公开(公告)号：CN109638124A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811512151.X

申请日：2018-12-11

申请人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司

发明人： 唐驰 ,  刘亚柱 ,  吕振兴 ,  吴化胜 ,  操娟

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46

摘要： 本发明提供一种倒装式发光二极管芯片制备方法，包括，提供一衬底，于所述衬底上依次形成第一半导体层、发光层、第二半导体层、透明导电层；移除部分的所述透明导电层、第二半导体层、发光层及第一半导体层，形成凹部，所述凹部底部暴露出所述第一半导体层；在所述凹部的底部所暴露出的所述第一半导体层以及所述透明导电层上，形成第一金属层，以定义第一金属层第一、二电极；形成反射层于所述第一金属层、凹部侧壁及透明导电层上；形成第二金属层于所述第一金属层及反射层上，定义所述第二金属层第一、二电极；在所述第二金属层上沉积绝缘层；沉积第三金属层于所述绝缘层上，以定义第三金属层第一、二电极。该方法制备的芯片产品良率高。

公开(公告)号：CN109560182A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811107009.7

申请日：2018-09-21

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 七条聪 ,  福田浩树 ,  杉本邦人

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L23/5329 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0091 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

摘要： 一种能够确保放热性的同时防止起因于向基板接合时产生的热应力的绝缘膜和电极等的破损的发光元件和发光装置。发光元件含有：半导体层叠体，其依次具有第1半导体层、发光层和第2半导体层且在第2半导体层侧，第1半导体层从第2半导体层和发光层露出的多个露出部沿着第1方向配置成多个列状；绝缘膜，其覆盖半导体层叠体，在多个露出部的上方具有开口部；第1电极，其在开口部处与露出部连接，且一部分介由绝缘膜配置在第2半导体层上；第2电极，其连接在第2半导体层上；第1外部连接部，其与第1电极连接，在俯视图中与露出部有间隔且在露出部的沿着第1方向排列的列间在第1方向具有长的形状；以及第2外部连接部，其与第2电极连接。

公开(公告)号：CN107134518B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201710165664.7

申请日：2013-06-14

申请人： 首尔伟傲世有限公司

发明人： 蔡钟炫 ,  张钟敏 ,  卢元英 ,  徐大雄 ,  姜珉佑 ,  李俊燮 ,  金贤儿

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

摘要： 提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中，导电阻挡层防止反射金属层的扩散，并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。

公开(公告)号：CN105489728B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201510823096.6

申请日：2010-11-16

申请人： 首尔伟傲世有限公司

发明人： 金京完 ,  梁贞姬 ,  尹余镇

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44

摘要： 本发明的实施例涉及具有电极焊盘的发光二极管。该发光二极管包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，布置在第一导电类型半导体层上；有源层，设置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间；电极层，覆盖第二导电类型半导体层；第二电极焊盘，包括布置在第一导电类型半导体层上的第一区域和布置在电极层上的第二区域；以及绝缘层，设置在第一导电类型半导体层和第二电极焊盘之间，所述绝缘层使第二电极焊盘与第一导电类型半导体层绝缘。

公开(公告)号：CN108807632A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810927330.3

申请日：2015-12-17

申请人： 首尔伟傲世有限公司

发明人： 李美姬 ,  李俊熙 ,  李所螺 ,  张美萝

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405

摘要： 提供一种半导体发光器件，其包括：发光结构，在发光结构中，堆叠导电衬底、第二导电型半导体层、活性层和第一导电型半导体层；扩散金属层和绝缘层，形成在导电衬底与第二导电型半导体层之间；反射电极层，形成在第二导电型半导体层下方，其中，反射电极层的面向第二导电型半导体层的顶表面具有比第二导电型半导体层的底表面小的面积，扩散金属层形成通过绝缘层、第二导电型半导体层和活性层延伸至第一导电型半导体层内部的多个通孔，并且通过通孔将扩散金属层电耦联至第一导电型半导体层，以及任一通孔与邻近于通孔的另一个通孔之间的最短距离D2比最靠近第一导电型半导体层的外部的通孔与第二导电型半导体层的外部之间的最短距离D3大。

公开(公告)号：CN108400210A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201710068309.8

