104884483A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380069408.8
申请日：2013-03-14
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： C08F210/06 , C08F210/16 , C08F210/18
CPC分类号： C08F232/04 , C07F7/00 , C08F4/62193 , C08F4/64193 , C08F10/02 , C08F210/06 , C08F210/14 , C08F210/16 , C08F236/20 , C08F2500/01 , C08F2500/03 , C08F2500/25
摘要： 本发明提供一种用于在存在如本文中所述的结构I金属络合物的情况下聚合乙烯的方法，所述金属络合物包含选自第3-6族中的一个的金属，所述金属通过氧和两个Z基团键结到芳基。所述芳基包含取代基R1a、R1aa到R15a、R15aa，其选自氢、卤基、烃基、三烃基硅烷基、三烃基硅烷基烃基、-O(R)、-N(R′R″)、-S(R″′)或-P(RIVRv)；并且每个R、R′、R″、R″′、RIV和RV如本文中所述。两个X基团也被键结到所述金属，并且各自是卤基、烃基或三烃基硅烷基。每个Z是O、S、N(C1-C40)烃基或P(C1-C40)烃基。基团Y和L形成所述Z基团之间的桥的一部分。Y是卤基、烃基、三烃基硅烷基、三烃基硅烷基烃基、-O(RVI)、-N(RVIIRVIII)、-S(RIX)或-P(RXRXI)；并且每个RVI、RVII、RVIII、RIX、RX和RXI如本文中所述。L是(C1-C40)亚烃基或(C1-C40)亚杂烃基。本发明还提供结构I。
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公开(公告)号：CN114729081A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079830.1
申请日：2020-11-04
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： C08F210/16
摘要： 本公开的实施例涉及式I的联苯基苯酚钛聚合预催化剂。
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公开(公告)号：CN109312025A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201680086531.4
申请日：2016-06-28
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
发明人： R·D·格里格 , L·P·斯宾塞 , J·W·克雷默 , 刘淳 , D·D·德沃尔 , 冯少光 , 冯继昌 , 朱敏荣 , 李扬 , S·穆克霍培德海耶 , A·N·索科洛夫 , M·S·雷米 , P·特雷福纳斯三世 , B·尼尔逊
摘要： 一种聚合物，其Mn为至少4,000并且包含式NAr1Ar2Ar3的化合物的聚合单元，其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C40芳香族取代基；Ar1、Ar2和Ar3共同含有不超过一个氮原子，并且Ar1、Ar2和Ar3中的至少一个含有与芳环连接的乙烯基。
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公开(公告)号：CN104884483B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201380069408.8
申请日：2013-03-14
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： C08F210/06 , C08F210/16 , C08F210/18
摘要： 本发明提供一种用于在存在如本文中所述的结构I金属络合物的情况下聚合乙烯的方法，所述金属络合物包含选自第3‑6族中的一个的金属，所述金属通过氧和两个Z基团键结到芳基。所述芳基包含取代基R1a、R1aa到R15a、R15aa，其选自氢、卤基、烃基、三烃基硅烷基、三烃基硅烷基烃基、‑O(R)、‑N(R′R″)、‑S(R″′)或‑P(RIVRv)；并且每个R、R′、R″、R″′、RIV和RV如本文中所述。两个X基团也被键结到所述金属，并且各自是卤基、烃基或三烃基硅烷基。每个Z是O、S、N(C1‑C40)烃基或P(C1‑C40)烃基。基团Y和L形成所述Z基团之间的桥的一部分。Y是卤基、烃基、三烃基硅烷基、三烃基硅烷基烃基、‑O(RVI)、‑N(RVIIRVIII)、‑S(RIX)或‑P(RXRXI)；并且每个RVI、RVII、RVIII、RIX、RX和RXI如本文中所述。L是(C1‑C40)亚烃基或(C1‑C40)亚杂烃基。本发明还提供结构I。
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公开(公告)号：CN116096769A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180058652.9
申请日：2021-06-23
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 美国陶氏有机硅公司 , 罗门哈斯公司
IPC分类号： C08F283/12
摘要： 本发明公开了一种互聚物，其包含至少一个硅氧烷基团，并通过在包含第3至10族金属络合物的催化剂体系存在下使包含一种或多种“可加成聚合单体”和至少一种硅氧烷单体的混合物聚合来制备，并且该硅氧烷单体选自以下式1：Aa‑Si(Bb)(Cc)(Hh0)‑O‑(Si(Dd)(Ee)(Hh1)‑O)x‑Si(Ff)(Gg)(Hh2)，如本文所述。一种乙烯/硅氧烷互聚物，其包含至少一个结构1的化学单元或至少一个结构2的化学单元，其各自如本文所述。一种形成互聚物的方法，该互聚物包含呈聚合形式的至少一种硅氧烷单体或至少一种没有硅氧烷键的硅烷单体，所述方法包括在包含来自各自如本文所述的式A或式B的金属络合物的催化剂体系存在下使包含一种或多种“可加成聚合单体”和至少一种如本文所述的式4的单体的混合物聚合。
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公开(公告)号：CN106574040B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580043995.2
申请日：2015-08-20
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 一种包含聚合物电荷转移层的发光装置，其中所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构(A)的聚合单元以及一个或多个衍生自结构(B)的聚合单元，其分别如下：A)如本文所定义，具有结构(A)的单体：和B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体。
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公开(公告)号：CN109844980A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780064870.7
申请日：2017-10-20
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
发明人： R·D·格里格 , L·P·斯宾塞 , J·W·克雷默 , D·D·德沃尔 , B·古德费洛 , 刘淳 , S·穆克霍培德海耶 , T·H·彼得森 , W·H·H·伍德沃德 , A·N·索科洛夫
IPC分类号： H01L51/54
摘要： 提供了一种有机发光二极管，其包括衬底、阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发光层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中所述空穴注入层、或所述空穴传输层、或所述空穴注入层和所述空穴传输层两者、或用作空穴注入层和空穴传输层两者的层包括含有具有结构(S1)的一个或多个三芳基铵自由基阳离子的聚合物，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的每一个独立地选自由氢、氘、卤素、胺基、羟基、磺酸基、硝基和有机基团组成的组，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的两个或更多个任选地彼此连接形成环结构；其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34、R34和R35中的一个或多个与所述聚合物共价结合，并且其中A-是阴离子。
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公开(公告)号：CN107041138A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201580062588.6
申请日：2015-12-02
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
摘要： 本发明提供一种如本文所述的选自式1的分子过渡金属络合物；乙烯类聚合物；以及形成乙烯类聚合物的方法，所述方法包含使乙烯在如本文所述的选自式1的至少一种分子过渡金属络合物存在下聚合，并且其中Z1或Z2与金属(M)共价配价(配位)。
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