-
公开(公告)号：CN102646762A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110084842.6
申请日：2011-03-29
申请人： 隆达电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管透明导电层的图案化方法，包括以下步骤：提供一基板；形成一N型半导体层于基板之上；形成一主动层于N型半导体层之上；形成一P型半导体层于该主动层之上；形成一透明导电层于P型半导体层之上；设置一光罩于透明导电层之上；以及激光剥除(laserablating)部分透明导电层，形成一图案化或表面粗化的透明导电层。本发明提供的方法由于光罩不直接接触透明导电层，因此，可延长光罩的使用寿命，节省光罩的成本。
-
公开(公告)号：CN102544273A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110347763.X
申请日：2011-11-07
申请人： 隆达电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/382 , H01L33/387
摘要： 一种发光二极管芯片结构及其制造方法，发光二极管芯片结构包括导电基板、半导体堆栈层以及图案化种晶层。导电基板具有一表面，此表面具有第一区及第二区，其中第一区与第二区交替分布于此表面。半导体堆栈层配置于导电基板上，且导电基板的表面朝向半导体堆栈层。图案化种晶层配置于导电基板的表面的第一区上，且位于导电基板与半导体堆栈层之间。图案化种晶层将第一区与半导体堆栈层分隔，且暴露出第二区。半导体堆栈层覆盖图案化种晶层与第二区，且经由第二区与导电基板电性连接。
-
公开(公告)号：CN102569572B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110219433.2
申请日：2011-07-28
申请人： 隆达电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/46
摘要： 一种高亮度发光二极管，包含基板、导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极、第二电极以及绝缘结构。导体层、第一半导体层、发光层及第二半导体层自基板的上镀化层，依序向上叠设。第一电极与导体层电性连接，而第二电极穿越导体层、第一半导体层及发光层使上镀化层与第二半导体层电性连接。绝缘结构包含至少二保护层，其环周式地裹覆第二电极，且至少二保护层的各个厚度符合分布式布拉格反射镜的厚度，以共同作为高反射率的反射镜。本发明利用裹覆于第二电极的绝缘结构以作为反射镜，借以将朝侧面散射的光线大致上朝单一方向集中利用，借此大幅提高发光二极管的亮度。
-
公开(公告)号：CN102569572A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110219433.2
申请日：2011-07-28
申请人： 隆达电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/46
摘要： 一种高亮度发光二极管，包含基板、导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极、第二电极以及绝缘结构。导体层、第一半导体层、发光层及第二半导体层自基板的上镀化层，依序向上叠设。第一电极与导体层电性连接，而第二电极穿越导体层、第一半导体层及发光层使上镀化层与第二半导体层电性连接。绝缘结构包含至少二保护层，其环周式地裹覆第二电极，且至少二保护层的各个厚度符合分布式布拉格反射镜的厚度，以共同作为高反射率的反射镜。本发明利用裹覆于第二电极的绝缘结构以作为反射镜，借以将朝侧面散射的光线大致上朝单一方向集中利用，借此大幅提高发光二极管的亮度。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.026 秒)
