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公开(公告)号：CN110078990A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910256973.4
申请日：2019-04-01
申请人： 青岛科技大学
IPC分类号： C08L23/06 , C08L23/08 , C08K9/06 , C08K3/04 , C08K5/134 , C08K3/22 , C08K3/38 , C08J3/24 , C08J7/12 , H01B3/44
摘要： 本发明涉及一种高压直流电缆磁性半导电屏蔽层及其制备方法，属于电工材料领域，本发明的高压直流电缆磁性半导电屏蔽层为磁性复合材料，其制备方法为，首先将磁性材料以粉体或浆液的形式添加至复合材料中制备得到磁性复合高压直流电缆半导电屏蔽料，再使用热压交联的方法制备出高压直流电缆磁性半导电屏蔽层，最后对所得半导电屏蔽层进行定向磁化，既得高压直流电缆磁性半导电屏蔽层。本发明主要用于高压直流电缆，实现抑制半导电屏蔽层中电荷的发射作用。
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公开(公告)号：CN112951493B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110124872.9
申请日：2021-01-29
申请人： 青岛科技大学
摘要： 本申请提供了一种耐击穿高压电缆，包括线芯和绝缘层，线芯和绝缘层之间设有内半导电屏蔽层，内半导电屏蔽层与绝缘层之间的界面处设有纳孔结构层，纳孔结构层的纳孔延伸方向垂直于电缆延伸方向。本申请提供的耐击穿高压电缆，内半导电屏蔽层与绝缘层的界面处为具有纳米级孔径的纳孔结构层，能够有效阻止内半导电屏蔽层与绝缘层的界面缺陷带来的界面放电，从而提高放电电压，大幅度提高电缆的耐击穿场强，提升电缆的电压等级。
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公开(公告)号：CN112951493A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110124872.9
申请日：2021-01-29
申请人： 青岛科技大学
摘要： 本申请提供了一种耐击穿高压电缆，包括线芯和绝缘层，线芯和绝缘层之间设有内半导电屏蔽层，内半导电屏蔽层与绝缘层之间的界面处设有纳孔结构层，纳孔结构层的纳孔延伸方向垂直于电缆延伸方向。本申请提供的耐击穿高压电缆，内半导电屏蔽层与绝缘层的界面处为具有纳米级孔径的纳孔结构层，能够有效阻止内半导电屏蔽层与绝缘层的界面缺陷带来的界面放电，从而提高放电电压，大幅度提高电缆的耐击穿场强，提升电缆的电压等级。
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公开(公告)号：CN112951491B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110124514.8
申请日：2021-01-29
申请人： 青岛科技大学
摘要： 本申请提供了一种高压电缆，包括线芯和绝缘层，在绝缘层靠近线芯的区域设置有纳孔结构层，纳孔结构的纳孔延伸方向垂直于电缆延伸方向。本申请提供的高压电缆，不设置内半导电屏蔽层，在绝缘层靠近线芯的区域具有纳米级孔径的纳孔结构，能够有效阻止放电的发生，从而大幅度提高电缆的耐击穿场强，提升电缆的电压等级。
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公开(公告)号：CN113150274A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110059770.3
申请日：2021-02-03
申请人： 青岛科技大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
摘要： 本申请涉及一种高压直流半导电屏蔽料及其制备方法，属于电工材料领域。本申请的半导电屏蔽料的制备方法是，先将苯胺在导电炭黑上原位聚合，并用盐酸掺杂，制成复合导电粉末。然后把导电粉末掺入聚合物基体中，制成半导电屏蔽料。掺入导电聚苯胺，可以有效降低半导电屏蔽料的PTC效应，并且提高半导电屏蔽层抑制空间电荷向绝缘层中注入的能力。
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公开(公告)号：CN112951491A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110124514.8
申请日：2021-01-29
申请人： 青岛科技大学
摘要： 本申请提供了一种新型高压电缆，包括线芯和绝缘层，在绝缘层靠近线芯的区域设置有纳孔结构层，纳孔结构的纳孔延伸方向垂直于电缆延伸方向。本申请提供的高压电缆，不设置内半导电屏蔽层，在绝缘层靠近线芯的区域具有纳米级孔径的纳孔结构，能够有效阻止放电的发生，从而大幅度提高电缆的耐击穿场强，提升电缆的电压等级。
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