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公开(公告)号：CN115548170B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202211330345.4
申请日：2022-10-27
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了HBC太阳能电池及其制备方法，其中，制备方法包括：提供具有第一表面和第二表面的半导体基底，第一表面包括相邻的第一区域、隔离区域和第二区域；在第一表面形成第一保护层；使第一区域裸露，在第一区域上依次形成第二本征非晶硅层和P型非晶硅层；使第二区域裸露，在第二区域上依次形成第三本征非晶硅层和N型非晶硅层。本发明通过在半导体基底的第一表面上增加保护层，由此避免了后续进行第一区域或者第二区域相应非晶硅层的制备过程中使用的强碱溶液、强酸溶液等对第一表面产生损伤，从而有利于后续在电极区进行非晶硅制备的步骤中，非晶硅层与半导体基底表面能够很好的结合。
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公开(公告)号：CN115548170A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211330345.4
申请日：2022-10-27
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了HBC太阳能电池及其制备方法，其中，制备方法包括：提供具有第一表面和第二表面的半导体基底，第一表面包括相邻的第一区域、隔离区域和第二区域；在第一表面形成第一保护层；使第一区域裸露，在第一区域上依次形成第二本征非晶硅层和P型非晶硅层；使第二区域裸露，在第二区域上依次形成第三本征非晶硅层和N型非晶硅层。本发明通过在半导体基底的第一表面上增加保护层，由此避免了后续进行第一区域或者第二区域相应非晶硅层的制备过程中使用的强碱溶液、强酸溶液等对第一表面产生损伤，从而有利于后续在电极区进行非晶硅制备的步骤中，非晶硅层与半导体基底表面能够很好的结合。
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公开(公告)号：CN118841461A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411074378.6
申请日：2024-08-06
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以利于第一面边缘部分的少子收集的同时，降低第一面边缘部分的载流子复合速率。所述背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部、第二掺杂半导体部和透明导电层。第一面包括位于边缘的边缘区、以及位于边缘区内侧的电极内部区。电极内部区包括沿第一方向交替间隔分布的少子区和多子区。沿第一方向，位于最边缘的少子区比位于最边缘的多子区更靠近边缘区。第一掺杂半导体部设置在多子区。第二掺杂半导体部设置在少子区和边缘区。透明导电层覆盖于第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部上。透明导电层内设置有绝缘槽，以将透明导电层对应边缘区、少子区和多子区的部分彼此之间电性绝缘。
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公开(公告)号：CN118472056A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410918524.2
申请日：2024-07-10
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以通过多子钝化层在第一面边缘部分形成少子反型层，并通过在非电极收集区设置厚度较大的多子钝化层，降低第一面边缘部分的载流子复合。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部、第二掺杂半导体部以及多子钝化层。第一面包括位于边缘的非电极收集区、以及位于非电极收集区内侧的电极收集区。电极收集区包括沿第一方向交替间隔分布的少子区和多子区。沿第一方向，位于最边缘的少子区比位于最边缘的多子区更靠近非电极收集区。第一掺杂半导体部设置在多子区。第二掺杂半导体部设置在少子区。多子钝化层设置在非电极收集区。多子钝化层的厚度大于第二掺杂半导体部的厚度。
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