一种基于HBT-HEMT堆叠技术的超宽带放大器

    公开(公告)号:CN109687830B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN201811593520.2

    申请日:2018-12-25

    摘要: 本发明公开了一种基于HBT‑HEMT堆叠技术的超宽带放大器,包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一CECG堆叠晶体管、第二CECG堆叠晶体管、第三CECG堆叠晶体管、第四CECG堆叠晶体管,与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的第一馈电网络和与第一至第四CECG堆叠晶体管相连的第二馈电网络,本发明核心架构采用第一至第四CECG堆叠型晶体管组成的矩阵放大网络,结合了二阶矩阵功率放大器超宽带频响特性,从而改善了传统单一CE堆叠或者CG堆叠放大器的高频失配特点,使得整个功率放大器获得了良好的宽带高增益和高功率输出能力。

    一种基于自适应线性化技术的高增益功率放大器

    公开(公告)号:CN112865717B

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202110054274.9

    申请日:2021-01-15

    IPC分类号: H03F1/32 H03F3/20

    摘要: 本发明公开了一种基于自适应线性化技术的高增益功率放大器,包括输入匹配及供电网络、自适应线性化反馈网络、自偏置负反馈放大网络、基于寄生参数补偿的高效率输出匹配网络,核心架构采用自偏置负反馈放大网络在微波段的高功率、高增益特性,同时利用自适应线性化反馈网络调节自偏置负反馈放大网络在进行大信号功率放大的底层堆叠晶体管的线性度分量,使得整个功率放大器获得了良好的高增益、高线性度和高功率输出能力。

    一种基于自适应线性化技术的高增益功率放大器

    公开(公告)号:CN112865717A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110054274.9

    申请日:2021-01-15

    IPC分类号: H03F1/32 H03F3/20

    摘要: 本发明公开了一种基于自适应线性化技术的高增益功率放大器,包括输入匹配及供电网络、自适应线性化反馈网络、自偏置负反馈放大网络、基于寄生参数补偿的高效率输出匹配网络,核心架构采用自偏置负反馈放大网络在微波段的高功率、高增益特性,同时利用自适应线性化反馈网络调节自偏置负反馈放大网络在进行大信号功率放大的底层堆叠晶体管的线性度分量,使得整个功率放大器获得了良好的高增益、高线性度和高功率输出能力。

    一种高频高功率异质结双极晶体管功率放大器

    公开(公告)号:CN110365297A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910727401.X

    申请日:2019-08-07

    摘要: 本发明公开了一种高频高功率异质结双极晶体管功率放大器,包括输入分布变压耦合匹配网络、第一达林顿功率放大网络、第二达林顿功率放大网络、第三达林顿功率放大网络、第四达林顿功率放大网络以及输出分布变压耦合均衡网络,本发明采用异质结双极晶体管利用自偏结构不需要额外的基级馈电,大大减少了放大器应用中的复杂外围电路。其核心架构采用第一至第四达林顿功率放大网络,可以获得高功率并获得较高的高频增益,同时利用差分放大器在微波频段的良好的寄生参数抑制性,与分布式变压器网络良好的功率合成特性相结合,使得整个功率放大器获得了良好的高频、高增益、高效率和高功率输出能力。

    一种高功率分布型有源变压合成功率放大器

    公开(公告)号:CN110324015A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910684507.6

    申请日:2019-07-26

    摘要: 本发明公开了一种高功率分布型有源变压合成功率放大器,包括输入单端转差分匹配网络、第一差分三堆叠放大网络、第二差分三堆叠放大网络、第三差分三堆叠放大网络、第四差分三堆叠放大网络、分布式阻抗匹配变压网络以及与分布式阻抗匹配变压网络相连的第一至第四供电偏置网络。本发明核心架构采用第一至第四差分三堆叠放大网络,利用差分放大器良好的寄生参数抑制性,同时利用三堆叠晶体管高功率增益、高隔离度和高输出功率特性,与分布式阻抗匹配变压网络良好的功率合成特性相结合,使得整个功率放大器获得了良好的高增益、高效率和高功率输出能力。

    一种基于CSCB晶体管的超宽带放大器

    公开(公告)号:CN110311634A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910726752.9

    申请日:2019-08-07

    摘要: 本发明公开了一种基于CSCB晶体管的超宽带放大器,包括三阶输入分配网络、三阶级间平衡网络、三阶输出合成网络、第一堆叠管、第二堆叠管、第三堆叠管、第四堆叠管、第五堆叠管、第六堆叠管、第五堆叠管、第六堆叠管,与三阶级间平衡网络和三阶输出合成网络相连的集电极馈电网络和与第一至第六堆叠管相连的自适应基极馈电网络、栅极馈电网络,本发明核心架构采用CSCB型堆叠晶体管构成的三阶矩阵放大网络,结合了三阶矩阵放大器超宽带频响特性,同时结合了自适应基极馈电网络改善放大器电路的温度敏感度及线性度,从而使得整个功率放大器获得了良好的宽带高增益、高功率输出能力以及良好的线性度指标。

    一种基于反馈型三级达林顿管的分布式功率放大器

    公开(公告)号:CN108649912A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810818807.4

    申请日:2018-07-24

    IPC分类号: H03F3/19 H03F3/21

    摘要: 本发明公开了一种基于反馈型三级达林顿管的分布式功率放大器,包括分布式反馈型三级达林顿管放大网络、反馈型三级达林顿管输入分配网络、反馈型三级达林顿管输出合成网络,本发明核心架构采用分布式反馈型三级达林顿管放大网络,该放大网络至少由三个分布式反馈型三级达林顿管组成,同时,本发明考虑了反馈型三级达林顿管对于人工传输线的等效电容的影响,大大提高了电路设计的精确性,降低了电路后期调试的难度,使得整个功率放大器获得了良好的宽带功率输出能力和功率增益能力,提高电路的稳定性与可靠性。