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公开(公告)号:CN110879579A
公开(公告)日:2020-03-13
申请号:CN201911096301.8
申请日:2019-11-11
IPC分类号: G05B19/418 , G05D27/02
摘要: 本发明公开了基于多晶硅生产装置DCS系统的还原炉顺序控制方法,具体程序操作步骤为:S1,初始排净顺序控制程序;S2,压力检查顺序控制程序;S3,气体置换顺序控制程序;S4,主反应准备顺序控制程序;S5,主反应阶段物料进料爬坡程序和步骤切换程序;S6,主反应停车顺序控制程序;S7,氮气置换顺序控制程序;S8,抽真空顺序控制程序。本发明实现了高度的自动化顺序控制程序,无需人工频繁的操作,显著降低员工操作频率和劳动强度,减少了人为因素干扰,保证了还原炉的安全稳定运行,同时自动控制程序实现了多晶硅生产过程中进料连续稳定,进而显著提高了产品质量的稳定性。
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公开(公告)号:CN110879579B
公开(公告)日:2021-11-12
申请号:CN201911096301.8
申请日:2019-11-11
IPC分类号: G05B19/418 , G05D27/02
摘要: 本发明公开了基于多晶硅生产装置DCS系统的还原炉顺序控制方法,具体程序操作步骤为:S1,初始排净顺序控制程序;S2,压力检查顺序控制程序;S3,气体置换顺序控制程序;S4,主反应准备顺序控制程序;S5,主反应阶段物料进料爬坡程序和步骤切换程序;S6,主反应停车顺序控制程序;S7,氮气置换顺序控制程序;S8,抽真空顺序控制程序。本发明实现了高度的自动化顺序控制程序,无需人工频繁的操作,显著降低员工操作频率和劳动强度,减少了人为因素干扰,保证了还原炉的安全稳定运行,同时自动控制程序实现了多晶硅生产过程中进料连续稳定,进而显著提高了产品质量的稳定性。
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