公开(公告)号：CN118507541A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310684464.8

申请日：2023-06-09

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 林宏 ,  解俊杰 ,  王静 ,  吴兆

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/028

摘要： 本申请提供一种具有渐变掺杂的钝化接触结构的太阳能电池，包括依次层叠设置的晶体硅吸收层、氧化硅隧穿层、渐变掺杂的氧化锌层、以及高介电绝缘盖层，其中所述渐变掺杂的氧化锌层中掺杂元素的浓度从靠近所述氧化硅隧穿层的一侧向远离所述氧化硅隧穿层的一侧递增。本申请的太阳能电池中，钝化接触结构充分利用化学钝化和场钝化有效减少了晶硅与金属电极间的载流子复合损失，并利用宽禁带化合物降低了钝化接触结构的寄生吸收，从而提高太阳电池的光电转换性能。

公开(公告)号：CN118507559A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310411689.6

申请日：2023-04-17

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 王静 ,  吴兆 ,  解俊杰 ,  林宏

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06

摘要： 本申请提供一种太阳能电池，其包括晶体硅吸收层，以及在所述晶体硅吸收层的受光面依次层叠设置的第一氧化硅层、第一宽带隙金属氧化物层、第一保护层和前表面电极，其中，所述第一宽带隙金属氧化物层由掺杂的金属氧化物形成，所述第一宽带隙金属氧化物层中掺杂的元素通过所述第一氧化硅层向所述晶体硅吸收层扩散，形成第一掺杂区。本申请采用多层氧化硅/宽带隙氧化物结构作为硅太阳能电池的选择性接触与传输层，使用高温工艺，使得氧化硅形成空洞结构，宽带隙氧化物中掺杂的元素进一步扩散到晶体硅表面。从而避免了较大的光寄生性吸收，获得更优的场钝化效果，提升太阳能电池的效率。