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公开(公告)号：CN118522824A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410166265.2
申请日：2024-02-05
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0216 , H01L31/0236
摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。制备方法包括：对衬底抛光处理；在衬底的第一侧上依次制备整层的第一隧穿氧化硅层、第一导电前体层和第一氧化硅保护层；对第一氧化硅保护层、第一导电前体层和第一隧穿氧化硅层，进行图形化处理，使得第一区域上的第一氧化硅保护层、第一导电前体层和第一隧穿氧化硅层保留，第二区域和隔离区域裸露，并抛光第二区域和隔离区域；在裸露的第二区域和隔离区域上，依次制备第二隧穿氧化硅层和第二导电前体层。本申请的背接触太阳能电池的制备方法，可以降低漏电或短路的风险，隧穿效果、钝化效果以及避免交叉污染的效果均较好，且工艺简单。
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公开(公告)号：CN113308730A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010144600.0
申请日：2020-03-04
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种晶体连续生长的加料控制方法和控制系统，应用于单晶硅棒的生长过程中的等径生长阶段，所述方法包括：获取等径生长阶段所述单晶硅棒的测量直径；获取等径生长阶段所述单晶硅棒的提拉速度；基于所述单晶硅棒的测量直径、单晶硅棒的提拉速度、所述单晶硅棒的密度确定所述单晶硅棒的质量在单位时间内的增加值；根据所述单晶硅棒的质量在单位时间内的增加值确定石英坩埚的熔料区域在单位时间内的加料量。本发明实施例中，基于单晶硅棒在单位时间内的增加值，确定石英坩埚的熔料区域在单位时间内的加料量。相对现有技术中在硅液浮力作用下称量单晶硅棒的质量变化值，并基于此质量变化值确定加料量，提高了加料量控制的准确性。
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公开(公告)号：CN111366456B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201811592890.4
申请日：2018-12-25
申请人： 芜湖隆基光伏科技有限公司 , 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： G01N3/08
摘要： 本发明提供了一种电池片机械载荷能力的测试方法，包括，在电池片的主栅线上焊接焊带；将焊接有焊带的电池片放置于支撑杆上；支撑杆的数量至少为2个；相邻两支撑杆的端点或轴向延长线相交于一点，每一支撑杆均与水平面不共面，支撑杆为电池片提供非均匀的支撑力；对承载于支撑杆上的电池片施加压紧力，直至电池片断裂；测量电池片断裂时的参数。本发明将待测试的电池片进行焊带焊接，以模拟电池片在实际工况中受到的焊接应力，同时，测试过程中支撑杆为电池片提供非均匀的支撑力，使电池片本身产生扭曲力，以模拟电池片在实际工况中受到的扭曲力；能够提高测试结果的一致性，而且测试过程简单、易操作。(56)对比文件JP 2002236082 A,2002.08.23JP 2002323486 A,2002.11.08JP 2013044185 A,2013.03.04KR 20160087143 A,2016.07.21TW 201411126 A,2014.03.16US 2010313637 A1,2010.12.16US 2013021051 A1,2013.01.24US 2013174889 A1,2013.07.11US 2013305835 A1,2013.11.21US 2017038338 A1,2017.02.09CN 206907783 U,2018.01.19CN 206057088 U,2017.03.29CN 103674727 A,2014.03.26CN 203606221 U,2014.05.21CN 106230383 A,2016.12.14CN 208187725 U,2018.12.04CN 102706746 A,2012.10.03CN 102706739 A,2012.10.03CN 203069447 U,2013.07.17KR 20160087582 A,2016.07.22CN 203083893 U,2013.07.24CN 103308397 A,2013.09.18US 2014144428 A1,2014.05.29CN 207147729 U,2018.03.27CN 108711582 A,2018.10.26JP 2003307477 A,2003.10.31DE 10339519 A1,2005.03.17吕俊.光伏垂直一体化--开启PERC新时代.《 第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会》.2018,第1-34页.马文勇 等.太阳能光伏板风荷载分布模型试验研究《.振动与冲击》.2017,第36卷(第7期),第8-13页.孟力 等.定日镜镜面弯曲机构设计及面形优化《.机械工程学报》.2013,第49卷(第11期),第36-42页.Aßmus Marcus 等.Consideration of non-uniform and non-orthogonal mechanicalloads for structural analysis ofphotovoltaic composite structures.《Mechanics for Materials andTechnologies》.2017,第47卷第73-122页.