申请日：2017-02-08

申请人： 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司

发明人： 赖育弘

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/38

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/382

摘要： 一种发光元件与显示装置，所述发光元件具有第一电极、第二电极与设置于第一电极与第二电极之间的磊晶结构；磊晶结构具有发光层、设置于发光层与第一电极间的第一型半导体层、设置于发光层与第二电极间的第二型半导体层；第二型半导体层的第一表面接触发光层，第二型半导体层的第二表面相对于第一表面，且第二表面具有至少一凹陷；至少部分的第二电极设置于至少一凹陷中；所述显示装置具有基板、第一电极连接层、第二电极连接层与多个如前述的发光元件。本发明发光元件的磊晶结构中，于其中一个半导体层中挖设凹陷，并于凹陷中填入电极，从而使电极与半导体层之间的接触面积提升，从而提高电流分布及/或发光效率。

公开(公告)号：CN104282815B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201410327733.6

申请日：2014-07-10

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 文智炯

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

摘要： 本发明公开种发光器件。所述发光器件包括:发光结构,包括第导电半导体层、在所述第导电半导体层下方的有源层和在所述有源层下方的第二导电半导体层;多个第电极,布置在所述发光结构下方并且穿过所述第二导电半导体层、所述有源层、以及所述第导电半导体层的部分而电连接到所述第导电半导体层;第二电极,布置在所述发光结构下方以电连接到所述第二导电半导体层;第绝缘层,围绕所述第电极布置以使所述第电极和所述第二电极绝缘;接合层,穿过所述第电极和所述第绝缘层电连接到所述第二电极;以及第二绝缘层,围绕所述接合层。该发光器件的空穴的扩散得以改善,使得可以提高发光器件的效率。

公开(公告)号：CN105895770B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201610286085.3

申请日：2011-05-18

申请人： 首尔伟傲世有限公司

发明人： 金多慧 ,  李俊熙 ,  柳宗均 ,  金彰渊 ,  林弘澈

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265

摘要： 本发明涉及一种发光二极管(LED)。根据实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，包括与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的第一区域；第二绝缘层，覆盖半导体堆叠件，其中，基底包括包含W和Mo中的至少一种的第二金属层以及分别布置在第二金属层的第一表面和第二表面上的第三金属层，第三金属层的热膨胀系数比第二金属层的热膨胀系数高。

公开(公告)号：CN107910406A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711067896.5

申请日：2017-11-03

申请人： 江苏新广联半导体有限公司

发明人： 黄慧诗 ,  张秀敏 ,  华斌 ,  郑宝玉

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/387 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066

摘要： 本发明涉及一种薄膜结构的LED芯片及其制造方法，其特征是：包括硅基板，硅基板的下表面设置硅基板下电极，硅基板的上表面设置硅基板键合电极层，硅基板键合电极层的上表面设置芯片键合电极层，芯片键合电极层的上表面设置多个凹槽，在凹槽的底部和侧壁设置绝缘层，在凹槽中从下至上依次设置反射层、P-GaN层MQW量子阱；在所述芯片键合电极层的上表面覆盖N-GaN层，N-GaN层覆盖芯片键合电极层的上表面和凹槽的上部，N-GaN层与芯片键合电极层和MQW量子阱接触；在所述N-GaN层上设置开口，开口的底部暴露出反射层，在反射层上设置芯片正电极焊盘层。本发明具有热阻低、电流分布均匀、驱动电流大、输出光密度高等特点，有效解决了传统LED芯片的不足。

公开(公告)号：CN105308762B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201480018317.6

申请日：2014-03-14

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： K.恩格尔 ,  G.哈通 ,  M.毛特

IPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明说明光电子半导体芯片，具有‑半导体主体（10），其包括n导电区域（2）、被设置用于产生电磁辐射的有源区域（4）和p导电区域（3）；‑第一反射层（21），其被设置用于反射电磁辐射；和‑封装层序列（20），其利用电绝缘材料构成，其中‑所述第一反射层（21）被布置在p导电区域（3）的下侧处，其中‑所述封装层序列（20）在其外表面处部分地覆盖所述半导体主体（10），‑所述封装层序列（20）在半导体主体（10）的外表面处从有源区域（4）沿着所述p导电区域（3）延伸直到所述第一反射层（21）之下和‑所述封装层序列（20）包括至少一个封装层（12），其是ALD层或者由ALD层组成。