公开(公告)号：CN117133637A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311397163.3

申请日：2023-10-26

申请人： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 ,  青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

发明人： 王坤 ,  高文琳 ,  母凤文 ,  郭超

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L21/683

摘要： 本发明涉及一种提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底。方法包括：将碳化硅供体材料与支撑层进行连接，得到含有碳化硅供体材料层的连接体；对连接体进行边缘倒角，形成供体衬底；在供体衬底的碳化硅供体材料层中预埋弱化层；将供体衬底的碳化硅供体材料层与碳化硅衬底键合，形成键合体；对键合体施加应力，使其沿弱化层断裂，得到由碳化硅膜层与碳化硅衬底构成的碳化硅复合衬底，及剩余供体衬底。制备所得的碳化硅复合衬底碳化硅膜层边缘与碳化硅衬底边缘距离均值小于0.9mm，极差小于0.5mm，有效使用面积大于碳化硅复合衬底边缘向内排除2mm后的面积。衬底尺寸越大，本发明制备的复合衬底的有效使用面积占比越大，技术效果越显著。

公开(公告)号：CN117133637B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311397163.3

申请日：2023-10-26

申请人： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 ,  青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

发明人： 王坤 ,  高文琳 ,  母凤文 ,  郭超

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L21/683

摘要： 本发明涉及一种提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底。方法包括：将碳化硅供体材料与支撑层进行连接，得到含有碳化硅供体材料层的连接体；对连接体进行边缘倒角，形成供体衬底；在供体衬底的碳化硅供体材料层中预埋弱化层；将供体衬底的碳化硅供体材料层与碳化硅衬底键合，形成键合体；对键合体施加应力，使其沿弱化层断裂，得到由碳化硅膜层与碳化硅衬底构成的碳化硅复合衬底，及剩余供体衬底。制备所得的碳化硅复合衬底碳化硅膜层边缘与碳化硅衬底边缘距离均值小于0.9mm，极差小于0.5mm，有效使用面积大于碳化硅复合衬底边缘向内排除2mm后的面积。衬底尺寸越大，本发明制备的复合衬底的有效使用面积占比越大，技术效果越显著。