断线概率确定方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118521523A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310474577.5

    申请日:2023-04-27

    IPC分类号: G06T7/00 G06T7/11

    摘要: 本发明实施例提供了一种断线概率确定方法、装置、设备及介质。该方法包括:在直拉单晶过程中,获取等径阶段的单晶棒的目标图像序列;识别所述目标图像序列中的晶线区域;根据所述目标图像序列中所述晶线区域的识别情况,确定单晶棒的晶线的断线概率,使得利用机器视觉技术识别出晶线区域,据此自动确定晶线的断线概率,解决了工作人员无法实时观察晶线状态的问题,提高了断线概率确定的实时性和准确性。

    一种调温阶段总散热量预测方法、装置、设备和介质

    公开(公告)号:CN118520756A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310565617.7

    申请日:2023-05-18

    IPC分类号: G06F30/27 G06F119/08

    摘要: 本发明实施例提供了一种调温阶段总散热量预测方法、装置、设备和介质,该方法包括:获取单晶炉的样本数据;对样本数据进行筛选操作,得到有效特征数据;采用有效特征数据对预设模型进行训练,得到目标模型;将单晶制作调温过程中的特征信息输入至目标模型进行总散热量的计算,得到单晶炉调温过程中的总散热量。从而可以提前预判出需要散发的热量,做到精准预测调温能量的损耗,进而精准控制调温时间,同时保证单晶炉调温阶段液面温度的一致性。

    加料时机检测方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117845320A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202211208292.9

    申请日:2022-09-30

    IPC分类号: C30B15/02 C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明实施例提供了一种加料时机检测方法、装置、设备及介质。该方法包括:在直拉单晶的加料阶段的首次加料之后,获取直拉单晶设备的热屏的下端开口的目标图像,将所述目标图像输入加料时机检测模型,其中,所述加料时机检测模型通过目标图像样本,以及对应标记的可否加料标签训练得到,根据所述目标图像,由所述加料时机检测模型输出所述加料阶段中的加料时机检测结果,使得加料阶段时自动检测加料时机,无需操作人员全程介入,避免了占用操作人员的工时较多的问题,提高了工作效率,而且实时自动检测能够避免操作人员错过加料时机,继而提高了加料时机确定的准确性。

    液口距的增量补偿方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117702247A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202310296936.2

    申请日:2023-03-23

    IPC分类号: C30B15/20

    摘要: 本申请实施例提供了一种液口距的增量补偿方法、装置、电子设备及存储介质。其中,液口距的增量补偿方法包括:在拉晶过程的放肩环节,获取当前测量液口距和当前目标液口距;计算所述当前测量液口距与所述当前目标液口距之间的偏差值;基于所述偏差值计算当前埚升速度,输出所述当前埚升速度以便进行液口距的增量补偿。本申请实施例中,一方面,能够使得放肩环节的液口距更加趋近于当前目标液口距,从而满足工艺需求;另一方面,能够更加细化放肩环节不同阶段的实际需求,进一步提高液口距补偿的准确性。

    液口距控制方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116555892A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202210103162.2

    申请日:2022-01-27

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本申请实施例提供了一种液口距控制方法、装置、电子设备及存储介质。其中,液口距控制方法包括:在单晶硅生长过程中,计算埚跟比控制下的基础坩埚升速,获取所述单晶硅对应的待增加坩埚升速,将所述基础坩埚升速与所述待增加坩埚升速的总和作为第一坩埚升速;计算比例积分PI控制下的第二坩埚升速;将所述第一坩埚升速和所述第二坩埚升速中较小的坩埚升速确定为目标坩埚升速,以便基于所述目标坩埚升速控制液口距。本申请实施例中结合PI控制、埚跟比控制再加上待增加坩埚升速,实现了从放肩到等径整个过程中液口距的准确控制,整个过程坩埚升速平滑过渡,没有突变和跳动,实际液口距大小可控。

    一种液口距测量方法和装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116147516A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202111398373.5

    申请日:2021-11-19

    IPC分类号: G01B11/14

    摘要: 本发明实施例提供了一种液口距测量方法和装置,涉及单晶硅直拉法生长技术领域,该方法包括:获取第一位置对应的第一埚位、第一投料量和第一倒影面积;确定出与第一埚位、第一投料量和第一倒影面积对应的第一液口距补偿值,以及,获取第一液口距像素;获取第二位置对应的第二埚位、第二投料量和第二倒影面积;确定出与第二埚位、第二投料量和第二倒影面积对应的第二液口距补偿值,以及,获取第二液口距像素;基于第一埚位、第二埚位、第一液口距像素,以及第二液口距像素确定出液口距像素斜率;基于第一液口距补偿值、第一液口距像素和液口距像素斜率确定出炉台的液口距。本发明实施例通过视觉算法即可确定出炉台的液口距。

    直拉单晶硅的温度控制方法、电子设备和直拉单晶炉

    公开(公告)号:CN116103750A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202111333834.0

    申请日:2021-11-11

    IPC分类号: C30B15/22 C30B29/06

    摘要: 本公开涉及一种直拉单晶硅的温度控制方法、电子设备和直拉单晶炉,该方法包括:在确定坩埚中硅液的液面温度位于预设的温度区间的情况下,按照硅液的引晶加热功率控制加热装置对硅液进行加热,并控制坩埚以变化的转动速度进行转动。如此,通过控制硅液以变化的转动速度进行转动,可以破坏硅液在坩埚转动过程中形成的稳态,便于硅液内的换热,进而可以使硅液的温度快速稳定,减少硅液的温度波动。

    放肩断线检测方法、装置、存储介质及电子设备

    公开(公告)号:CN116071285A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202111273039.7

    申请日:2021-10-29

    IPC分类号: G06T7/00 G06T5/00

    摘要: 本公开涉及一种放肩断线检测方法、装置、存储介质及电子设备,属于单晶硅生成领域,所述方法包括:在通过单晶硅直拉法生成单晶硅棒的过程中,按照预设的拍摄周期获取放肩阶段在预设测量区域内的单晶硅棒生成图像;根据所述单晶硅棒生成图像以及所述单晶硅棒的晶转规律,确定所述单晶硅棒的晶线是否断裂。通过设置相机并按照预设的拍摄周期拍摄该单晶硅棒在放肩阶段的图像,并根据该图像以及单晶硅棒的旋转的规律,能够准确的判定该单晶硅棒的晶线是否断裂,无需人工进行勘验,降低了人力成本。

    一种拉速预测方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN118588209A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202310975707.3

    申请日:2023-08-03

    摘要: 本申请公开一种拉速预测方法、装置及电子设备,涉及晶体制备技术领域。方法包括:获取等径直拉单晶过程中的等径长度大于预设筛选长度阈值的多个等径样本数据;基于多个所述等径样本数据和梯度提升模型构建等径拉速挖坑预测模型;基于所述等径拉速挖坑预测模型,在等径直拉单晶开始预设时间后,每间隔预设间隔时长,基于所述预设时间内的等径预设时长内的时间序列窗口数据对应的目标样本统计信息,确定在所述预设时长之后的目标时间对应的目标等径拉速挖坑幅度值,直至等径长度大于或者等于预设等径长度阈值;在等径直拉单晶过程中,基于每一个所述目标等径拉速挖坑幅度值确定对应的新增功率降幅,以基于所述新增功率降幅提高实际拉速。