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公开(公告)号：CN117265496A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311301573.3
申请日：2023-10-09
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种物理气相沉积的水汽控制方法、装置、设备和介质，一般涉及计算机技术领域。该方法包括：当用于执行物理气相沉积的载板进入腔体后，确定腔体内的水汽浓度实时值、水汽浓度实时值的变化速率和载板在腔体内的预估剩余工作时长；根据腔体内的水汽浓度实时值和变化速率，确定预估剩余工作时长内腔体内的预估水汽浓度结果；在预估水汽浓度结果超出目标水汽浓度范围的情况下，确定调整腔体内的水汽浓度后使得所述水汽浓度保持在所述目标水汽浓度范围内的目标调整水汽量，并根据所述目标调整水汽量，通过目标调整方式调整所述腔体内的水汽浓度，使得所述腔体内的水汽浓度保持在所述目标水汽浓度范围之内。
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公开(公告)号：CN115775851A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211373004.5
申请日：2022-11-03
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： 本申请实施例提供了一种晶硅电池的制备方法，该制备方法包括：在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，半导体基底具有相背的正面以及背面；对掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，掩膜图案露出部分隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被掩膜图案遮挡的隧穿钝化层，以露出部分半导体基底，并利用刻蚀液对露出的半导体基底进行抛光；在半导体基底的背面形成保护层，保护层覆盖掩膜图案以及露出的半导体基底；在半导体基底的正面进行制绒；去除保护层，并在半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，第一电极穿过钝化层与半导体基底接触，第二电极穿过钝化层与隧穿钝化层接触。
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公开(公告)号：CN114059148A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010761485.1
申请日：2020-07-31
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种单晶炉用换热系统及单晶炉，涉及单晶硅制造技术领域。单晶炉用换热系统包括：换热装置、导流筒以及导热件；所述导热件设置在所述换热装置的底部，设置有所述导热件的换热装置套设在所述导流筒内；所述导热件包括相对设置的上表面和下表面，所述导热件的上表面与所述换热装置的底部接触；所述导热件的上表面、以及所述换热装置的底部，位于所述导流筒的底部远离熔硅液面的一侧。导热件靠近熔硅液面，通过导热件可以快速将熔硅液面的热量传导至换热装置，由换热装置的冷却介质带走，增加了纵向温度梯度，提高了拉晶速度，节省拉晶时间。
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公开(公告)号：CN115775851B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202211373004.5
申请日：2022-11-03
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： 本申请实施例提供了一种晶硅电池的制备方法，该制备方法包括：在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，半导体基底具有相背的正面以及背面；对掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，掩膜图案露出部分隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被掩膜图案遮挡的隧穿钝化层，以露出部分半导体基底，并利用刻蚀液对露出的半导体基底进行抛光；在半导体基底的背面形成保护层，保护层覆盖掩膜图案以及露出的半导体基底；在半导体基底的正面进行制绒；去除保护层，并在半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，第一电极穿过钝化层与半导体基底接触，第二电极穿过钝化层与隧穿钝化层接触。
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公开(公告)号：CN118430874A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410458381.1
申请日：2024-04-16
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01B5/14 , H01L31/0224 , H01B13/00
摘要： 本申请提供了一种氢掺杂的氧化铟锡薄膜、其制备方法和包含其的太阳能电池，其中，氢掺杂的氧化铟锡薄膜具有(400)晶面取向的第一X射线衍射峰和(222)晶面取向的第二X射线衍射峰，第一X射线衍射峰的强度大于第二X射线衍射峰的强度。
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公开(公告)号：CN115832105A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211471643.5
申请日：2022-11-23
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。方法包括：提供硅基底；对硅基底进行氧化吸杂，在硅基底的表面形成氧化吸杂层；在硅基底的背光侧设置掩膜层，去除硅基底向光侧的氧化吸杂层，使得硅基底的向光面露出；以硅基底背光侧的氧化吸杂层为掩膜层，对硅基底的向光面制绒，得到向光面金字塔绒面结构；去除硅基底背光侧的氧化吸杂层，并对硅基底的背光面制绒，得到背光面金字塔绒面结构；背光面金字塔绒面结构的尺寸，小于向光面金字塔绒面结构的尺寸。无需专门制备保护背光面的掩膜层，节省了工艺步骤，提升了生产效率，降低了工艺复杂度。硅基底向光面陷光效果好，载流子的界面复合小，减少了长波损失。
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公开(公告)号：CN118472080A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410677088.4
申请日：2024-05-28
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本申请提供了一种钝化接触电池和其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的钝化接触电池，包括：硅基底，包括相对的第一表面和第二表面；第一氧化层，形成于硅基底的第一表面；第一掺杂多晶硅层，形成于第一氧化层的背离硅基底的表面，第一掺杂多晶硅层的背离硅基底的表面具有交替排布的第一表面区域和第二表面区域；第二氧化层，形成于第一掺杂多晶硅层的第一表面区域；以及第二掺杂多晶硅层，形成于第二氧化层的背离硅基底的表面，第二掺杂多晶硅层的厚度大于第一掺杂多晶硅层的厚度；其中，第二氧化层和第二掺杂多晶硅层被构造成栅型结构，并且由第一氧化层、第一掺杂多晶硅层、第二氧化层和第二掺杂多晶硅层形成第一钝化接触结构。
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